Физика полупроводников - Лазарь С.С.
Скачать (прямая ссылка):
коэффициент преобразования,
обусловленный широким спектром
обычных источников света. При этом
большая часть энергии
коротковолновых фотонов теряется
(переходит в тепло) при переходе
носителей на низшие уровни зоны, а
длинноволновые фотоны не
участвуют в возбуждении.
Рис. 9.6. Схема создания инверсной
заселенности при помощи р-п перехода.
29-1053
437
и
-4
-3
-2
-1
О
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
0
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
ТАБЛИЦА 4
Таблица интегралов Ферми Fm([i)= --
с+1
Fm (ц) = а - 10ь
F
1
2
Fo
F 1
2
*1
F 3
2
/V
Fj_
2
Fa
а
ь
а
Ь
а
Ь
а
Ь
а
Ь
а
Ъ
0
ь
а
Ь
0,3204
-1
0.1815
-1
0,16128
0,0182
0
2,42685
-2
0,0366
0
6,07731
-2
1,0977
-1
0,8526
-1
0 4859
-1
0,43366
- 1
0,0492
0
6,56115
-2
0,0990
0
1,64742
-1
2,9780
-1
2,1918
-1
1.2693
-1
1,14588
- 1
0,1310
0
1,75800
-1
0,2662
0
4,44554
-1
8,0532
-1
5,2114
- 1
3,1326
-1
2,90501
- 1
0,3387
0
4,60848
-1
0,7050
0
1,18597
0
2,1598
0
1,0722
0
6,9315
-1
6,78094
- 1
0,8225
0
1,15280
0
1,8030
0
3,08259
0
5,6822
0
1,8204
0
1.3137
0
1,39638
0
1,8062
0
2,66168
0
4,3120
0
7,62653
0
1,4395
1
2,5954
0
2,1270
0
2,50246
0
3,5135
0
5,53725
0
9,4450
0
1,75294
1
3,4304
1
3,2852
0
3,0486
0
3,97699
0
6,0957
0
1,03537
1
1,8870
1
3,69321
1
7,5722
1
3,8743
0
4,0182
0
5,77073
0
9,6267
0
1,76277
1
3,4592
1
7,13480
1
1,5421
2
4,3832
0
5,0067
0
7,83797
0
1,4138
1
2,78024
1
5,8120
1
1,27489
2
2,9094
2
4,8338
0
6,0025
0
1,01443
1
1,9642
1
4,12610
1
9,1744
1
2,13098
2
5,1300
2
5,2416
0
7,0009
0
1,26646
1
2,6144
1
5,83422
1
1,3736
2
3,36814
2
8,5342
2
5,6170
0
8,0003
0
1,53805
1
3,3645
1
7,93526
1
1,9699
2
5,08084
2
1,3512
3
5.9674
0
9,0001
0
1,82776
1
4,2145
1
1,04574
2
2,7261
2
7,37087
2
2,0513
3
6,2972
0
1,0000
1
2,13445
1
5,1645
1
1,34270
2
3,6623
2
1,03468
3
3,0048
3
6,6096
0
1,1000
1
2,45718
1
6,2145
1
1,68688
2
4,7986
2
1,41237
3
4,2687
3
6,9076
0
1,2000
1
2,79518
1
7,3645
1
2,08062
2
6,1548
2
1,88225
3
5,9060
3
7,1930
0
1,3000
1
3,14775
1
8,6145
1
2,52616
2
7,7510
2
2,45700
3
7,9856
3
7,4672
0
1,4000
1
3,51430
1
9,9645
1
3,02564
2
9,6072
2
3,14983
3
1,0592
4
7,7314
0
1,5000
1
3,89430
1
1,1415
2
3,58112
2
1,1743
3
3,97448
3
1,3778
4
7,9868
0
1,6000
1
4,28730
1
1,2965
2
4,19458
2
1,4180
3
4,94522
3
1,7659
4
8,2342
0
1,7000
1
4,69286
1
1,4615
2
4,86794
2
1,6936
3
6,07677
3
2,2318
4
8,4744
0
1,8000
1
5,11061
1
1,6365
2
5,60305
2
2,0032
3
7,38433
3
2,7854
4
8,7076
0
1,9000
1
5,54019
1
1,8215
2
6,40171
2
2,3488
3
8,88359
3
3,4373
4
8,9350
0
2,0000
1
5,98128
1
2,0165
2
7,26568
2
2,7325
3
1,05906
4
4,1985
4
1
"
-4
-3
-2
-1
О
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
ь
3
3
3
4
4
4
4
4
5
5
6
6
6
7
7
7
7
8
8
8
8
9
9
9
9
Ft
F 9
Ft,
Fll_
2
0,4390
0,1194
0,3234
0,8721
2,3340
6,0981
1,2324
3,6369
8,1464
1,6749
3,2492
5,9365
1,0286
1,7016
2,7034
4,1468
6,1682
8,9575
1,2626
1,7476
2,3739
3,1707
4,1710
5,4121
6,9355
9,58334
2,60317
7,06296
1,91050
5,12904
1,35419
3,46603
8,46252
1,94721
4,20034
8,50005
1,62060
2,92792
5,04304
8,32807
1,32532
2,04150
3,05550
4,45804
6,35840
8,88666
1,21959
1,64645
2,18987
2,87348
0,2198
0,5948
1,6210
0,4383
0,1183
0,3151
0,8174
2,0404
4,8738
1,0821
2,2763
4,5161
8,4889
1,5198
2,6052
4,2967
6,8481
1,0588
1,5934
2,3406
3,3645
4,7429
6,5692
8,9541
1,2028
Использование излучения другого лазера для возбуждения
полупроводникового лазера могло бы устранить этот недостаток.
Однако такой прием, разумеется, может быть использован лишь в
исследовательской работе (для отбора полупроводниковых
материалов и др.).
Метод возбуждения электронным пучком обладает тем
преимуществом, что позволяет подбирать энергию пучка, строго
соответствующую энергии возбуждения, что позволяет получать
интенсивную заселенность в полупроводниках с различной
запрещенной зоной. Недостатком его является то, что к. п. д. при
этом не может превышать 40%, так как, как показали расчеты,
энергия, идущая на образование электронно-дырочной пары,
приблизительно в 3 раза превышает ширину запрещенной зоны.
Наиболее перспективным является метод инжекции
неравновесных носителей тока через р-п переход вырожденных
полупроводников, так как позволяет получить очень высокий
коэффициент преобразования.
На рис. 9.6, а представлен обычный р-п переход в равновесном
состоянии (обычный в том смысле, что основные носители по обе
стороны р-п перехода не вырождены). На рис. 9.6, б представлен тот
же переход при приложении небольшого напряжения в пропускном
