Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Лазарь С.С. -> "Физика полупроводников" -> 1

Физика полупроводников - Лазарь С.С.

Физика полупроводников

Автор: Лазарь С.С.
Издательство: Наука
Год издания: 1985
Страницы: 460
Читать: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152
Скачать: fizikapoluprovodnikov1985.pdf

Лазарь Соломонович Стильбанс ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Книга представляет собой систематическое рассмотрение основных разделов физики
полупроводников: качественного и количественного описания строения
полупроводниковых кристаллов, энергетического спектра и статистики электронов и
фононов, теории явлений переноса, оптических и фотоэлектических свойств и контактных
явлений.
В первой главе эти вопросы рассмотрены в качественной форме, а в последующих
дается количественный анализ, но при этом везде делается упор на физическую сущность
явлений; необходимые для понимания этого материала сведения из теоретической физики
(квантовой механики, статистики и термодинамики) приводятся в тексте попутно с
основным материалом. Вторая глава посвящена описанию основных свойств кристаллов:
симметрии, характера химической связи, дефектов, тепловых колебаний и теплоемкости.
В третьей главе дается представление об электронной теории кристаллов (предпосылки
введения адиабатического и одноэлектронного приближения, методы анализа и
особенности зонной структуры полупроводников). Статистике электронов в
полупроводниках посвящена четвертая глава, в которой также приведены некоторые
положения термодинамики.
В пятой, шестой и седьмой главах излагаются основы теории явлений переноса (анализ
кинетического уравнения, электро- и теплопроводности полупроводников,
термоэлектрических, гальвано- и термомагнитных явлений). Восьмая глава посвящена
теориям выпрямления на контакте металл - полупроводник и р-п переходе, и девятая -
оптическим явлениям (поглощению света, фотопроводимости, фотовольтаическим
эффектам и стимулированному
излучению).
Книга рассчитана на широкий круг читателей - инженеров, научных работников и
студентов старших курсов технических вузов.
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие 3
Глава первая. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ 6
1. 1. Некоторые сведения о строении атома 6
1. 2. Энергия и движение электрона в твердом теле 10
1. 3. Электропроводность полупроводников 36
1. 4. Теплопроводность полупроводников 43
1. 5. Контактные явления 55
1. 6. Термоэлектрические явления 75
1. 7. Гальваномагнитные и термомагнитные явления 83
1. 8.
Фотопроводимость 100
Глава вторая. СТРОЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ 113
2. 1 .
Некоторые вопросы квантовой теории 11 3
2. 2. Геометрия кристаллической решетки 1 47


2. 3. Дефекты в кристаллах 163
2. 4. Тепловые колебания кристаллов 1
74
2.
5. Теплоемкость 184 Глава третья. ОСНОВНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ
ТЕОРИИ 190
КРИСТАЛЛОВ
3.
1 . Адиабатическое приближение 1 90
3. 2. Одноэлектронное приближение 1 94
3. 3. Приближение почти свободных электронов 1 98
3. 4. Приближение сильно связанных электронов 207
3. 5. Основные особенности структуры энергетических зон 209 полупроводников
Глава четвертая. СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ 217
4.
1. Некоторые понятия статистики и термодинамики 217
4. 2. Распределение Ферми 224
4. 3. Статистика невырожденного электронного газа в полупроводниках 226
4.
4. Энергия электронов в зоне проводимости, вырождение 235 Глава пятая. НЕКОТОРЫЕ
ВОПРОСЫ ТЕОРИИ ЯВЛЕНИЙ ПЕРЕНОСА 244
5.
1 . Элементарный расчет электропроводности и подвижности 245 5. 2. Кинетическое
уравнение (учет энергетической зависимости времени 260
релаксации)
5. 3. Феноменологический анализ явлений переноса 270
5. 4. Вычисление времени релаксации 271
5.
5. Явления в сильных электрических полях 278
Глава шестая. ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ И 292
ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ
6.
1 . Термоэлектродвижущая сила 294
6. 2. Вывод коэффициента термо- э.д.с. из кинетического уравнения 296
6. 3. Увлечение электронов фононами 299
6. 4. Зависимость термо- э.д.с. от температуры и концентрации носителей 304 6. 5.
Электронная теплопроводность 311
6. 6. Теплопроводность кристаллической решетки 317
6.
7. Фотонная теплопроводность 329
Глава седьмая. ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ И ТЕРМОМАГНИТНЫЕ 331
ЯВЛЕНИЯ
7.
1. Общие сведения 331
7. 2. Эффект Холла и изменение сопротивления в магнитном поле 341
7. 3. Эффект Эттингсгаузена 350
7. 4. Гальваномагнитные явления в сильных магнитных полях 351
7.
5. Термомагнитные явления 355
Глава восьмая. КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ 362
8.
1. Особенности контактных явлений 362
8. 2. Контакт полупроводника и металла 366


368
373
375
378
400
400
409
421
426
430
441
443
ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ
Адиабатическое приближение 1 90-1 94, 1 96 Альфа-подход
(в теории термоэлектричества) 302 Ангармоничность
(колебаний) 48, 54, 55, 186, 319 Антизапорный слой 64, 65
Атомные кристаллы 1 70
Базисный вектор (решетки) 152, 155, 157, 160, 198, 210 Бозе
- Эйнштейна распределение 322, 324, 328 Больцмана
распределение 184,
Бравэ решетки 156, 157
Бриллюэна зоны 204, 205, 211, 213, 216
Валентная зона 13, 14, 16, 18, 36, 109, 203, 434, 435
Вероятность нахождения частицы 122, 134 - перехода 130, 131, 138, 141
"Вертикальные" переходы - см. Переходы Видемана и Франца закон 45, 256,
< 1 > 2 3 4 5 6 7 .. 152 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed