Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Смит Р. -> "Полупроводники " -> 212

Полупроводники - Смит Р.

Смит Р. Полупроводники — М.: Мир, 1982. — 560 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki1982.pdf
Предыдущая << 1 .. 206 207 208 209 210 211 < 212 > 213 214 215 216 217 218 .. 219 >> Следующая

Defects in Semiconductors, ed. Huntley F. A., Inst, of Phys. Series,
1974;4Joint Defects in Solids, eds. Crawford J. H., Slifkin L. М.,
Plenum,Press, 1975; Stoneham A. М., Theory of Defects in Solids,
Clarendon Press, 1975. (Имеется перевод: Стоунхэм
А. М. Теория дефектов в твердых телах.-М.: Мир, 1978.)
5. Ионная имплантация и радиационные повреждения
Mayer J. IF., Eriksson L., Davies J. A., Ion Implantation in
Semiconductors, Academic Press, 1970; Radiation Effects in
Semiconductors, ed. Corbett J. W., Watkins G. D., Gordon and Breach,
1971; Dearnaley G. et al.. Ion Implantation, North Holland, 1973; Carter
G., Grant IF. A., Ion Implantation in Semiconductors, Edward Arnold,
1976.
в. Распределение электронов no энергетическим уровням
Blakemore J. S.. Semiconductor Statistics, Pergamon Press, 1962. (Имеется
перевод: Блекмор Дж. Статистика электронов и дырок в полупроводниках.-
М.: Мир, 1964.)
7. Характеристики явлений переноса
Electronic Structure in Solids, ed. Haidemenakis E. D., Plenum Press,
1969; Сборник трудов 1 и И совещаний по термоэлектричеству / Под ред.
Кутасова
В. А.- М.-Л., 1963; Many A., Goldstein У., Grover N. В., Semiconductor
Surfaces, North Holland, 1965; Frankl D. R., Electronic Properties of
Semiconductor Surfaces, Pergamon Press, 1967; Metal - Semiconductor
Contacts, ed. Pepper М., Inst, of Phys. Conf. Series, 1974; Physics of
Solids in High Magnetic Fields, ed. Haidemenakis E. D., Plenum Press,
1969; Бонч-Бруевич В. Л. Вопросы электронной теории сильиолегированных
полупроводников, в сб. Физика твердого тела.- М.: Наука, 1965, стр. 129-
236; Фистуль В. И. Сильнолегнрованные полупроводники.- М.: Наука, 1967;
Tunneling Phenomena in Solids, ed. Burstein E., Lundquist S., Plenum
Press, 1969. (Имеется перевод: Туннельные явления в твердых телах/Под
ред. Бурштейна Э., Лундквнста С.- М.: Мир, 1973; см. также приложения к
Solid State Physics (§ I).
8. Оптические свойства
Houghton J., Smith S. D., Infra-red Physics, Oxford University Press,
1966; Greenaway D. L., Harbeke G., Optical Properties and Band Structure
of Semiconductors, Pergamon Press, 1968; Optical Properties of Solids,
ed. Haidemenakis E. D., Gordon and Breach, 1970; Pankove J. /., Optical
Processes in Semiconductors, Dover Publ., 1975 (Имеется перевод: Панков
Ж. Оптические процессы в полупроводниках.- М.: Мир, 1973.)
Optical Properties of Solids, ed. Abeles. F. North Holland, 1972; /Moss
T. S., Burrell G. J., Ellis B.. Semiconductor Opto-electronics,
Butterworths, 1973; Optical Properties of Solids - New Developments, ed.
Seraphin В. O., North Holland, 1976.
9. Структура энергетических зон
Pincherle L.. Electronic Energy Bands in Solids, Macdonald, 1971;
Phillips J. C., Bonds and Bauds in Semiconductors, Academic Press, 1973;
см. также Slater J. C. <§ 2).
546
Литература
10. Приготовление материалов
Brooks М. S., Kennedy J. К-. Ultra-Purification of Semiconductors,
Macmillan, 1962; The Art and Science of Growing Crystals, ed. Gilman J.
J., Wiley, 1963; Crystal Growth, ed. Bardsley W., Heurle D. J. Т.,
Miillin J. B., North Holland, 1973-; Electronic Materials, ed. Hannay N.
B., Colombo U., Plenum Press, 1973; Kane P. ?., Larrabee G. B.,
Characterization of Semiconducting Materials, McGraw-Hill, 1975; Runyan
IF. R., Semiconductor Measurement and Instrumentation, McGraw-Hill, 1975.
II. Свойства материалов
Materials used in Semiconductor Devices, ed. Hogarth C. A., Wiley
Interscience, 1965; II-VI Semiconducting Compounds, ed. Thomas D. G.,
Benjamin, 1967; Semiconductors and Semimetals (§ 1); Handbook of
Electronic Materials, v. 2-7, 1F1 Plenum, 1971-1972; Electronic Materials
(§ 10); Physics of Semimetals and Nnrrow-Gap Semiconductors, eds. Carter
D. L., Bates R. Т., Pergamon Press, 1971; ШмарцевЮ. В., Валов Ю. А.,
Борщевский А. С. Жаростойкие алмазоподобные полупроводннкн/Под ред.
Горюновой Н. А,, Наследова Д. А.- М.: Металлургия, 1964; Gutman F., Lyons
L. ?., Organic Semiconductors, Wiley, 1967.
12. Специальные вопросы
Polarons and Excitons, eds. Kuper C. G., Whitfield G. D., Oliver and
Boyd, 1962; Polarons in Ionic Crystals and Polar Semiconductors, ed.
Devreese J. T.', North Holland, 1972; Polaritons, eds. Burstein E., de
Martini F., Pergamon Press, 1974; The Physics and Technology of
Semiconductor Light Emitters and Detectors, ed. Frova A., North Holland,
1973; Sargent М., Scully М. O., Lamb IF. ?., Laser Physics, Addison-
Wesley, 1974; Laser Applications to Optics and Spectroscopy, eds. Jacobs
S. F. et aL, Addison-Wesley, 1975; Very High Resolution Spectroscopy, ed.
Smith R. A., Academic Press, 1976; Solids Under Pressure, eds. Paul W.,
War-shauer D. М., McGraw-Hill, 1963.
13. Аморфные полупроводники и полупроводники с низкой подвижностью
носителей заряда
Губанов А. И., Квантово-электронная теория аморфных полупроводников.- М.-
Л.; Изд-во АН СССР (Ленинградское отделение), 1963; Adler ?>., Amorphous
Предыдущая << 1 .. 206 207 208 209 210 211 < 212 > 213 214 215 216 217 218 .. 219 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed