Оптические свойства полупроводников - Уиллардон Р.
Скачать (прямая ссылка):
0 124
0 125
0 120
0 128
0 129
0 1-Ю
0 132
0 133
0 135
0 136
0 138
0 139
0 141
0 144
0 146
0 148
0,091 0 149
0,087 0 151
0,083 0 153
0,080 0 155
0,075 0 157
0 072 0 159
0,069 0 161
0,068 0 163
0,075 0 165
0,094 0 167
0,111 0 170
0,132 0 172
0,162 0 175
0,178 0 177
0,194 0 180
0,205 0 182
0,210 0 185
0,218 0 188
0,232 0 191
0,246 0 194
0,266 0 197
0,298 0 200
0,3()0 0 203
0,301 0 207
0,303 0 210
0,305 0 214
0,309 0 217
0,311 0 221
0,316 0 225
0,320 0 229
0,325 0 234
0,330 0 238
0,336 0 243
0,343 0 248
0,359 0 253
0,366 0 258
0,370 0 264
0,376 0,380 0,385 0,390 0,395 0,407 0,409 0,414 0,419 0,423 0,428 0 /,30 0,432 0,433 0,432 0,431 0,429 0,427 0,422 0,417 0,410 0,^08 0,415 0,429 0,442 0,452 0,465 0,477 0,490 0,504 0,517 0,528 0,544 0,553 0,538 0,524 0,491
Л, -«к
0,269 0,275 0,282 0,288 0,295 0,302 0,310 0,318 0,326 0 335 О; 344 0,354 0,375 0,.487 0,399 0,413 0,427 0,443 0,459 0,477 0,496 0,517 0,539 0,563 0,590 0,620 0,652 0,689 0,729 0,775 0,826 (1,885 0,953 1,033 1,126 1,240
Рейнольде и др. [69] наблюдали дублет. Они вычислили коэффициент поглощения по отношению интенсивностей прошедшего и падающего света на поликристаллическом образце « типа с сопротивлением 30 ом см (потери на отражение учитывались).
Позже ]Тти и Тернер [70] измерили методом призмы показатель преломления между 1 и 2 мк При температурах 298 и 77°К. Призма с углом при вершине около 15° была вырезана из материала п-типа с концентрацией носителей 5Ю1в показатель
31—1289Г>. Серпфин. X. Пеннгтт
преломления определялся по углу наименьшего отклонения. Точность измерений оценивалась, как +0,0003. По методу наименьших квадратов может быть проведена подгонка данных, с точностью до 0,0007, при лепользовании соотношения
„а a^ ВХ2 /я\
где А = 7,255 (7,781), В = 2,316 (ItRtii) и C2 = 0,3922-IDft (0,4397'IO8) при температуре 298° К (77° К), если А. выражается в ангстремах.
В табл. 1(> для области от 5 до J5 мк приводятся значения показателя преломления, измеренные Осуолдом [71].
Кардона [58] исследовал температурную зависимость показателя преломления, измеряя интерференцию тонких монокристаллических пленок при разных температурах. Для образца л-типа с концентрацией IO17 см'3 он получил соотношение
-^-^-=(2,7 + 0,3)10"3 град-t (9)
(температура — по шкале Цельсия).
§ 7. АРСЕНИД ИНДИЯ
Так же как и в случае GaAs, Филипп и Эренрайх вычислили оптические параметры TnAs в области длин волн 0,05—2,5 мк по данным об отражении, пользуясь дисперсионными соотношениями между фазой и коэффициентом отражения [25—28]. Для таких расчетов необходимо, чтобы спектр отражения был измерен при всех длинах волн. Довольно точные значения для п и Ar можно получить, если в интервал измерений входит основная наиболее интенсивная структура в высокоэнергетической области и если сделать правильные предположения о процедуре экстраполяции вне этой области. В случае измерений Филиппа и Эреп-райха оба эти предположения выполняются. Моррисоя [36 [ провел аналогичный анализ при обработке данных своих очень тщательных, но охватывающих область только до 0,2 лік, измерений отражения. Оптические параметры весьма чувствительны к процедуре экстраполяции, особенно если область измерений ограничена со стороны высоких энергий. Это говорит о том, что плазменное поглощение, оставшееся вне области измерений Моррисона, вносит существенный вклад в дисперсионный интеграл.
Филипп и Эренрайх не приводят характеристик исследованного ими кристалла. По можно предположить, что в охваченной их измерениями области длин волн (между 0,05 и 1,38 лік) оптические параметры не зависят от типа проводимости и плотностиГл. 11. Оптические параметры ряда соединений
475
носителей тока. Существенное значение играет обработка поверхности. Можно принять как некое эмпирическое правило, что лучше всего такая обработка поверхности, которая обеспечивает наибольшее значение коэффициента отражения в широкой спектральной области. В пользу этого правила говорят проведенные Моррисоном исследования зависимости коэффициента отражения от типа полировки поверхности. Наибольшие значения отражения, полученные им после полировки на шелке, только на 3—5% ниже данных Филиппа и Эренрайха, полученных на травлених образцах, по выше значений, приводимых Тауцем и Абрагамом 1351, в средпем на 4—Г» %.
Ряд оптических исследований проведен в области кран фундаментального поглощения Ї72 —771. Особенно важное значение имеют измерения на наиболее чистом из имеющихся материалов, так как тип и плотность примеси в кристалле могут влиять на форму и положение края поглощения. Диксону и Эллису 178], измерившим коэффициент поглощения веи^ества, содержащего только 3,8-IOie см-3 носителей (определено по температурной зависимости эффекта Холла), удалось объяснить расхождение результатов более ранних измерений. Коэффициент поглощения а вычислялся по пропусканию T на основе соотношения (3). Диксон и Эллис установили, что в случае невырожденного кристалла зависимость коэффициента поглощения от энергии фотона E при а IO3 см~1 удовлетворяет следующему соотношению;