Физика полупроводниковых приборов Книга 2 - Зи С.
Скачать (прямая ссылка):
- умножение 106
Лавинно-пролетный диод (ЛПД) 150
-----шумы 186-191
Лавинный пробой 61
- фотодиод 363
------ структуры 371, 373
Лазерная перестройка 332 Лазерные структуры 319 Лазеры на двойных
гетероструктурах (ДГ-лазеры) 302 -----основе гетероструктур 299
- с распределенной обратной связью
324
Литографические методы 71 Люминесценция 271
- квантовая эффективность 276
Магниторезистивный эффект 41 Малосигнальный анализ 164 Максимальная
диэлектрическая прочность 427
- рабочая частота тиристора 232
- частота генерации 174 Масштабирование транзисторов 192 Масштабный
фактор 67 Матрица рассеяния 171 МДОП-структуры 87 МДП-структуры 377
Междолинное рассеяние 34 Междузонное возбуждение 277 Межзонное поглощение
47
Метод вольт-амперных характеристик 292
- вольт-фарадных характеристик 299
- проводимости 400
- сплавления 70
- энергии активации 297
Методы возбуждения электролюминесценции 277
- изготовления полупроводниковых
приборов 70 Микроплазма 370
Многоканальный полевой транзистор 371 МНОП-структуры 87 Модель двух
областей 343
- Гуммеля - Гуна 163
- с полностью насыщенной скоростью
346
Предметный указатель
451
- Эберса - Молла 161, 187 МОП-структуры с двойной диффузией
70
МОП-транзистор 5
- гексагональный 76
- линейная область работы 14, 57
- неравновесные условия 8
- подпороговая область 21
- подпороговое напряжение 16
- подпороговые токи 48
- приближение главного канала 14
- прокол 58
- режим насыщения 57
----- отсечки канала 14, 61
----- смыкания 58
- с заглубленным каналом 71 V-канавкой 76
- типы 29
- эффект насыщения тока 20 Мощность, эквивалентная шуму
(NEP) 343 Мощные транзисторы 180 МП-транзисторы с двойной
гетероструктурой 364
Напряжение включения транзистора 217
- плоских зон 203
- пробоя 156
----- тиристора 205
----- прокола 136
- отсечки канала 333
- смыкания 203
- Эрли 159
Нейтронное легирование 207 Непрямые переходы 275 "Непустой нуль" 443
Нестационарная диффузия носителей 63
Нормально закрытый полевой транзистор 336
Обедненный слой 260 Область безопасной работы транзистора 185
- дрейфа 153
Обобщенное соотношение Эйнштейна 35
Обратная решетка 14 Обращенный диод 119 Однопереходные транзисторы 248,
250
Оже-рекомбинация 41, 153 Омический контакт 318
Оптические свойства полупроводников 47
Оптическое концентрирование излучения 434 Основные носители 33
Отрицательный температурный коэффициент 106 Отсечка канала 17, 42
Пассивирующий слой 8 Переключающий МДП-диод 123
- транзистор 186
----- эквивалентная схема 189
Перенос в пленках изоляторов 422 Переходные процессы в р - л-пере-ходе
117 Первичный пробой 183 ПЗС (прибор с зарядовой связью) 377
- со скрытым каналом 446 -^хранение заряда 429
р -i - п-диоды 126 Плавный линейный переход 88 Планарный процесс 71
Плоскостные р - л-переходы 69 Поверхностная рекомбинация 64 Подвижность
дырок 36
- носителей 24, 33, 51
----- полевая зависимость 338
Поглощение излучения 299 Полевой диод 366
- слой 8
- транзистор 325, 333, 368
- тиристор 252
Полупроводниковые лазеры 295
- материалы для лазеров 296-298 Пороговая энергия ударной ионизации
53
Постоянная решетки 14 Потенциальная яма 429 Правило к-отбора 275
- равных площадей 249
Приближение В КБ (Вентцеля -
Крамерса - Бриллюэна) 101
- плавного канала 330 Приборы с плавающим затвором 73
- со скрытым каналом 41 Примесное возбуждение 340 Пробой р - л-
перехода 103 Проводимость 36
- канала 332, 335
- пленок 425
Пролетное запаздывание 150, 173 Пролетный диод с захваченным объемным
зарядом лавины 216
- угол 163
- эффект 162, 163
452
Предметный указатель
Процессы генерации-рекомбинации носителей 97 Прямые переходы 275
Работа выхода 259, 262 Радиус водородоподобного примесного центра 274
Разность работ выхода 413 Рассеяние на акустических фононах 33 -----
ионизированных примесных атомах 33 Режим инверсии 380
- обеднения 379
- обратного запирания тиристора
205
- прямого запирания тиристора 211 Резкий переход 80
Резонатор Фабри - Перо 299 Рекомбинационные процессы-41, 42 Релаксация
фотовозбужденных носителей 60
Сверхрезкий переход 124 Сверхрешетки 136
Светодиоды видимого диапазона 278
- инфракрасные 291
- конструкции 283
Сдвиг напряжения плоских зон 413 Сдвоенный диод Шоттки 317 Сила Лоренца
38 Скин-эффект 184
Скорость поверхностной рекомбинации 64 Скрытый канал 41
Собственная температура полупроводника 25 Собственное возбуждение 339
Собственный полупроводник 21 Солнечная постоянная 390 Солнечные элементы,
вольт-амперные характеристики 405-409
-----конструкции 412-417
-----на барьерах Шоттки 423-426
--------МДП-структурах 426-428
--------р - я-переходе 398
-----спектральный отклик 399
-----с гетеропереходами 418-419
----- тонкопленочные 428
Соотношения Больцмана 91 Спектры излучения 273 Спонтанная эмиссия 299
Сродство к электрону см. электронное сродство 259, 378 Стабилизаторы тока
366 Стабилитроны 122
Стимулированное излучение 299 Структура с диффузионным охранным кольцом
316
- со сквозным проколом 373
