Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Смит Р. -> "Полупроводники "

Полупроводники - Смит Р.

Полупроводники

Автор: Смит Р.
Издательство: М.: Мир
Год издания: 1982
Страницы: 560
Читать: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219
Скачать: poluprovodniki1982.pdf

SEMICONDUCTORS
R. A. Smith
CBE, FRS, FRSE
Principal Emeritus and Honorary Professor Heriot-Watt University,
Edinburgh
Second Edition
CAMBRIDGE UNIVERSITY PRESS CAMBRIDGE LONDON -NEW YORK- MELBOURNE
R Смит
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Второе издание, переработанное и дополненное
Перевод с английского под редакцией д-ра физ. -мат. наук И. А. Пекина
МОСКВА "МИР* 1982
ББК 22.379 С 50
УДК 539.2+537.33
Смит Р.
С50 Полупроводники: Пер.с англ.-М.: Мир, 1982.-560 с., ил.
Учебное пособие известного английского фнзнка Р. Смпта, представляющее
собой второе, переработанное и дополненное издание курса физики
полупроводников (М.: ИЛ* 1962). С большим педагогическим мастерством и на
высоком научном уров* не излагаются основы современной теории
электрических, гальвакомагнитных, тепловых, оптических и контактных
явлений в полупроводниках.
Для аспирантов и студентов университетов и технических вузов, а также для
ученых и инженеров, занимающихся исследованием полупроводников и
разработкой полупроводниковых приборов.
20403-064 С 041(01)-82
064-82, ч. I 1704060000
ББК 22.379 С 50
Редакция литературы по физике
(c) Cambridge University Press, 1959, 1978 (c) Перевод на русский язык,
"Мир", 1982
ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА ПЕРЕВОДА
Книга известного английского физика Р. Смита "Полупроводники", впервые
изданная в русском переводе в 1962 г., приобрела в СССР широкую
известность и долгое время была одним из лучших пособий по физике
полупроводников. Сейчас она стала библиографической редкостью. В Англии
книга выдержала четыре стереотипных издания. В 1978 г. вышло новое
английское издание, которое выгодно отличается от прежнего. Книга
подверглась существенной переработке. В ней были учтены современные
достижения физики полупро водников.
При подготовке этого издания из книги были исключены две главы,
посвященные применению полупроводников и методам измерения их параметров,
поскольку по этим вопросам к тому времени уже были выпущены отдельные
книги. Существенно сокращены и переработаны главы, в которых описываются
свойства различных полупроводников: вместо двух глав этому вопросу в
новом издании посвящена одна - гл. 13. В ней приведены самые общие
сведения о наиболее изученных полупроводниках, в частности данные о
структуре энергетических зон,, об эффективных массах носителей заряда и
их подвижностях.
Добавлены три новые главы: глава, в которой дан краткий обзор
теоретических методов, используемых в зонной теории твердых тел (гл. 11),
глава об аморфных полупроводниках (гл. 15) и глава, посвященная обзору
новых явлений, открытых и изученных после выхода первого английского
издания книги (гл. 14). В последней обсуждаются: явление конденсации
экситонов и образования электронно-дырочных капель в полупроводниках,
туннельный и лазерный эффекты в р - я-переходах, лазерный эффект, в
основе которого лежит рассеяние излучения с переворотом спина электронов
в полупроводниках в магнитном поле.
В гл. 12 приведены сведения о влиянии сильных электрических и магнитных
полей на процессы переноса носителей заряда и оптические свойства
полупроводников.
Глава, посвященная оптическим и высокочастотным явлениям в
полупроводниках (гл. 10), подверглась наибольшей переделке.
б
Предисловие редактора перевода
В нее включены новые сведения о таких явлениях, как двухфотонное,
экситонное и решеточное поглощение, эффект увлечения носителей заряда
фотонами, внутризонная фотопроводимость (р-фото-проводимость), эффекты
электропоглощения и электроотражения.
Разделы книги, посвященные процессам рассеяния и рекомбинации носителей
заряда, в новом издании выделены в самостоятельные главы (соответственно
гл. 8 и 9). Это отвечает тому значению, которое имеют процессы рассеяния
и рекомбинации в физике полупроводников.
Основная часть текста книги существенным изменениям не подверглась. Это
относится к таким наиболее устоявшимся разделам физики полупроводников,
как представления об энергетических зонах и локальных уровнях в
полупроводниках (гл. 1-3), статистика электронов и дырок (гл. 4), явления
электронного переноса (гл. 5), тепловые явления (гл. 6), диффузия
носителей заряда (гл. 7), процессы рассеяния и рекомбинации. Контактные
явления рассматриваются в гл. 7. Всего в книге 15 глав. Объем ее
несколько увеличен по сравнению с первым английским изданием.
Уровень изложения материала в книге остался прежним. Он довольно близок к
уровню изложения физики полупроводников в высших учебных заведениях нашей
страны.
Книга снабжена большим числом ссылок на оригинальные работы, что помогает
в значительной мере восполнить краткость изложения, в особенности - новых
вопросов физики полупроводников. Автор довольно часто дает ссылки на
собственную книгу "Волновая механика кристаллических тел" *К Это
облегчило ему изложение материала в книге "Полупроводники". Поскольку,
однако, "Волновая механика кристаллических тел" не переведена на русский
язык, то следовать этим ссылкам затруднительно. Конечно, можно обратиться
< 1 > 2 3 4 5 6 7 .. 219 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed