Полупроводники - Смит Р.
Скачать (прямая ссылка):
- Бурштейна - Мосса 502, 514
- Ганна 436, 438
- Дембера 392
- Зеемана 450
- Нернста 188, 194, 197
- поля 255,- 256, 319, 530
- Риги - Ледюка 188, 196. 198
- фотогальваиический 17, 378, 396
- - поперечный (эффект Дембера) 392
- фотоэлектромагнитный 392
- - использование для измерения скорости поверхностной рекомбинации 395
- Франца - Келдыша 397, 400
- Холла 17. 18, 131
- - адиабатический 187
- - в аморфных полупроводниках 530
- - в очень сильных полях 141, 156, 454
- - изотермический 188
- Эттингсгаузена 187, 192, 197 Эффекты высокочастотные 335, 337. 338
- при высоком давлении 508 - 311
Ячейка элементарная 4t, 44, 463 - - Вигнера - Зейтца 413
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие редактора перевода 5
Предисловие 8
Из предисловия автора к первому изданию 11
I. ПРОСТЕЙШИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ 15
1.1. Ранние исследования, посвященные полупроводникам 15
1.2. Применение полупроводников 21
1.3. Элементарная теория пат у проводин ков 24
1.4. Способы управления концентрацией носителей 37
Литература 39
2. УРОВНИ ЭНЕРГИИ В КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ 40
2.1. Волновая механика свободных электронов 40
2.2. Движение в пространстве с периодическим потенциалом 41
2.3. Форма энергетических зон 45
2.4. Положительные дырки 54
2.5. Движение электронов н дырок в кристалле под действием внешних
силовых полей 55
2.G. Схема энергетических уровней 59
2.7. Влияние нарушений периодичности кристаллической решетки на движение
электронов и дырок в кристалле 62
Литература 63
3. ПРИМЕСИ И НЕСОВЕРШЕНСТВА В КРИСТАЛЛАХ 64
3.1. Типы несовершенств решетки g4
3.2. Химическая связь в полупроводниках 71
3.3. Другое определение полупроводников 7д
3.4. Примеси замещения в полупроводниках 79
3.5. Экситоны с 2
Литература 97
4. РАВНОВЕСНЫЕ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА 99
4.1. Распределение электронов по энергетическим уровням 99
4.2. Собственные полупроводники 102
4.3. Примесные полупроводники 10д
Литература pi
556
Оглавление
5. ЯВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО ПЕРЕНОСА 122
5.1. Рассеяние электронов на дефектах в кристалле. Время релаксации 122
5.2. Время релаксации, не зависящее от энергии 127
5.3. Время релаксации, зависящее от энергии 142
5.4. Электропроводность при очень низких температурах 171
Литература 173
6. ЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕПЛОВЫЕ ЯВЛЕНИЯ 175
6.1. Теплопроводность 175
6.2. Термоэлектродвижущая сила 180
6.3. Термомагнитные явления 187
6.4. Термомагнитные явления в условиях сильного вырождения 197
6.5. Случай сильных магнитных полей 198
6.6. Относительные величины гальваномагннтных и термомагнитных эффектов
199
Литература 200
7. ДИФФУЗИЯ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК 202
7.1. Неоднородные полупроводники 202
7.2. Соотношение Эйнштейна 203
7.3. Отклонения от теплового равновесия 206
7.4. Электронно-дырочная рекомбинация 209
7.5. Диффузия и проводимость в примесных полупроводниках (гф>р или р^>л)
210
7.6. Дрейф облака неосновных носителей заряда в электрическом поле 221
7.7. Полупроводники с проводимостью, близкой к собственной 222
7.8. Сопоставление различных контактных явлений 232
7.9. р-л-переход 233
7.10. л+-л- и р+-р-переходы 249
7.11. Поверхностные свойства полупроводников 251
7.12. Контакты металл-полупроводник 256
7.13. Дрейфовая подвижность электронов и дырок 261
7.14. Гетеропереходы 263
Литература 266
8. РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК 268
8.1. Изменение состояния 268
8.2. Механизмы рассеяния 268
8.3. Рассеяние на колебаниях атомов решетки 269
8.4. Фононы 275
8.5. Рассеяние на колебаниях решетки 279
8.6. Рассеяние на оптических колебаниях в полярных кристаллах 284
8.7. Междолинное рассеяние 285
8.8. Межэлектронное рассеяние 286
8.9. рассеяние на ионизованных примесях 287
8.10. Рассеяние на нейтральных примесях 291
8.11. Рассеяние на дислокациях 295
8.12. Вклад различных видов рассеяния в величину подвижности 296
Литература 297
9. РЕКОМБИНАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК 299
9.1. Механизмы рекомбинации 299
9.2. Излучательная рекомбинация 301
9.3. Рекомбинация Оже 304
Оглавление
557
9.4. Рекомбинация через ловушкн 307
9.5. Рекомбинация через экситоны 314
9.5. Рекомбинация на дислокациях 315
9.7. Рекомбинация через доноры нлн акцепторы при низких температурах 316
9.8. Поверхностная рекомбинация 317
9.9. Среднее время жизни в нитевидных образцах и тонких полосках
320
Литература 324
10. ОПТИЧЕСКИЕ И ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ 326
10.1. Оптические характеристики полупроводников 326
10.2. Поглощение свободными носителями заряда 329
10.3. Плазменный резонанс 337
10.4. Высокочастотные эффекты в магнитном поле 338
10.5. Собственное поглощение 344
10.6. Экснтонное поглощение 363
10.7. Примесное поглощение 369
10.8. Решеточное поглощение 373
10.9. Фотопроводимость 377
10.10. Диффузионная фото-э.д.с. 392
10.11. Фотоэлектромагннтный эффект 392
10.12. Увлечение свободных носителей заряда фотонами 396
10.13. Электропоглощенне н электроотраженне 397
10.14. Излучение полупроводников 401
Литература 406
11. ЗОННАЯ СТРУКТУРА И МЕТОД ЭФФЕКТИВНОЙ МАССЫ 411
11.1. Концепция эффективной массы 411
