Физика полупроводников - Лазарь С.С.
Скачать (прямая ссылка):
направлении. Как видно из рисунка, этого напряжения недостаточно,
чтобы создать инверсную заселенность.
На таком переходе инверсная заселенность может быть создана
только при напряжении, полностью снимающем потенциальный
барьер, однако создать такие условия весьма трудно, так как ток
через р-п переход при этом будет очень велик.
На рис. 9.6, б и г представлены аналогичные схемы для
вырожденного р-п перехода. Как видно из рисунка, в этом случае для
создания инверсной заселенности достаточно сравнительно
небольшого напряжения.
Нетрудно убедиться, что для такой благоприятной ситуации
достаточно, чтобы носители находились в вырожденном состоянии
хотя бы по одну сторону от р-п перехода.
На этом мы заканчиваем весьма краткое описание принципа
действия полупроводниковых лазеров. Теория лазеров довольно
подробно изложена в книге Г. Е. Пикуса[31 ].
ЛИТЕРАТУРА
1. И о ф ф е А. Ф. Физика полупроводников. Изд-во АН СССР, 1957.
2. "Полупроводники в науке и технике". Сборник статей под ред.
академика А. Ф. Иоффе. Изд-во АН СССР, 1956-1957.
3. Соминский М. С. Полупроводники. Физматгиз, 1961.
4. Ф е д о т о в Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. Изд-
во "Советское радио", 1963.
5. Де Бройль Л. Революция в физике. Изд-во "Наука", 1965.
6. Компанеец А. С. Теоретическая физика. Гостехиздат, 1955.
7. Ландау Л. Д. и Лившиц Е. М. Квантовая механика.
Часть I. Нерелятивистская теория. Физматгиз, 1963; Статистическая
физика. Изд-во "Наука", 1964.
8. Ж Д а н о в Г. С. Физика твердого тела. Изд-во МГУ, 1961.
9. А н с е л ь м А. И. Введение в теорию полупроводников. Физматгиз,
1962.
10. К и т т е л ь Ч. Введение в физику твердого тела. Физматгиз, 1963.
11. Зейтц Ф. Современная теория твердого тела. Гостехиздат, 1949.
12. 3 а й м а и Д ж. Электроны и фононы. Изд-во иностранной литературы,
1962.
13. Ш о к л и В. Теория электронных полупроводников. Изд-во
иностранной литературы, 1953.
1,14. С м и т Р. Полупроводники. Изд-во иностранной литературы,
1962.
15. Б о л т а к с Б. И. Диффузия в полупроводниках. Физматгиз, 1961.
16. Цидильковский И. М. Термомагнитные явления в полу-
проводниках. Физматгиз, 1960.
17. РЫБКИН С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.
Физматгиз, 1963.
18. Б ь ю б Р. Фотопроводимость твердых тел. Изд-во иностранной
литературы, 1962.
19. М о с с Т. С. Оптические свойства полупроводников. Изд-во
иностранной литературы, 1964.
20. Т а у ц Я. Фото-и термоэлектрические явления в полупроводниках.
Изд-во иностранной литературы, 1962.
441
21. Д р а б л Дж. н Голдсмит Г. Теплопроводность полупроводников.
Изд-во иностранной литературы, 1963.
22. М о т т и Герни. Электронные процессы в ионных кристаллах.
Изд-во иностранной литературы, 1940.
23. П а у л и н г Л. Природа химической связи. Госхимиздат, 1947.
24. Физика твердого тела. АН СССР, Ин-т научной информации,
1965.
25. Л е н д ь е л Б. Лазеры. Изд-во "Мир", 1964.
26. Ж У з е В. П., Гусенкова Е. И. Библиография по термо-
электричеству. Изд-во АН СССР, 1963.
27. Поверхностные свойства полупроводников. Под ред. А. Н. Фрум- кина,
А. В. Ржанова и P. X. Бурштейн. Изд-во АН СССР, 1962.
28. Полупроводниковые электронные приборы. Сб. переводов под ред. А.
В. Ржанова. Изд-во иностранной литературы, 1953.
29. Богомолов В. Н. Устройства с датчиками Холла и датчиками
магнетосопротивления. Госэнергоиздат, 1961.
30. С а 1 1 a w а у Y. Phys. Rev., 1959, v. 133, p. 1046.
31. П и к у e Г. Е. Основы теории полупроводниковых приборов. Изд-во
"Наука", 1966.
32. Вавилов В. С. Действие излучения на полупроводники. Физматгиз,
1963.
33. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. Изд-во "Мир", 1966.
34. Р а в и ч Ю. И. Фотомагнитный эффект в полупроводниках и его
применение. Изд-во "Советское радио", 1967.
v435. 3 а й м а н Дж. Принципы теории твердого тела. Изд-во "Мир",
1966.
36. Киттель. Элементарная физика твердого тела. Изд-во "Наука",
1965.
37. Губанов А. И. Теория выпрямляющего действия полупроводников.
Гостехиздат, 1956.
38. Томсон, Уэрт. Физика твердого тела. Изд-во "Мир", 1966.
39. Адирович Э. И. Некоторые вопросы теории люминесценции
кристаллов. Гостехиздат, 1956.
40. Петровский И. И. Электронная теория полупроводников, г. Минск.
Изд-во "Высшая школа", 1964.
41. Ван дер Зил. Флюктуационные явления в полупроводниках. Изд-во
иностранной литературы, 1961.
42. Епифанов Г. И. Физика твердого тела. Изд-во "Высшая школа",
1964.
43. S penke Е. Elecktronische Halbleiter. Berlin. Springer-Verlag, 1956
44. Блекмор Дж. Статистика электронов в полупроводниках. Изд-во
"Мир", 1964.
ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ
Адиабатическое приближение
190-194, 196
Альфа-подход (в теории тер-
моэлектричества) 302
Ангармоничность (колебаний) 48,
54, 55, 186, 319 Антизапорный
слой 64, 65
Атомные кристаллы 170
Базисный вектор (решетки) 152,
155, 157, 160, 198, 210 Бозе -
Эйнштейна распределение 322,
324, 328 Больцмана распределение
