Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Химия -> Генералов М.Б. -> "Основные процессы и аппараты технологии промышленных взрывчатых веществ" -> 87

Основные процессы и аппараты технологии промышленных взрывчатых веществ - Генералов М.Б.

Генералов М.Б. Основные процессы и аппараты технологии промышленных взрывчатых веществ — М.: Академкнига, 2004. — 397 c.
ISBN 5-94628-130-5
Скачать (прямая ссылка): osnovnieprocessiitehnologii2004.djvu
Предыдущая << 1 .. 81 82 83 84 85 86 < 87 > 88 89 90 91 92 93 .. 145 >> Следующая


Дифференциальное уравнение (7.9) позволяет определить скорость кристаллизации при достаточно общей постановке рассматриваемой задачи. Это уравнение относительно функции 8 = j(x) решают численными методами. При определенных допущениях из уравнения (7.9) можно получить ряд более простых частных зависимостей. Так, если теплообмен охлаждаемого изделия с окружающей средой осуществляется при условиях, когда ас —> XciZSct —> °° и Tn = const (в теплопередаче — граничные условия первого рода), то уравнение (7.9) приобретает вид

8 =

где P — корень трансцендентного уравнения.

Скорость изменения

¦239 X1(Tkp-Tc)Cxp

}2 Л

4а,

Я Pi — = -

2

і /

*-2ІТр-Ткр)ехр

l2 Л

4а.

2;

P

24<Н

^Jna2 erfс

P

(7.10)

2 л/а7

Для неперегретого расплава, когда Гр ~ Г , в граничных условиях первого рода (Tn = Гс), разлагая в уравнении (7.10) функции ехр и erf в ряды и ограничиваясь их первыми членами, получим наиболее простую зависимость

8 =

IX1(TKP-TC) Х

<7kPPi

(7.11)

Если в уравнении (7.11) при х = Ticp (здесь ткр — время полного отверждения расплава) 8 = L (L — толщина изделия), то

<7kpPI^

Ткр IX1(TKP-TC)

(7.12)

В случае кристаллизации расплава в цилиндрической форме с внутренним радиусом Rll время полного отверждения расплава можно оценить как

<7крМц

Ткр ^X1(TKP-TC)'

(7.13)

При кристаллизации расплава в сферических формах с внутренним радиусом Rcф время полного отверждения расплава можно оценить как



^крРі^сф бМТкр -Tc)

(7.14)

В случае кристаллизации расплавов в формах, имеющих сложную геометрию внутренней поверхности, в расчетах по формулам (7.12)-(7.14) следует подставлять наибольший внутренний размер формы.

Необходимо отметить, что приведенные выше теоретические решения получены для отверждения расплавов, в которых отсутствуют предварительно погруженные твердые тела (частицы). При отверждении расплавов, представляющих собой суспензии с твердыми дисперсными частицами — центрами кристаллизации, время отверждения отливки будет меньше, чем рассчитанное по формулам (7.12)-(7.14).

¦240 Взрывчатые вещества (ТНТ, пикриновая кислота и др.) имеют малую теплопроводность и при затвердевании на 8—10% уменьшают объем (происходит так называемая усадка). В силу малой теплопроводности твердый слой, образовавшийся у стенок формы и с поверхности, затрудняет теплообмен, и процесс кристаллизации во время отверждения протекает крайне медленно. Например, залитая 122-миллиметровая форма охлаждается около 10 ч [15]. Малая скорость кристаллизации ведет к образованию крупных кристаллов; получается отливка с крупнокристаллической структурой и, следовательно, с небольшой плотностью. Поэтому при получении разрывных литых зарядов применяют ряд специальных мероприятий.

Мелкокристаллическую и плотную отливку можно получить, если перед заливкой в расплав ввести кристаллы или чешуйки того же взрывчатого вещества, т. е. создать искусственные центры кристаллизации [15].

Чтобы избежать образования в литом заряде усадочных раковин и трещин (для относительно больших по объему изделий), используют кристаллизацию в несколько приемов (многоразовая заливка).

Дополнительные сведения по теории и технике кристаллизации многокомпонентных систем и кинетики кристаллизации можно найти в работах [2, 3].

Охлаждение литых изделий. Процесс отверждения расплава в форме завершается охлаждением кристаллического тела ниже температуры кристаллизации Ткр; обычно охлаждение ведется до температуры окружающей среды Tc производственного помещения.

Теоретическое описание нестационарного процесса охлаждения твердого тела осложнено тем, что его началу соответствует некоторое распределение температуры в изделии, создавшееся в конце стадии кристаллизации.

В соответствии с известным решением задачи охлаждения бесконечного сплошного круглого цилиндра радиусом Rii, имеющего в начальный момент времени т = 0 постоянную по всему объему темпера-туру Tkp, изменение температуры на оси цилиндра T в зависимости от времени т запишется следующим образом: і

T-T^ = у- 2W,,)-exp(-^Fo), ,7]V.

где /0(М„)> А^л) ~ функции Бесселя первого рода соответстенно нулевого и первого порядков; Fo — критерий Фурье; Fo = a ^xfR2u ; рл — корни следующего характеристического уравнения:

¦241 /р(М-) _ Ц Л(Ю Bi'

(7.16)

где Bi — критерий Био; Bi = OtjR11A1; а — коэффициент теплообмена между стенкой формы и охлаждающей средой.

В практических условиях охлаждения твердого тела критерий Bi = 50 т-100, что теоретически соответствует условию Bi —» т. е. при охлаждении формы можно воспользоваться условием теплообмена первого рода, когда температура стенки формы (поверхности цилиндра) принимается постоянной и равной температуре окружающей среды Tc. Для этого случая уравнение (7.15) принимает вид

T-Tc _2yexp(-^Fo) (717)

Tkp-Tc ? JIbZ1(JIb) '

Если в уравнении (7.17) ограничиться первым членом ряда (при этом погрешность не превышает 1%), то получим следующее выражение для определения времени охлаждения тох оси цилиндрического изделия радиуса R11 от начальной температуры Гкр до конечной температуры Tk при поддержании стенки формы при температуре Tc
Предыдущая << 1 .. 81 82 83 84 85 86 < 87 > 88 89 90 91 92 93 .. 145 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed