Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Зи С. -> "Физика полупроводниковых приборов Книга 2" -> 142

Физика полупроводниковых приборов Книга 2 - Зи С.

Зи С. Физика полупроводниковых приборов Книга 2 — М.: Мир, 1984. — 456 c.
Скачать (прямая ссылка): fizikapoluprovodnikovihpriborov21984.djvu
Предыдущая << 1 .. 136 137 138 139 140 141 < 142 > 143 144 .. 145 >> Следующая

Ширина запрещенной зоны, 0,66 1,12 1,424
эВ Собственная концентрация 2,4 • 1013 1,45-1010 1,79-10е
носителей, см-3 Собственная дебаевская 0,68 24 2250
длина, мкм Собственное удельное со- 47 2,3-105 108
противление, Ом-см Постоянная решетки, А 5,64613 5,43095
5,6533
Коэффициент линейного 5,8-10~6 2,6-10-в 6,86-10'6
теплового расширения AL/L АТ, °С~г Температура плавления, °С 937 1415
1238
Время жизни носителей, с 10"3 2,5-10~3 ю-8
Дрейфовая подвижность, /3900 1500 8500
см2 • В-1 • с-1 {1900 450 400
Энергия оптического фо- 0,037 0,063 0,03 5
пона, эВ Средняя длина свободного 105 76 (для элек- 58
пробега носителя до испускания оптического фонона К А Теплоемкость, Дж/г-
°С 0,31 тронов) 55 (для дырок) 0,7 0,35
Коэффициент теплопровод- 0,6 1,5 0,46
ности при 300 К, Вт/см °С Коэффициент тепловой диф- 0,36 0,9 0,14
фузии, см2-с-1 Давление насыщенных па- 1 при 1330 °С 1 при 1650°С
100 при 1050°С
ров, Па 10 6при760°С 10-* при 900 °С 1 при 900°С
448
П риложения
Приложение Ж. Свойства Si02 и Si3N4 при температуре 300 К
Структура
Температура плавления, °С Плотность, г-см-3 Показатель преломления
Диэлектрическая постоянная Электрическая прочность, В-см Линия ИК
поглощения, мкм Ширина запрещенной зоны, эВ Коэффициент теплового
расширения, °С-1 Коэффициент теплопроводности, Вт*см-1 К-1 Удельное
сопротивление по постоянному току при 25 °С, Ом-см при 500°С, Ом-см
Скорость травления в буферном HF1), А/мин
Si02 Si3N4
(аморфный) (аморфный)
-1600 -
2,2 3,1
1,46 2,05
3,9 7,5
107 107
9,3 11,5-12,0
9,0 -- 5,0
5-10"7 .-
0,014 .-
Ю14-1016 1014
2* Ю13
1000 5-10
") Буферный HF: 34,6 % NH4F, 6,8 % HF, 58,6 % Н20.
Предметный указатель
Цифры, набранные полужирным шрифтом, соответствуют
страницам кн. 2.
Акцепторные поверхностные состояния 396 Акцепторный уровень 25 Акцепторы
21
"Альфа-частота" отсечки 169 Амбиполярное время жизни 94, 129
Балластный эмиттер ный транзистор 181
Барьер Мотта 257, 314
- Шоттки 257
----в качествеУстока и истока 72
Барьерная емкость 86 Биполярный транзистор 142, 166
----статические характеристики 143
Блоховские функции 16 Больцмановская статистика 22
Валентная зона 18 Варакторы 123
- чувствительность 124 Варисторы 122
Вероятность туннелирования 101, 132
"Воздушная масса" (AM) 390 Время включения вторичного пробоя 183 ----
тиристора 225
- выключения тиристора 225
- жизни неосновных носителей 131 носителей 60
- пролета 356 Встроенный потенциал*42 Вторичный пробой 182, 183
Выключающий тиристор 240 Выпрямитель 121
Высокочастотные характеристики транзистора 171 Высота барьера 283
Гамма-функция 40
Гексагональный МОП-транзистор 76 Генерационно-рекомбинационный шум 343
Геометрический коэффициент 37 Гетеролазеры с квантовыми ямами 324
Гетеропереход 132 "Горячие" точки 184 Горячие электроны 143 Градиентное
напряжение 89 Граничная частота полевых канальных транзисторов 357
Двухскоростной пролетный диод (ДСПД) 151, 214 Дебаевская длина дрейфа 84,
383 Деградация лазеров 334 Диак 243 Диод Мисавы 154
- Рида 152
- с насыщением дрейфовой скорости
367
---- проколом 206
- Шоттки 126 Диодный тиристор 221
Диоды с быстрым восстановлением 125
---- накоплением заряда 126
Диффузионная емкость 101, 103 Диффузионный метод 71 Диффузия носителей 63
Длина амбиполярной диффузии 130 Длинноканальный МОП-транзистор 5 Донорные
поверхностные состояния 396
Дояорный уровень 25 Доноры 21
Дополнительная функция ошибок 74 Дрейфовая подвижность 36, 40
- скорость носителей 33, 51 Дрейфовый транзистор 146 Дробовый шум 120
Дырка 21
dV
^--переключение транзистора 225
Закон Фика 73
Закороченный катод в тиристоре 228 Запрещенные переходы 276 Затвор 8
450
Предметный указатель
Зона Бриллюэна 17, 19
- легких дырок 18
- проводимости 18
- тяжелых^дырок 18
Зонная структура идеального резкого гетероперехода 132 Зонные диаграммы
МДП-структуры 419
- энергетические спектры твердых
тел 17
Идеальная МПД-структура 378
----- характеристики 385
Излучательная рекомбинация 41 Излучательные переходы 271 Изменения
^высоты барьера 292 Изоэлектронный центр 281 Инверсная населенность 314
Индексы Миллера 14, 15 Инжекционная электролюминесценция 272
Инжекционно-пролетный диод (ИПД) 151
Инжекция неосновных носителей 280 Ионная имплантация 72
Картина дальнего поля 307 Квантовая эффективность люминесценции 276
Квантовое усиление 314 КНИ-прибор 75
Конструкции высокочастотных фотодиодов 356
- мощных МП-транзисторов для
СВЧ-диапазона 362 Контактная разность потенциалов 257 Короткоканальные
МОП-транзисторы 6
- эффекты 47, 67
Коэффициент амбиполярной диффузии 94, 131, 219
- диффузии 74 электронов 35
- кривизны 131
- оптического ограничения 305,
309
- отражения 284
- умножения 365
- усиления тока 149
- устойчивости 172
- Холла 40
- шума 187 Краевое поле 438 Краевой МОМ-диод 142 Кремниевый
выключатель 251
- СВЧ-транзистор 166 Кристаллическая структура полупроводника 11, 12
Крутизна канала 332
- транзистора 335
Лавинное запаздывание 150, 172
Предыдущая << 1 .. 136 137 138 139 140 141 < 142 > 143 144 .. 145 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed