Физические величины - Бабичев А.Н.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка):
•І Подробі
основе
ірироде переход реходом пайерл ерхпроводимости с состоят
плотности, см. в [52]. [56] представлены основные іектриков.
!Электрик, I а, а также іємнм волн
нферроиагга
652 ZE
Л
^sTzr / +
A--
>rг
і--І U-—
Рис. 28.16. Возможные типы магнитного порядка в простой (о) и гранецеитрированной (б) кубических решетках:
знаки плюс и минус соответствуют параллельной и антнпарал-лельной ориентации магнитных моментов ионов
антиферромагиетнков со структурой граната1. Отсутст* Еуют также сведения о многих редкоземельных сплавах и соединениях*2.
Информация о магнитной структуре многих антнфер-ромагнетиков, исследованных методом нейтронной дифракции, содержится в [3]. Типы магнитного упорядочения в кубических решетках приведены на рис. 28.16.
Последовательность расположения веществ в табл. 28.1 соответствует порядковому номеру магнитного атома в таблице Менделеева. Соединения с одним и тем же магнитным атомом расположены в порядке возрастающей сложности (например, соединения, состоящие из трех элементов вида RiAkBi с магиитиым атомом R, расположены в порядке возрастания числа, я= IOOt+ +10?+/). При одинаковых числах п соединения расположены в порядке расположения атомов А и В в Периодической системе элементов Д. И. Менделеева,
Условные обозначения и принятые в табл. 28.1 сокращения I, II, III, IV — возможные типы магнитного порядка в гранецеитрированной кубической решетке (рис. 28.16,6);
А, С, Е, F1 G — возможные типы магнитного порядка в простой кубической решетке (рис. 28.16, о);
И» [?]. W — кристаллографические оси в три-клииной, моноклинной, ортором-бнческой и гексагональной синго-ниях;
(ab), (be), (ас)—кристаллографические плоскости в триклииной, моноклинной и орторомбической сингониях; а*, Ь*, с* — векторы обратной решетки;
С — ось наивысшей симметрии в тетрагональной, тригональной, гексагональной сингониях;
D — спиновая размерность, определяемая числом ортогональных компонент спина;
d—размерность магнитной решетки, определяемая пространственной анизотропией обменного взаимодействия*1;
Eg — ширина энергетической щели в спектре электронных возбуждений для веществ, обладающих свойствами полупроводников;
F, G, С, А — векторы, образованные линейной комбинацией магнитных моментов в четырехподрешеточной модели антиферромагнетика *2: F =(1/4) (M1+ M2+ M3+ M4); G = (1/4) (M1 — M2 + M3 — M4); С = (1/4) (M1 + M2-M3- M4); A = (1 /4) (M1 — M2 — M3 + M4);
На — напряженность эффективного поля магнитной анизотропии*3;
Hc — напряженность внешнего магнитного поли, при которой наблюдается та или иная особенность в зависимости намагниченности вещества от магнитного поля; Ha(O) — верхнее («второе») критическое значение напряженности поля при T=O К для сверхпроводника второго рода;
Но — напряженность эффективного поля, связанного с взаимодействием Дзялошинского (см. § 28.5);
Не — напряженность эффективного обменного поля;
Нрез — напряженность магнитного поля, при которой наблюдается анти-ферромагиитный резонанс;
AHpe3 — ширина линии антиферромагнитного резонанса по магнитному полю;
/ — константа, характеризующая обменное взаимодействие между соседними магнитными ионами в изотропных системах или же между соседними магнитными ионами внутри линейных цепей в квазиодномерных (d=l) системах либо внутри плоскостей в квазидвумерных (d=2) системах;
Г — константа, характеризующая об-
*1 Сведения о них можно найти в [57].
*г Данные по антиферромагнетизму этих соединений см, в [58].
При модельном описании поведения антиферромагнетиков обычно рассматривают обменный гамильтониан
H=f/{j S{ Ij ^sI S j sJ ), при этом модели
Гейзенберга (D—3) соответствует случай J —/ ц^ модели Изинга (D=I)1^=O, ХУ-модели (?>«2) 0. Если J11^j", то
говорят о спиновой анизотропии обменного взаимодействия, если J(Rij) по-равному зависят от R вдоль различных главных па-правлений кристалла, то говорят о пространственной анизотропии объемного взаимодействия.
•2 Устойчивую спиновую конфигурацию (магнитный порядок) в антиферромагнитных кристаллах часто описывают с помощью инвариантов второго порядка, образованных из. компонент векторов F, G, С, А и преобразующихся по одному неприводимому представленню пространственной группы кристаллов [И].
*3 В таблице даны числовые значения магнитной индукции, соответствующие значениям напряженности магнитного поля в СИ (для вакуума справедливо соотношение 1 Тл=ц,0-1А/м, где Ц(,=4я-10-7 Гн/м). Если ие указана конкретная температура, то значение относится к T^T11.
653 меииое взаимодействие между магнитными ионами, принадлежащими соседним линейным цепям 3 квазиодиомерных (d= 1) системах либо соседним плоскостям в квазидвумерных (d=2) системах;
la, rtib, пс—магннгиая ячейка (в т, I, п раз увеличивается размер магнитной ячейки по сравнению с кристаллографической ячейкой соответственно вдоль кристаллографических осей а, Ь и с);
ns — число магнетонов Бора иа атом в состоянии насыщения;
р — эффективное число магнетонов Бора на атом в выражении, определяющем С м (См=Nр3Ни/ЗА);
