Полупроводники - Смит Р.
Скачать (прямая ссылка):
Арсен ид галлия 468-471
- - аморфный 536
- - константа вэанмодеЛствня а 284
- - лазеры 518
- - магннтосопротнвленне 454
- - светодиоды 404
- - экситоны 365, 404
- - электропоглощенне 398
- - эффекты сильного электрического поля 433-438
Барьер потенциальный 33, 242, 250, 253< 258, 265
- Шоттки 266. См. также Контакт металл - полупроводник Бнэкситон 492-493
Вакансия 65, 66, 86-92
- анионная 87
- двойная (днвакаисня) 92
- катионная 87 Валентность 31, 74, 78
- скомпенсированная 32, 71, 476 Вектор волновой 41, 44
- обратной решетки 414 Вмораживание дефектов 66 Внедрение ионное 92
Возбуждение тепловое 34-36, 54 Волны звуковые 272, 273
- плоские 41 Вращение фарадеево 340 Время жизни 224
- - в Ое 303, 304
- - в Те 303
- - измерения 460
- - неосновных носителей 2)0
- - в нитевидных образцах 320-324 •- релаксации 125, 126
"- - зависимость от энергии 145-149 ••• - легких дырок 282
- - не зависящее от энергии (27
объемного заряда 207, 210. 437, 489
- - тензор 149, 269
- - усредненное 142-144 Вымораживание носителей 455, 456
в InSb 456
Выпрямитель 21
- с гетеропереходом 266
- кремниевый 21, 246
- медноэакнсиый (купроксиый) 21
- с р - п-переходом 243, 259
- селеновый 21
Выпрямление 16, 21, 22, 43, 259, 266 Выращнванне кристаллов 459
Вырождение 101, 105, 106, 110, 197
- спиновое примесного уровня 102
Галенит 20, 22
Галлий - алюминий - мышьяк 518 Галогениды щелочных металлов 20. 71, 89
Германий, кремний 16, 18, 22, 23, 50. 53, 69, 461-465, 531 - 535
- - аморфные 526, 531-535
- - - изготовление 533
- - - коэффициент поглощения 534, 535
- р - п-переходы 533
- - - плотность состояний 533, 534
- - - поглощение собственное 534
- подвижность носителей 525, 526,
533
- - - уровень Ферми 532 - эффект поля 534
- - время жизни 311, 313, 314
- - капли электронно-дырочные 493-496
- - картина связей 76, 77
- - магннтосопротнвленне 165, 170, 454
- - массы эффективные 447, 462, 463
- - отщепление спин-орбитальное 335
переходы непрямые 358, 359
--------прямые 350, 351
- - поглощение в далекой ИК-области 336, 337
- - - в магнитном поле 447-450
- - - двухфотонное 362, 363 - решеточное 374-376
- - подвижность носителей 127, 434 --------- в сильном магнитном поле
428,
429
--------- прн высоком давлении 511
- - применение в технике 21-24
- - примесь водорода 86
- - примесь водородоподобная 84, 85
- - пробой лавинный 433
- - проницаемость диэлектрическая 84
- - расплав, свойства 465.
- - резонанс циклотронный 342, 445 ¦- - - электронно-спиновый 373
550
Предметный указатель
- - рекомбинация 313, 314
- - снльнолегнрованные 506
- - скорость дрейфовая (в сильном поле) 431. 438
- - - поверхностной рекомбинации 319
- - собственные, концентрация носителей 108. 112
- - - удельное сопротивление 464
- - спектр электроотраження 400
- - сплав 465
- - структура зонная 461, 462
- - - кристаллическая 75, 511
- --темп излучательной рекомбинации 303. 304
- - температура плавления 458
- - теплопроводность 180
- - уровни примесей 465
- - условия вырождении 1Ы
- - фононы 358
- - фотопроводимость внутрнзонная 391
- - ширина запрещенной зоны 76, 447
- - - - зависимость от температуры
463. 464
- - экситон 96, 97
- - - "непрямой" 367, 368
- - - "прямой" 351, 364, 365
- - - энергия связи 368, 494
- - эффект Бурштейна - Мосса 602
- - - увлечения 396
- - эффекты междолннного переброса электронов 438
Гетеропереход 263-266, 518 Границы зерен 70
Движение носителей (под действием внешних полей сил) 65-59 Детекторы ИК-
нзлучення 23, 378, 379, 391, 397, 456, 478, 481
- кристаллические 22 Дефекты 64-69, 91-92
- "вмороженные" 66
- Френкеля 66
- Шоттки 66
Диаграмма энергетическая 29, 43, 60, 80, 82, 204
- - гетероперехода 264, 265 -р - п-перехода 249
- - /1+ - л-перехода 236, 242
Днод Есаки (туннельный) 500, 503-506 Дислокации 67-71
- рассеяние 295, 296
- рекомбинация 315, 316
- стенки 69
Диффузия носителей 202, 203
- - в примесных материалах 210-215
- - в собственных материалах 225-229
- - в электрическом поле 212-215
- - - - общее решение 218-221
- облака носителей 220-222, 261, 262 Длина (радиус) Дебая 289, 290, 501
- диффузии 212, .228
- - амбнполярныЙ 228
- - по полю 219, 228
- - против поля 219, 228
- свободного пробега, средняя 124, 145- 147, 280, 488
Домены (сильное поле) 436, 437
- акустические 439 Донор 35, 79 - 81
- неноннзованныЙ, равновесная концентрация 116
Дрейф носителей заряда 123, 124
- облака неосновных носителей 220-222, 226, 261, 262
Дырки 34, 54, 55, 57, 73, 110
- время релак.сацин 282
- дрейфовая скорость в магнитном поле 136
- концентрация 35, 109-115
- легкие и тяжелые 50, 282. 369, 442
- связанные 81
- эффективная масса 55. 57 - 08
Емкость барьерного слоя 241 - диффузионная 248
Закон днсперснн для свободных электро* нов 41
- - для колебаний решетки 272, 273
- - для полярнтонов 497-499
- Кирхгофа (для излучения) 401, 402
- Ома (отклонения) 425, 428-438
- Планка (для излучения) 301 Заряд нона эффективный 275, 470, 499
