Полупроводники - Смит Р.
Скачать (прямая ссылка):
- объемный 207
- - время релаксации 207, 499
- - нестабильность 437 Заселенность инверсная 513, 515 Зона 27. 42. 44.
45
- Бриллюэна 44, 45, 48 - 50, 53, 484
- валентная 34, 47, 50
- заполненная 30, 32, 33, 45, 60
- запрещенная 27, 31, 32, 47
- - зависимость от давления 509, 510
- - - от состава 470, 478 - 480
- - - от температуры 463, 464, 468, 472, 473. 481
- - измерения 107, 447, 448, 460
- - "оптическая" 538, 539
- - подвижностей 528-530, 533
- примесная 171 - 173
- проводимости 34, 47
Зоны вырожденные 50 - 53, 282, 335
- - внутрнэонные переходы 335
- - в сильных магнитных полях 441,
442
- - поглощение свободными носителями
335
- - рассеяние носителей 282
- - эффективные массы 53
- гофрированные 170
- незаполненные 30
- "сферические" 47
- форма 45-54
- - расчет 413-417
- "хвосты" 528-530, 537, 540
- "эллипсоидальные" 48, 49
Излучение 302, 304, 401, 402
- быстрых электронов 431, 432
- вынужденное 512, 513
- изоэлектронного центра 405
- колебаниями решетки 406
- рекомбинационное 302-304, 402, 403
- свободных носителей 405, 406
- спонтанное 512, 513
- экситонов 403-405
Имплантация ионная см. Внедрение ионное Импульс фонона 278
- фотона 345
Инжекция носителей 37, 215, 219, 220, 233, 244, 260
- - оптическая 206
Ионизация ударная 245, 423, 424, 433 Истощение примесное 111
КадмнЙ - ртуть - теллур (КРТ) 478, 479, 522
Капли электронно-дырочные 493-496 Карбид кремния 485
Предметный указатель
551
Квазннмпульс 42, 44, 56 Квазнуровень Ферми 208, 209. 514 Квантование в
магнитном поле 342, 343, 420, 421. 439-455 Колебания нулевые 271
- - рассеяние 278, 279
- решетки 269-275, 531, 540
- - излучение 406
- - квантовая теория 271
- - комбинационное рассеяние 522
- - обмен энергией с электронами 424 - 430
- - поглощение 373-377
- - уровни энергии 271 Компенсация валентностей 32. 71, 476
- примесей 113, 114, 117-119, 171 - 173
- - коэффициент 171 Конденсации экситоиов 493-496 Константа
взаимодействия (оптические колебания) 284, 496
Константы оптические 326-329 Контакт инжектирующий 244, 259, 264
- коллекторный 245
- металл - окисел - полупроводник (МОП) 259
- металл - полупроводник 256-261
- неннжектнрующнй 250, 259
- омический 229, 259
Концентрация носителей 34, 37, ЗЯ, 99-121
- - в примесных полупроводниках 109- 121
- - измерения 133
- - прн низких температурах 118-120
- - собственная 102-109 Коэффициент диффузии 202. 204. 324
- - амбиполярной 226, 227, 387, 393
- инжекцни 212> 244, 259, 260, 264
- Нернста 194, 197
- отражения 327, 400
- - изменение в электрическом поле 397, 400
- поглощения 327, 397, 513, 534, 535
- Риги - Ледюка 196, 198
- Томсона 181
- Холла 133, 149-156
- - измерения 132
- - ыногодолннные полупроводники 154, 156
- - примесные полупроводники 133, 150
- - сильное поле 141, 151
- - смешанная проводимость 136, 140, 151-153
- Эттингсгаузена 192, 197 Кремний см. Германий и кремний Кристалл ионный
71-73
Лазер 24, 263, 466, 471, 511-522
- материалы 517, 518
- на перевороте спина 518-522
- резонатор 515, 516
Лестница Ландау 441-443, 449, 450 Ловушки 227, 307-314
- влияние на фотопроводимость 382-386
- в процессе рекомбинации 300, 307-314" 318, 319
----------в Ge 311
- поверхностные 256, 318, 319
Магнетон Бора 372
Магннтосопротнвленне 141, 142, 156-170
- в сильных магнитных нолях 452, 454
- коэффициент 142, 157
- отрицательное 452. 454
- поверхности постоянной энергии сферические 156-161
- - - - эллипсоидальные 161 - 170 Максимумы и минимумы энергетических
зон 46
- - эквивалентные 48, 49, 107, 153 Масса эффективная "дрейфовая" 139, 1)5
- - плотности состояний 1С8 Материалы полупроводниковые 458 - 460,
489, 535-537
- - для изготовления лазеров 517, 518
- - изготовление 459
- - измерения 460. Сл#. также Полупроводники и Соединения
Матрица плотности 453 Метод КельЬина 254
- к р 416. 417
- Л КАО 414
- Стокбаргсра 459
- Чохральст го 459
- эффективной массы 418-420
- ячеек 413
Методы плоских волн 414-415 Минимум вышерасположенный 424, 434, 469
в Ge 438
Модель Блоха 26, 27
- Зоммерфельда 26, 27 Молекула экснтонная 492, 493
Напряжение Зинера 245 Непараболнчиость 416, 417, 447 Несовершенства (в
кристалле) 64-71 Носители заряда неосновные 38, 112, 210
- - - время жизни 210
- - длина диффузионная 212, 219, 22 i
- - основные 38, 112
Обмен энергиями между электронами и решеткой 123. 278, 424-430 Окислы
металлов 481-484 Олово серое 466-468 Орбита боропская 85 Отжиг 66, 92,
536
Пакет волновой 42
Пары электронно-дырочные 34, 73, 76, 215, 377
- - генерация 301-304, 377, 513
- - рекомбинация 209 Переход Мотта 454. 483, 494
- полупроводниковый, р - п 233 - 211. 251, 503-506
- - - вольтамперная характеристика 217
- - - емкость барьерного слоя 241
- - - - диффузионная 248
- - - коэффициент инжекцни 244
- - - объемный заряд 237-240
- - - проводимость дифференциальная
247
- - - свойства на высоких частотах 247,
248
- - - тонкий 240, 241
- - - широкий 241
- - - электростатический потенциал 236, 237
