Полупроводники - Смит Р.
Скачать (прямая ссылка):
- - - энергетическая схема 236
- - р+ -л. /1+ -р 240, 244
- - р+ -р, л+ -п 249, 251
Переходы фазовые 511
- энергетические непрямые 345, 352-360
- - прямые 345-350
- - - запрещенные 348, 366
- - - разрешенные 346, 348, 349, 366
- фазовые 511 Плазмой 500
552
Предметный указатель
Плотность состояний 102, 103, 143, 347, 355. 442-444
- - в сильном магнитном поле 442-444 Поверхности постоянной энергии 48-51
Повреждения радиационные 92 Поглощение излучения в далекой ИК-об-
ласти 336, 337, 378, 445. 450, 456
- - - - вклад в проводимость 337
- - - - фотопроводимость 378, 450, 456
- - - - циклотронный резонанс 445
- - в магнитном поле 446-450
- - двухфотонное 361-363
- - непрямые переходы 345, 352-360
- - прнмёсямн 369-373
- - прямые переходы 345-350
- - решеточное 373-377
- - свободными носителями 329-335
- - собственное 326, 334-363
- край 326, 328. 329, 348, 357, 530,
538, 539
- - экснтонамн 95, 363-369
*- остаточных лучей 174, 374, 498, 540
tit V
_ _ _ в полупроводниках А* '?'3 39 Подвижность 18, 36, 134
- амбиполярная 222, 262
- дрейфовая 134, 204, 261-263, 530
- измерения 261-263, 460, 530
- холловская 134, 530
- щель 529, 530, 533 Показатель поглощения 327
- преломления 326 Полуметаллы 53, 466, 478 Полупроводник, определение 15,
17, 18, 78,
79, 527
Полупроводники Ер ^ 78, 472-475
- А В' 77, 91, 468-471
- - запрещенная зона 469
- - заряд ионный 470
- - массы эффективные 469
- - поглощение остаточных лучей 374, 406
- - примеси 91, 471
- - сдвиг зоны в магнитном поле 333, 334
- - структура кристаллическая 77
- - эффекты переброса электронов 434- 438. Cjw. также Арсеннд галлня,
Арсенид нндня н Фосфид галлня
- аморфные 525-542
- - зоны 528, 529
- - оптическое поглощение 534, 535, 537-539
- - плотность состояний 533
- - энергия активации 529, 530
- "дефектные" и "избыточные" (р- в п-тнпа) 19, 36
¦- магнитные 486, 487
- неоднородные 202, 203
- оксидные 481-484, 488
- органические 487
- примесные 109-121
- сверхпроводящие 485, 486
- сильнолегнрованные 500-508
- с низкой подвижностью 488, 525
- собственные 17, 36, 222-229
- стеклообразные 536-541
- тугоплавкие 484, 485
- узкозонные 478-481
- элементарные 461-468 Поляритон 496-500 Полярон 496-500 Потенциал
деформации 280-282
- периодический 26. 41. 4.13
- поверхностный 253, 255, 257
- термодинамический 101, 202 Правила отбора для переходов в магнитном
поле 442, 444, 446, 449. 450
- - по спину 446, 449
Правило Урбаха 535, 538 Предел квантовый 452, 453 Применения
полупроводников 21-24, 439, 458. 459
- - в СВЧ-техннке 22, 23, 436, 438
- - детекторы ИК-нзлучення 23, 379, 478
- - лазеры 24, 477, 517, 518 Прнмесн 35-39, 64, 65, 79-91
- акцепторные н донорные 36. 80, 82, 115 -
•- внедрения 64, 65
- водородоподобные 83-85, 501
- возбужденные состояния 85. 369, 370
/ / / v
- в полупроводниках Ал 11 В' 91, 471
- - - IV группы 79-86, 465
- - - полярных 87-91
- "глубокие" 86, 420
- замещения 64, 65. 79-83
- зонная схема 80, 82
- ионизация 80, 115-121
- картина связей 80, 82
- поглощение 369-372
- уровни энергии 83-86, 420, 465 Принцип неопределенности 488
- Паули 30, 100, 101 Пробой лавинный 245, 256, 433
- - напряженность поля 433, 434 Проводимость см. Электропроводность
Проницаемость диэлектрическая 83, 327, 331
- - комплексная 327, 334 Пьезоотраженне 401
Работа выхода 256 Равновесие тепловое 99-102
- - отклонения 206-209
- - число дефектов 66, 67 Радиус боровский 85
- ионный 72, 73
- экранирования Дебая 289, 290, 501 Распределение Максвелла 427
- - "смещенное" 432, 433, 437, 438
- Ферми - Дирака 99-102 Рассеяние комбинационное 500, 518
- рэлеевское 495
Рассеяние носителей заряда 268, 269, 424- 427
- - - в электрическом поле 427-430
- - - вклады в подвижность 296, 297
- - - изменение импульса 278
- - - изменение энергии 278, 424, 425
- - - междолкнное 285, 286
- - - на акустических колебаниях 279- 282
- - - на дислокациях 295, 296
- - - на ионизованной Прнмесн 287-291'
- - - на нейтральной прнмесн 291-295
- - - на оптических колебаниях 284, 285
- - - электрон-электронное 286, 287 Расщепление уровней спиновое 445, 446
- - спцн-орбитальное 52, 53, 307
- - - в Ge н Si 53, 335 Резонанс плазменный 337, 338, 507 ¦- циклотронный
59, 339, 343, 442
- - в ИК*областн 444, 445
*- - взаимодействие с оптическими фоио* нами 500
¦- электронно-спиновый 372, 373, 443, 446 Резонатор оптический 515, 516
Рекомбинация 209, 210
- излучательная 301-304 в Ge 303, 304
- - в Те 303
- механизмы 299-301, 312-314
- на дислокациях 315, 316
Предметный указатель
553
- Оже .' 04-307
- поверхностная 256, 317, 386
- - измерения 395
- - скорость 318
•- через доноры и акцепторы 316, 317
- через ловушки 307-314
- через экситоны 314. 315
Решетка кристаллическая идеальная 26, 40,
64. 209, 270
- типа алмаза 75
Ртуть - кадмий - теллур см, Кадмий - ртугь - теллур
Светодиоды 24, 405, 517
Свинец - олово - теллур (СОТ) 479, 480,
4Ы. 318
Связи "болтающиеся" 528, 532, 537 Связь гомеополярная 74-76
