Физика полупроводниковых приборов Книга 2 - Зи С.
Скачать (прямая ссылка):
Solar Cells by A1 - Si Metallurgical Reactions, Appl. Phys. Lett., 30,
643 (1977).
36. Card H. C., Yang E. S. MIS-Schottky Theory under Conditions of
Optical Carrier Generation in Solar Cells, Appl. Phys. Lett., 29, 51
(1976).
37. Van Halen P., Mertens R. P., Van Overstraeten R. J., Thomas R. E.,
Van Meerbergen J. New TiOx-MIS and Si02-MIS Silicon Solar Cells, IEEE
Trans. Electron Devices, ED-25, 507 (1978).
38. Barnett A. М., Bragagnolo J. A., Hall R. B., Phillips J. E., Meakin
J. D. Achievement of 9.15% Efficiency in Thin Film CdS/Q^S Solar Cells,
Conf. Rec. 13th IEEE Photovoltaic Spec. Conf. IEEE, N. Y., 1978, p. 419.
39. Burton L. C., Baron B., Devaney W., Hench T. L., Lorenz S., Meakin
J. Studies Related to ZnxCd]_x S - Cu2S Solar Cells, Conf. Rec. 12th IEEE
Photovoltaic Spec. Conf., IEEE, N. Y., 1977, p. 526.
40. Kazmerski L. L., Ireland P. J., White F. R., Cooper R. B. The
Performance of Copper-Ternary Based Thin-Film Solar Cells, Conf. Rec.
13th IEEE Photovoltaic Spec. Conf., IEEE, N. Y., 1978, p. 185.
41. Wagner S., Bridenbaugh P. M Multicomoonent Tetrahedral Compounds
for Solar Cells, J. Cryst. Growth, 39, 151 (1977).
42. Gibson R. A., LeComber P. G., Spear W. E. Doped Amorphous Silicon
and Its Application in Photovoltaic Devices, IEEE J. Solid State Electron
Pn'ices, 2, 83 (1978).
442
Глава 14
43. Carlson D. Е. Amorphous Silicon Solar Cells, IEEE Trans. Electron
Devices, ED-24, 449 (1977).
44. Frank R. I., Goodrich J. L., Kaplow R. A Novel Silicon High-
Intensity Photovoltaic Cell, GOMAC Conference, Houston, Nov. 1980.
45. Vander Plas H. A., James L. W., Moon R. L., Nelson N. J.
Performance of AlGaAs/GaAs Terrestrial Concentrator Solar Cells, Conf.
Rec. 13th IEEE Photovoltaic Spec. Conf., IEEE, N. Y., 1978, p. 934.
46. Blocker W. High Efficiency Solar Energy Conversion through Flux
Concentration and Spectrum Splitting, Proc. IEEE, 66, 104 (1978).
47. Moon R. L., James L. W., Vander Plas H. A., Yep Т. O., Antypas G.
A., Chai Y. Multigap Solar Cell Requirements and the Performance of
AlGaAs and Si Cells in Concentrated Sunlight, Conf. Rec. 13th IEEE
Photovoltaic Spec. Conf., IEEE, N. Y., 1978, p. 859.
48. Javetski J. A Burst of Energy in Photovoltaics, Electronics, 52,
105 (1979).
49. Green M. A., Godfrey R. B., Willison M. R., Blakers A. W. High
Efficiency Silicon minMIS Solar Cells, Conf. Rec. 14th IEEE Photovoltaic
Spec. Conf., IEEE, N. Y., 1980, p. 684.
50. Thomas R. E., Norman C. F., North R. B. High Efficiency
MIS/Inversion Layer Silicon Solar Cells, Conf. Rec. 14th IEEE
Photovoltaic Spec. Conf., IEEE, N. Y., 1980. p. 1350.
Приложения
44с
Приложения
Приложение А. Перечень обозначений
Символ Физическая величина Единица измерения
а Постоянная решетки Л
я Магнитная индукция Во-м"2
с Скорость света в вакууме см • с-1
с Емкость ф
2D Электрическая индукция Кл-см 2
D Коэффициент диффузии см2•с-1
Е Энергия эВ
Ес Энергия дна зоны проводимости эВ
ЕР Энергия Ферми эВ
Eg Ширина запрещенной зоны эВ
EV Энергия потолка валентной зоны эВ
<§r Электрическое поле В-см-1
Критическое поле В-см-1
Максимальное поле В • см-1
f Частота Гц
F(E) Функция распределения Ферми-Дирака Дж-с
h Постоянная Планка
hv Энергия фотона эВ
I Ток А
Ic Коллекторный ток А
J Плотность тока А-см-2
Jt Пороговая плотность тока А-см-2
k Постоянная Больцмана Дж-К'1
kT Тепловая энергия эВ
L Длина см или мкм
Щ Масса свободного электрона кг
m* Эффективная масса кг
n Показатель преломления
n Концентрация свободных электронов см-3
гц Собственная концентрация см-3
N Концентрация легирующей примеси см-3
Na Концентрация акцепторов см-3
Nc Эффективная плотность состояния в зоне проводи- см-3
No мости Концентрация доноров см-3
Nv Эффективная плотность состояния в валентной зоне см-3
P Концентрация свободных дырок см-3
P Давление Н-м"2
Я Заряд электрона Кл
Qit Плотность поверхностных состояний см-2
R Сопротивление Ом
t Время с
T Абсолютная температура к
V Скорость носителей см-с 1
vs Скорость насыщения см • с-1
Vth Тепловая скорость см • с-1
V Напряжение в
Vbi Встроенный потенциал в
Veh Напряжение эмиттер-база в
Vb Напряжение пробоя в
W Толщина C.M или мкм
444
Приложения
Продолжение прилож.
Символ
WB
х
V
vr
8"
ee/e0
т
0
X
v
N
р
ф
ФВп
ФВр
Фгп
СО
Q
Физическая величина
Толщина базы ^-направление
Дифференциальный оператор Температурный градиент Диэлектрическая
постоянная вакуума Диэлектрическая проницаемость полупроводника
Диэлектрическая проницаемость изолятора Относительная диэлектрическая
проницаемость Время жизни или время затухания Угол
Длина волны Частота света
Магнитная проницаемость вакуума
Подвижность электронов
Подвижность дырок
Удельное сопротивление
Высота барьера или квазиуровень Ферми
Высота барьера Шоттки к полупроводнику п-типа
Высота барьера Шоттки к полупроводнику р-типа
Работа выхода металла
Круговая частота
Сопротивление
Единица
измерения
см или мкм
К • см-1 Ф • см-1 Ф • см"1 Ф • см-1
