Физические величины - Бабичев А.Н.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка):
Th, Tk(A) — температура аитифферомагнитно-го упорядочивания, температура упорядочивания иоиов А*1;
7'п — температура переориентации магнитных моментов относительно кристаллографических осей;
а(ц, [ikl]) — угол между направлением магнитного момента и и кристаллографической осью [ikl];
6, Cm — постоянные в законе Кюри — Вейся, /м=CkKT — 6) (как правило, 0<О);
7.(0)—длина волны электромагнитного излучения, соответствующая частоте антнферромагнитного резонанса в нулевом магнитном поле (прн
(J. — магнитный момент иона (атома);
На(T)*2—магнитный момеит иона (атома) А при температуре T (в магнетонах Бора Це);
Avz — частота ядерного магнитного резонанса, соответствующая внутреннему магнитному полю ня ядре aZ, где А — массовое число изотопа элемента У\
р — удельное сопротивление;
(Tm (T) *3 — молярный спонтанный магинтный момент при температуре Т, А ¦ м2/моль (1 ед. СГСМ= IO"3 ед, СИ);
Oyn(T)—удельный спонтанный магнитный момент при температуре Т, А-м2/кт (1 ед. СГСМ=1 ед. СИ);
Значения температуры Нееля Tiv, приведенные в табл. 28.1, получены в основном из данных измерений магнитной восприимчивости или нейтронного рассеяния. Значения Tn, полученные из данных измерений теплоемкости (это отмечено в сносках), как правило, несколько от них отличаются.
** На (0 К) — значение при T—>-0 К.
« С (0 Ю - значение при T—'О К.
/м — молярнай магнитная восприимчивость, см3/моль (1 ед. СГСМ=. = 4л ед. СИ);
Худ — удельная магнитная восприимчивость, см3/т (1 ед. СГСМ=4л ед. СИ);
АФ — антнферромагиитное состояние; АФВ между (ikl) — аитиферромаг-иитиое взаимодействие между магнитными атомами, принадлежащими соседним плоскостям (ikl), которое приводит к антипараллельной ориентации магнитных моментов атомов соседних плоскостей (ikl);
АФМР — антиферромагиитный резонанс;
ВСП — волна спиновой плотности;
ГС — геликоидальная магнитная структура (к0 — вектор распространения геликоида);
КС — коллинеарная магнитная структура;
JlO — легкая ось;
ЛП — легкая плоскость;
МП — магнитный порядок;
HKC — неколлииеарная магнитная структура;
П — парамагнитное состояние;
CB — синусоидально модулированная магнитная структура (спиновая волна);
СФ — слабое ферромагнитное состояние;
Ф — ферромагнитное состояние; ФВ (АФВ) в (ikl) — ферромагнитное (аитиферромагнитиое) обменное взаимодействие между магнитными атомами, принадлежащими одной плоскости (ikl), которое приводит к параллельной (антипараллельной ориентации MarHHTHbixy моментов атомов плоскости (ikl);
ЯМР — ядерный магнитный резонанс, « * *
Индексы в обозначениях отдельных физических величин*1:
11 (X) — данная величина относится к направлению, параллельному (перпендикулярному) выделенной в кристалле оси;
\ikl\ [a], ffc], [с] — данное значение относится к соответствующему кристаллографическому направлению,
*¦ Те же индексы, стоящие прн числовых значеннях, означают. что измерение проводилось в соответствующем направ- Таблица 28.1. Некоторые свойства антиферромагиетиков
Структура
Вещество кристаллографическая магнитная Vk Дополнительные сведения Литература
B-O2 Моноклинная C^h кс, >i її [010] 23,9 ^02 (4,2 К) =2^ [3]
si-KOg1 Тетрагональная DlJl и Il (001) ФВ в (001) АФВ между (001) 7 р=Г,о3зК}г<15°к р=Г,253 к} г>150 к [3, 17]
LaTiO3 Орторомбическая D^1 G-тип МП (Ti) 125 (iTj3+ (IOK) = 0,45 Hb Металлическая проводимость при T > 125 IC [59]
s1-VS Гексагональная D^h 1040 900*2 Є = — 3000 К Хм (Tn)HK = = 6,6-10-8 см3/моль [17]
a-VSe Гексагональная D^fl - 163 е = — 2570 К [17]
VF2 Тетрагональная Dx^h ГС, k0 Il с Iix С 7 Є = — 80 К [3, 17]
VCl8 Тригональная Dsd - 30 - [17]
V2O3 Тригональная D^d Hll [111] 150 P (Tjv+OJ/P (Tjv-O)^lO9*3 ^<0.05^ [3, 17]
VOCl Орторомбическая D^1 КС, н Il M 80,5 Hy (4 К) = 1,48 нв Магнитные свойства соответствуют модели Гейзен-берга, d = 2 [60]
LaVO3 Кубическая Ol ц хС ФВ в (010) АФВ в (001) 133—144 Є = — 665 К Hy (4,2 К) = 1,31 нв [3]
V2WO6 Тетрагональная D^1 НКС, ціС 370 [3]
MgV2O4 Кубическая Ojl (тетрагональные искажения при TcTn) HllC 45 6 = — 750 К, P = 3,43 IV <4.2 К) = 1,0 Hb [3]
CaV2O4 Орторомбическая D^1 КС, иШ (а, 2Ь, 2с) Нуз+(4,2 К) = 1,0 нв [3]
41 Магнитные свойства O-KO2 обусловлены наличием неспаренного электрона у 2/з-молекулярной орбитали --типа иона О-. *2 Из измерений теплоемкости.
*а Одновременно с переходом П — АФ в V2O3 происходит переход металл — полупроводник. Прн T — T^ электропроводность меняется на девять-десять порядков. Описание электронной структуры и обзор магнитных свойств V2O3 см. в книге Бугаев А. А., За харченя Б. M., Чудновский Ф. А. Фазовый переход металл — полупроводник и его применение. Jl.; Наука, 1979.
655 Продолжение табл. 28.1
Структура
Вещество кристаллографическая магнитная Дополнительные сведения Литература
2nV204 Кубическая O7h (тетрагональные искажения при TCTn) КС, nil С 45 6 = -256 К, P= 2,18 IV+(4,2K) = 0,8,x? [3]
а-Сг Кубическая Ofl P Il [100] Tsf =? 122 К*1 312 н. (77 K) = 0,59f*? [1,3, 61]
