Оптические свойства полупроводников - Уиллардон Р.
Скачать (прямая ссылка):
64. Roberts V., Quarrington J. E., Journ. Electron, 1 152 (1955).
65. Edwards D. F., Hayne G. S., Journ. Opt. Soc. Am. 49 414 (1959), ' '
<56. Cardona M.. Joum. Appl. Phys., 36. 2181 (1965).
67. Cardona M., Joum. Appl. Phys., 32, 958 (1961).
68. Newman R., Phys. Rev., Ill, 1518 (1958).
69. Reynolds W. N. Lilbirae M. T., Dell R. M., froc. Phys. Soc.. 71, 416 (1958).
70. Pettit G. D., Turn er W. J., Joum. Appl. Phyh-., 36, 2081 (1965).
71. Oswald F., Zs. Naturforsch., 9a, 181 (1954)-
72. И г о s t о w s k і Н. J.. T a n е n b a u m M., Physica 20 1065 (1954).
73. Oswald F., Zs. Naturforsch., 10а, 927 (1955).
74. Oswald F., Zs. Naturforsch., 14a, 374 (1959).
75. Stern F., Talloy R. M., Phys. Rev., 100, 1638 (1955).
76. S p і t z e r W- G., F a n II. Y., Phys. Rev., 106, 882 (1957).
77. Matossi F., Zs. Naturforsch., 13a, 767 (1958).
78. Dixon J. R., E 1 І і s J. M., Phys..Rev., 123, 15(50 (1961).
79. Dixon J. R-, в книге Proceedings of the IalemationaI Conference on Semiconductors Physics, Prague, 1961.
80. Lorimor 0. G., S p it z e r W. G., Journ. Appl. Phys., 36, 1841
(1965).
81. Курдианп H. И.. ФТТ, 5, 1797 (1963).
82. Donovan Т. M., Seraphiu В. 0., Journ. Electrochem. Hoc., 109, 877 (1962).
83. Tauo J., Antoncik E., Phys. Rev. Lett., 5. 253 (i960).
84. Card оті a M., IIarbeke G., Phys. Rev. Lett., 8 90 (1962).
85. M о s H T. S., Smith S. D. Hawkins T.D.F.. Proc. Phys. Soc., B70, 776 (1957).
86. Kumick S. W., Powell J. M., Phys. Rev., 116, 597 (1959).
87. GobeIi G. W., Fan H. Y., Phys. Hev., 119, (513 (I960).
88. Tanenbaum M., Briggs H. В., lJhys. Rov- 91, 1561 (1953).
89. Burstein F., Phys, Rev., 93, 632 (1954).
90. Hiostowsk; II. J., W he a t 1 у G. H., F 1 о о d W. F., Pbys. Rev., 95, 1683 (1954).
91. Avery D. G., G о о d w І n D. W., L a w s о n W- D., M о s s Т. S., Proc. Phys. Soe., 67В, 761 (1954).
1)2. В г е е k е n г і d g е R. G.. В ] и n t R. F., H о s I е г W-R--Fre-d о г і k s е Н. Р., В е с к с г J. II. Oshinsky W-, Physica, 20, 1073 (1954).
93. Breckenridge Н. G., В I u n t R. F., H о s I е г W. H., F г е -derikse Н.Р.Н., Becker J.II. Oshinsky W., Phvs. Rev., 96, 571 (1954).
94. Moss Т. S. Proc. Phys. Soc., 67В, 775 (1954).
95. Kaiser w'., Fan H. Y., Phys. Rev., 98, 966 (1955).
96. B l о и n t E., C a 1 I a wa у J., С о h e n M., D и m к e W,, P h і I -lips J., Phys. Rev., 101, 563 (1956).
98. Goodwin W., в книге Reports of the Meeting on Semiconductors (Rugby, 1956), London, 1956, p. 137.
99. Moss T. S., II a w k І n s Т., S m і t h S. D., в книге Reports of the Meeting on Semiconductors (Rugby, 1956), London, 1956, p. 133.
100. Bate G., Taylor K.N.R., Journ. Appl. Phys., 31, 991 (1960).
101. Kessler F. R., Sutter E., Zs- Naturforsch., 16a, 1173 (1961). Б. Серафин, X. Беннетт
102. Potter R. F., Kretschraar G. G., Joum. Opt. Soc. Am., 51, 693 (1961).
103. Moss Т. S.. Hawkins Т.D.H., Proc. Phys. Soc., 72, 270 (1958).
104. Курди an и H. И., ФТТ, 5. 2022 (1963).
105. Blakcmore J. S., Can_ Joum. Phvs., 35, 91 (19Г>7).
106. И в а к о в-0 м с к и и В. И., К о л о м и с ц Б. Т. ДАІІ. 127 135 (1959).
107. 11 в и о к-0 м с к и й И. И., Коломиє«, Б. Т.. ФТТ. 1. 568 (1959).
108. WooUcy J. С., Evans Ї. A., Gi Ilet С. M.. Proc. Phys. Soc., 74, 244 (1059).
109. Bloembergen N., Cliang К. К., D и с n і n g J., Lslio-т а п (1 Р., в книге Proceedings of the 7tli International Conference Physics of Semiconductors, Paris, 1964, p. 121.
110. Hrosiovsky H. J-, M or і n F. J.. Gebajlc Т. H., Whe-atley G. Tl.. Phys. Rev., 100, 1672 (1955).
111. YoshLnaga H., Oeijen R_ A. Phys. R«v. 101, 526 (1956).
112. F r :i у S. !,,Johnson F. A., Jones R. II. Proc. Phys. Soe., 76. 939 (1960).
113. J uhisoD F. Л., Fray S. J_, Jones R. H., в кпиге Proceedings of the lnloriiational ConFeronee on Semiconductors Physics (Prague, 1960) N,™ York, 1961, p. 349.
114. Sand iirsoii R. B., Journ. Phys. Chem. Sol., 26, 803 (1965).
115. YoshiDaga H., Phys. Rev-, 100, 753 (1955).
vi >'іли,ііпгши
Предисловие к русскому изданию....................5
Из предисловия редакторов американского издании ....... 9
i. оптичкские эффекты,
связанный с динамикой кристаллической решетки
Глава 1. 1'ешеточное отражение {Al. Хзсс) . . . ......... 13
§ 1. Введение (13). § 2. Экспериментальные методы (13). §3. Анализ результатов (14). § 4. Эисперммегггальные данные (18). § 5. Эффективный наряд ионов (23). Литература (26).
Глава 2. Многофопоаное решеточное поглощение (В. Cnumifep) . . 28
§ 1_ Введении (28). § 2. 1'огпеточноо поглощение п полупроводниках (29) _ § 3. Измерения и результаты (41). § 4. Апализ критических точек (74), Литература (78).
Глава 3. Исследование излучение кристаллической решетки {Д. Стар-
волт, P. IIоттер) ................... 80
§ 1. Введение (80). § 2. Экспериментальная техника (82). § 3. Результаты акепериминта (85). § 4. Анализ экспериментальных данных (93). § Г». Заключение (98). Литература (99).
