Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках - Вавилов В.С.
Скачать (прямая ссылка):
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие.............................. .... о
Принятые сокращения............................. . • 8
Глава 1. Представления о простейших дефектах ... 9
§ 1. Точечные дефекты .... ................. 9
§ 2. Методы расчета электронной структуры дефектов в кристаллах ........................................ . 13
Г л а в а 2. Элементарный акт образования п миграции дефектов ........................... ..........24
§ 1. Дефектообразование (общие вопросы)..................24
§ 2. Допороговое образование дефектов....................40
§ 3. Термофлуктуационное смещение атомов.................45
§ 4. Теоретические модели высокотемпературной диффузии 53
§ 5. Квантовые эффекты в диффузии атомов.................59
§ 6. Понятие о низкотемпературной стимулиропаппой диффузии (НСД)..............................................63
Глава 3. Современные представления об образовании и миграции дефектов в кристаллах.......................69
§ 1. Новые конфигурации дефектов в алмазной решетке . 69
§ 2. Эксперименты по низкотемпературной миграции и фо-
тостимулированным процессам..........................78
§ 3. Радиационно-стимулированная диффузия .... 89
Глава 4. Допороговое дефектообразование в атомарных полупроводниках .....................................98
§ 1. Допороговые эффекты в Ge и Si.......................99
§ 2. Общие закономерности допорогового эффекта . . . 112
§ 3. Взаимодействие радиационных дефектов с примесями 131
Глава 5. Допороговое дефектообразование в бинарных полупроводниках ....................................143
§ 1. Образование и миграция радиационных дефектов в CdS 143
§ 2. Радиационные изменения в CdS в процессе возбуждения
когерентного излучения...............................160
§ 3. Допороговые эффекты в InSb и других бинарных материалах ...............................................167
§ 4. Фотостимулированные процессы образования и преобразования дефектов в CdS................................178
4
ОГЛАВЛЕНИЕ
§ 5. Допороговые эффекты в облучаемых ионами полупроводниках .................................................
Глава 6. Влияние излучения на диффузию в полупровод никах........................................
§ 1. Влияние радиационных дефектов на термическую диф
фузию.......................................-и
§ 2. Экспериментальные проявления стимулированной излу
чением диффузии атомов............................
§ 3. Низкотемпературная миграция атомов в Si § 4. Влияние электронных возбуждений на низкотемператур
ную миграцию атомов...............................
§ 5. Низкотемпературная миграция при воздействии ионов
малой и средней энергии...........................
§ 6. Особенности низкотемпературной миграции атомов
Глава 7. Активационные процессы при ионной имплан тации..................................................
§ 1. Физические основы ионно-лучевого легирования полу
проводников ......................................
§ 2. Дефекты структуры в полупроводниках, подвергнутых ионной бомбардировке, и явление аморфизации .
§ 3. Синтез полупроводниковых соединений и структур с пс
пользованием ускоренных ионов.....................
§ 4. Электрические свойства ионно-легированных полупро
водников .........................................
§ 5. Лазерный и электронпо-лучевой отжиг имплаитировап ных слоев в полупроводниках............................
Глава 8. Образование и миграция атомных дефектов в не
которых прикладных задачах..................
§ 1. Деградация полупроводниковых излучателей оптическо
го диапазона......................................
§ 2. Влияние ударной волпы па полупроводниковые мато
риалы.............................................
§ 3. Микромеханизмы естественного старения полупроводип
ковых материалов и приборов . ..............
§ 4. Низкотемпературная стимулировапная адгезия § 5. Вопросы радиационной стойкости при воздействии низ коэнергетическпх излучений ............................
Заключение.............................................
Литература.............................................
Дополнение при корректуре .............................
182
189
189
202
215
236
259
268
279
279
285
289
292
302
309
310
316
319
323
330
332
361
ПРЕДИСЛОВИЕ
С возникновением и развитием физики радиационных воздействий на полупроводники*) открылись новые возможности изучения свойств дефектов и механизмов их образования. До шестидесятых годов в основном происходило накопление результатов, связанных с радиационными изменениями макроскопических характеристик твердых тел. В последующем были разработаны методики и подходы, позволившие получать разностороннюю, а в ряде случаев однозначную информацию о характере элементарного акта дефектообразования. Важную роль здесь сыграли исследования спектров ЭПР и ЯМР, прямые электронно-микроскопические наблюдения, кинетические исследования, использование эффекта Мёссбауэра.
