Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Вавилов В.С. -> "Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках" -> 4

Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках - Вавилов В.С.

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках — М.: Наука, 1981. — 368 c.
Скачать (прямая ссылка): mehanizmiobrabotki1981.pdf
Предыдущая << 1 .. 2 3 < 4 > 5 6 7 8 9 10 .. 135 >> Следующая

ПРИНЯТЫЕ СОКРАЩЕНИЯ

ГК — гибридные коэффициенты ГЦК — граноцентрировапный кристалл ДД — допороговые дефекты ДМ — допороговые механизмы

ДРДО — допороговое радиационное дефектообразовапие ДСД — диффузия, стимулированная дефектами ДСП — диффузия, стимулированная полями ИД — излучающие диоды

КРРА — кривые радиального распределения атомов КПС — конфигурация повернутых связей ЛО — лазерный отжиг

ЛШШ — теория Липдхарта — Шарфа — Шпотта МО ЛКАО — молекулярная орбиталь-линейпая комбинация атомных орбиталей

НДП — нулевое дифференциальное перекрывание

НМ — низкотемпературная миграция

ННЗ — неравновесные носители заряда

НСД — низкотемпературная стимулированная диффузия

ОД — ориентационные дефекты

ОПВ — ортогонализированные плоские волны

ОЦК — объемно-центрированный кристалл

ПМВ — потенциалы межатомных взаимодействий

ППВ — присоединенные плоские волны

ПР — потенциальный рельеф

ПЭМ — полуэмпирические методы

РДО — радиационное дефектообразование

РМХ — расширенный метод Хюккеля

РСД — радиационно-стимулированная диффузия

РСМ — радиационно-стимулированная миграция

СИД — светоизлучающие диоды

ССП — самосогласованное поле

ССП — Ха — синтез Ха-метода Слэтера с методом самосогласованного поля

ТД — точечные дефекты

УВ — ударная волна

ФХР — фотохимические реакции

ЩГК — щелочно-галоидный кристалл

ЭАП — эффективные адиабатические потенциалы

ЭВ СА — электронное возбуждение смещение атома

ЭИЭ — электронно-ионная эмиссия

ЭЛ — электролюминесцентные характеристики

ЭП ¦*- электронная подсистема
ГЛЛВЛ 1

ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О ПРОСТЕЙШИХ ДЕФЕКТАХ § 1. Точечные дефекты

Существование точечных дефектов (ТД) было предсказано Френкелем в ранних работах (см. ['!]). Статистические соображения приводят к формуле для концентрации ТД следующего вида:

AvArx = А2ехр(- W/kT), (1.1.1)

где Nf, Nv — равновесные концентрации вакансии и меж-доузельных атомов, N — плотность узлов решетки, W — энергия образования дефекта Френкеля, под которым понимается пара «вакансия — междоузельный атом» (F, /). Сразу отметим, что формула (1) пригодна лишь в том случае, если ТД электрически неактивны. Корректировка выражения (1) с учетом заполнения уровней ТД электронами или дырками приводится в монографии Ви-нецкого и Холодарь [2]. Там же описаны явления, возникающие при статистическом взаимодействии носителей заряда и дефектов (самокомпенсация и собственно-де-фектная проводимость).

Вычисление вероятности w теплового образования дефекта Френкеля представляет собой трудную задачу (см. гл. 2). В [3] эта задача решалась при помощи принципа детального равновесия. Для электрически неактивных дефектов

w = yVIN2 exp (W/кТ), (1.1.2)

где yvi — вероятность захвата свободной вакансии атомом /, jvi = 4jtZ)r0 (D — коэффициент взаимной диффузии V и I, га — радиус области захвата), и может быть
10 ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О ПРОСТЕЙШИХ ДЕФЕКТАХ [ГЛ. 1

взята из эксперимента пли вычислена методами теории реакций с участием диффузии.

Для электрически активных дефектов (пусть конкретно У — акцептор, атом 1 неактивен) аннигиляция I и V (акцепторный уровень заполнен) приводит к восстановлению нормального узла решетки п переходу электрона с локального уровня в зону проводимости с. Согласно принципу детального равновесия должен происходить и обратный переход. Электрон в с-зопе, локализуясь, создает в идеальной решетке пару Френкеля, причем в процессе ее образования электрон садятся на уровень вакансии. Таким образом, из принципа детального равновесия получается вероятность образования дефекта с участием электрона

где Q — плотность состояний в с-зоне, S’v — энергия за-

тарного акта захвата вакансией V атома I с переходом электрона в с-зону.

В работе [3] вероятность образования дефекта с участием электрона вычислена квантовомехашгчески, как вероятность безызлучательного перехода системы «идеальный диэлектрик + электрон проводимости» в состояние «кристалл + дефект с локализованным на нем электроном».

Полученный результат учитывает изменение числа фононов, связанное с изменением положения равновесия атомов в процессе образования дефекта.

Наибольшая вероятность образования дефекта согласно [3] имеет место при положении электрона не на дне зоны проводимости, а при некотором значении волнового вектора к, соответствующего закону сохранения энергии при оптимальпом числе фононов, участвующих в переходе. Поэтому изменение функции распределения электронов f(k) может приводить к заметному изменению т]. Например, при наличии «греющего» электрического ноля вероятность т) приближенно представляется в виде

(1.1.3)

хвата электрона на уровень V, уу/—- вероятность элемен-

1

Т
Предыдущая << 1 .. 2 3 < 4 > 5 6 7 8 9 10 .. 135 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed