Оптические свойства полупроводников - Уиллардон Р.
Скачать (прямая ссылка):
ЛИТЕРАТУРА
1. Welker H., Zs. Naturbirsoh., 7а, 744 (1952).
2. Buck Т. M., в KHtti-e Tho Surface Chemistry of Metals and Semiconductors, New York, 1960, p. 107-
3. Warekiiis E. P.. L a v і n о M. C., Gatos H, C., Journ. Appl. I1Iiys., 31, 1302 (1960).
4. Beattie J. H.. С о и n G.K.T.. PKlI. Mag.. 45, 989 (1955). Douovan T. M.. Ashley E. J., Hennett II. E. Journ. Opt. Soc. Am., 53. 1403 {1963).
?. J ones C. E., H і і l о n A. H., Joum. Eioctrodiem. Soc., 112, 908 (1965),
7. Bennett H. E.. P о г t e u s J. O., Journ. Opl- Soc. Am., 51, 123 (1961).
8. Madden R.P, Canfjeld L. H., Journ. Opt. Soc. Am., 51, 838
(1961).
9. Madden R. P.. C a n E і e 1 d L. R., H a s s G. Joum. Opt. Soc. Am.. 53. «20 (196.?.
10. Horapbin її. O., IIeas R. В., Phys. Rev. Lett., 14, 138 (1965). H. Soraphin В. 0.. В о t t k a N., Thys. Rev. Lett.. 15, 104 {1965).
12. SerapKin B. 0., Journ. Appl. PKys.. 37, 721 (1966).
13. P K і 1 і p p H. R., E Ii г с n r e і с K H.. Phys. Rev., 129. 1550 (1963), 1л. А г с h е г R. .1.. К iiTima R. Y.. Loenbner Е. E., Lu-
«iis И. С., Phys. Ri'V. Lett., 12, 538 (1964).
15. Wang С. С.. С а г <1 о ті a M., FiscKer A. G., RCA Rev., 25, 159 {1964).
16. S L и и е В.. H і 1 і D., Phvs. Rev. Lett.. 4, 282 {19(10),
17. Fischer Т. E.. Phys. Hev., 139. А1228 (1905).
18. Cardona M., Jouni- Appl. Phys., 32, 2151 (1961).
19. Turner W, J., Reese W. E.. Phyf;. Rev., 117, 1003 {I960).
20. Blunt R, F. Frederickse H.P.R., Becker J. H. Hosier W. R., Phys. Rev., 96, 578 (1ї>5л).
21. O s w a 1 d F.. S с ha d e R.. Zs. NaLurtorsch.. 9a, 611 (1954).
22. T її г л e г W. I., Reese VV. E., Phys. Rev.. 127, 126 {1962).
23. S |i і t z e r W. O., K і e і D m a n D., Walsh D., Phys. Rev.. 113, 127 {1959).
21. Kieinman D. A., Spitzer W. G., Plivs. Rev. 118. 110 (1960). 25. Philipp H, R., Ehiciifiiich H., Phys. Rev. Lett.. 8, 92
(1962),484
П. Серафин, X. Печнетт
26. P Ь і 1 і р р Н. R., E h г е n г е і с h H., Phys. Rev.. 129 1550 (1963).
27. E hr en г е і с h Н. Philipp И. R., P h і 1 І і р s J. C.. Phys. Rev. Lett., 8. 59 (1962).
28. Филипп X., Эрепрайх X., гл. 4 настоящей книги.
29. SpiLzer W. G. Gershenzon M.. Forsch С. J., Gibhs D. F.. Journ. Phys. Chem. Sol., 11, 339 (1959).
30. Fan H. Y,, Rept. Progr. Phys., 19, 107 (1956).
31. K Ie і nin а и U. A., Spitzer W- G.T Phys. Rev., 118, 110 (1960).
32. F о 1 Ь о г t h О. G., 0 s w а I d F., Zs. NaturforSRh., 9а, 1050 (1954).
33. W е 1 k е г Н. Joum. Electron., 1, 181 (1955).
34. О S w а 1 d F.. Schade R., Zs. Natnrforsch., 9а, 611 (1954).
35. Tauc J., Abraham А., в книге Proceedings of the International Conferonco on Semiconductors Physics (Prague, 1960), Now York, 1961, p. 375.
36. Morrison R. E., Phys. Rcv., 124, 1314 (1961).
37. Bennett H. E. Porteus J. 0., Journ. Opt. Soc. Am., 51, 123 (1961).
38. P о r I e u s J. 0., Joum. Opt. Soc. Am., 53. 1394 (1963).
39. Sturze M. D.. Phy.s. Rev., 127, 768 (1962).
40. Marple D.T.F., Journ. Appl. Phys., 35, 1241 (1964).
41. Moss T. S., Hawkins T.D.H., Infrared Phys., 1. Ul (1961).
42. H a m b] e t о n K. G., Hilsum C., IIolemin B. R.. Proc. Phys. Soc.. 77, 1147 (1961).
43. Z а і n і n g e г К. H., Revesz A. G., Journ. Phys. (France) 25, 208 (1964).
44. Barcus L. C.. Perlmutter A., Callawny J., Pliys. Rev., Ill, 167 (1958).
45. Hass M., Henvis B. W.. Journ. Phys. Chum. Sol., 23. 1099
(1962).
46. Picus G., BurstciD R.. II с n V і s В. W., II a s s M., Journ, Phys. Chem. Sol., 8, 282 (1959).
47. Piriou BsCabnnnos F., Oompt. Hmd., 255, 2932 (1962).
48. Fray S. J ., Johnson F. A., Q u a r r і n g t о n J. F., Williams N.. Proc. Phys. Soc., 77, 215 (1961).
49. S p і t z e r W. G., W h e 1 a n 1-М., Phys. Rev., 114, 59 (1959).
50. II о bd о n M, V-, S t u r g e M. 1)., Proc. Phys. Soc., 78. 615 (1961).
51. V I e 1 a n d L. J., Kiidman I., Journ. Phys. Chem. Sol., 24, 437
(1963).
52. BrannNiein R. Pankove J. I., Nelson H., Appl. Phys. Lell., 3, 31 (1963).
53. T u r n e r W- J., R e e s e W. E. Journ. Appl. Phys., 35 350 (1964), 54- H і 1 I D. R., Phys. Rev,, 133, A866 (1964).
55. Lncovsky G., Appl. Phys. Lett., 5, 37 (1964),
56. Kudmai I., Seidel T., Journ. Appl. Phys., 33, 771 (1962).
57. Lncovsky G. Vagra A. J. S e Ifcw а г z R. F., SoI- State Ct>mni., 3. 9 (1965).
58. Cardona M., в кпиге Proceedings of the International Conferonec on Sem Icon dnetors Physics (Prague, i960), New York, 1961. p. 388.
59. Oardona M.. Zs. Phys., 161, 99 (1960).
60. Lukes F., Schmidt E., в кііигс Proceedings of the International Conference ori Semiconductors Physics (Exeter, 1962), London, 1962 p. 389.
61. LnkeS F., Schmidt E., Phys. Lett., 2. 288 (1962),
62. Becker W. M., R a m d a s A. K. Fan II. Y., Journ. Ap,>l. Phys., 32, 2094 (1961).Гл. 11. Оптические параметры ряда соединенчй 479
63. Johnson Е. J., F і І і п з к і !.,Fan Н. Y., в книге Proceedings of the International Conference on Semiconductors Physics (Exeter 1962). London. 1962, p. 375.