Физические величины - Бабичев А.Н.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка):
PbCrO3 Кубическая Ob G-тип МП (2а, 2а, 2а) 210—250 6 = —240 К, р = 2,83 Pcr (4,2К)= 1,9рв [3, 17]
CrVO4 Орторомбическая D^J1 ФВ в (001) АФВ между (001) 50 РСга+(4,2К) = 2,1 рв, P = 4 [3, 17]
CrtJO4 Орторомбическая D^1 КС, Ji ± [с] 45 Pcr= 2,4 рв [3, 17]
CrNb4S8 Гексагональная Dgft КС ФВ В (001) АФВ между (OOl) 6 = — 4 К при низких температурах 6 = — 243 К при высоких температурах Pcr (4,2 К) = 1,5рв [3]
Cr2BeO4 Орторомбическая D^ ГС, Ic0 И [с] Ji И (010) 28 Pcr г(4,2 К) = 1,55 рв Pcr и (4,2К) = 2,75рв [3]
MgCr2O4 Кубическая O7h (тетрагональные искажения при TCTn) НКС, JI X (001) при Tn >Т> 13,5К*2 16 6 = —350 К, р = 3,84 IxCrs+ (4,2 К) =2,63 рв [3]
CoCr2O4 Кубическая O7b HKC при TcTn (За, За, а) 31 Ф -*¦ АФ Ферримагнетик прн Tn CTCTc =97К [31
ZnCr2O4 Кубическая O7b (тетрагональные искажения при TcTn) HKC JI Il (100) V Il [010] (2а, 2а, 2а) 16 6 = — 392 К [3, 17]
Cr2TiS4 Моиоклиниая C%h (2а, Ь, 2с) - [31
п При T < Tg магнитные моменты Tm обладают ферромагнитным упорядочением. •» При T = 13,5 К — перестройка АФ-структуры.
42*
659 Продолжение табл. 28. 1
Структура
Вещество кристаллографическая магнитная TN. « Дополнительные сведения Литература
Cr2NiS4 Моноклинная Cfft ФВ В (101) АФВ между (101) (2а, Ь, 2с) - - [3J
ZnCr2S4 Кубическая Oft - 20 6= 18 К [65]
HgCr2S4 Кубическая Oj1 HKC при T <25 К 25 ф_> АФ Ферромагнетик при 25 К < T < Tc = 60 К HCrB+(4,2K) = 2,7lHB [3]
ZnCr2Se4 Кубическая Ojl HKC при TCTjv HlI(OOl) 22 (Ф -н- АФ) 6 = —115К, Hcr (4,2 К) = 3|лв Ферримагнетик при Tn СТС Tc= 129 К [3, 17]
Cr2TeO6 Тетрагональная D4ft НКС, H-LC 105 Нсга+(4,2К)=2,45НВ [3, 17]
Cr2WO6 Тетрагональная D^ft НКС, H с 69 6 = —196 К, Нсга+(4,2К) = 2,14НВ [3]
CrTiNdO6 Орторомбическая Dfft HKC M1Cr I Il И Mcr II Il Iе] MNd Il (OO') 30 (Cr) 13 (Nd) HNd (1,5 К) = 2,89нв НСГ(1,5К) = 2,95НВ [3]
CrK(SO4)2 • • 12Н20 Кубическая Tf - 6,004 Хм (Tn)/4:11=2- IO3 см3/моль 117]
Cr(CHgNH3)- • (SO4)2- • 12Н20 - 0,02 - [17]
а-Мп Кубическая Tj Сложная многоподреше-точная 100 Н(0К)«0,5НВ (усредненное значение) [2, 3]
7-Ми Кубическая Oft I тип МП 1370 H = 2, 4нв, устойчив при 1352 К<Г< 1416 К [31
MnO Кубическая Oft (ромбоэдрические искажения при TCTn) Hll [110] Il тип МП (2а, 2а, 2а) 113—120 6 = -698К, р = 5,97 X (0) = 362 мкм IiMn2+ = 5IiB 55vMn (1,5 К) = 618 МГц*1 [3, 17]
MnP Орторомбическая D^ft ГС, Ic0 И [а] при T CTn 47 (Ф -*¦ АФ) Ферромагнетик при TnCTCTc =291 К H0Wf [г] (4,2К) = 0,24 Тл Но Hc [(,] (4,2 К) = 0,62 Тл [3, 17]
" См. приложение И в [8].
660 Продолжение табл. 28. 1
Структура
Вещество кристаллографическая магнитная TN . к Дополнительные сведения Литература
J-MnS Кубическая о| II тип МП fill (Hl) (2а, 2а, 2а) 146—155 е = -465К,рМпЕ+(4,2К)= [3]
P-MnS Кубическая Tj III тип МП (а, 2а, а) 150 6 =-982к, pMnS+(4,7K)= Хм (Tn)UK= = 6- Ю-3 см®/моль [3, 17]
MnSe Кубическая 0| II тип МП (2а, 2а, 2а) 147—150 6 =-740 К, Хм (Tn )/4п = = 19-IO"3 см8/моль Полупроводник, Ea = = 0,68 эВ [3, 17]
MnTe Гексагональная D^fl ФВ в (001) АФВ между (001) HlI(OOl) 307-310 6 = — 692 К, р = 5,97 Xll(Tw)/4* = = 4,6-10"3 см3/моль [хМпг+(290К)=4,6(хв Полупроводник, Eg = 1 эВ [3, 17]
MnNi Тетрагональная D\b PJLC 1070—1140 Ij-Mn (0К)=4(хв pNi (OK) <0,6 [3, 17]
VMnNi Кубическая Ojj - 453 M-Mn= 1I5V-B [3]
MnCu Тетрагональная fx Il С 300 Сплав (69—85% Mn) [17]
MnPd Тетрагональная D\h 813—825 ИМп(4.2К) = 4,0рв Ppd (4,2 К)<0,2рв [3]
MnRh Кубическая О}, (тетрагональные искажения при t<tN) — 170 6 = — 260 К [17]
MnR Тетрагональная D\h Изменение структуры при Г = 710 К _ (2а, 2а, с) 970 РМп(290К) = 4,Зрв [3]
P-MnAu Тетрагональная O1h А-тип МП (а, а, 2а) 513 Є = — 600 К, P= 3,9 Хм (Tn)H* = 4,3 X X Ю-3 см3/моль [3, 17]
MnHg Кубическая Oxh G-тип МП (г Il [001] при T < 198 К fill [111] при Г>198К (2а, 2а, 2а) 460 Хм (Tn)Htz = 9,4х X 10~3 см3/моль р (Tw) = 5-10-'Ом-м РМП(4,2К) = 3,7РВ [3, 17]
Ч Возможные магнитные структуры см. в [3].
661 Продолжение табл. 28. 1
Структура
Вещество кристаллографическая магнитная TN' Т Дополнительные сведения Литература
IrMn Тетрагональная D\h АФВ В (001) > 1200 ИМп(290 К) = 3,4нв f«,r (290 К)=0,2р.в (49% Ir) [3]
MnB2 Гексагональная D^h н X с ФВ в (001) АФВ между (001) (а, а, 2с) >885 Имп(77К) = 2,6цв [3]
P-MnO2 Тетрагональная Dlfl ГС 84—94 6= 1050К, р = 5,52 13, 17]
MnS2 Кубическая III тип МП H Il [010] (а, 2а, а) 48 6 = —592К, р = 6,3 НМпг+(4,2К) = 5(,в [3, 17]
MnSe2 Кубическая И И [010] (а, За, а) 75 6 = —483К, р= 5,93 НМп«+(4.2К) = 5нв [3, 17]
MnTe2 Кубическая Т% I тип МП H Il (001) 84 0 = -528К, р = 6,22 M-Mn=+ (4,2 К) = 5,хв [3, 17]
MnF2 Тетрагональная D1^1 HlIC 67,3 6= — 113 К, Хых (OK)/4* = = 25-10"3 см3/моль, \ (0)= 1,11 мм H0WfH (4,2 К) = 9,33 Тл И0Д//рез = 3- IO-4 Тл при vA®mp = 23 ГГц 55vMn (OK) =680 МГц*1 [3, 17]
MnCI2 Тригональная D^d а (и, С) = 57 при TcTn H II [а] при TcTn = = 1,82 К 1,96 6 = —3,3К, P = 5,73 [3, 17]
MnBr2 Тригональная D^d КС*2 2,16 6 = —4.66К, НМп(1,35К)=5ив [3, 17]
MnI2 Тригональная D^d ГС*3 3,4 НМп(1,ЗК) = 4,6ив [3, 17]
