Физические величины - Бабичев А.Н.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка):
I I I *
1 I
1 1 К
>
Зм'-смГ'
\ у
\
\
\
\
\
\
\
О 0,5 1,0 1,5 г,О Z,5 3,03, J W3ZT3Vr1
IO3/Т, YC1
Рис. 22.1. Температурная зависимость удельной проводимости а-В(й) и ?-B(6):
пунктир — асимптотическое приближение при Ea-1 эВ; Л — гранулы; А — кристаллы; О — поликристалл
\
»і к і
о о V
о oS о
о\
\ о
О 2 Ь В 8 10 12 1b W3ZTjK-1
Рис. 22.4. Температурная зависимость дрейфовой подвижности электронов в ?-B [293]: линин — расчет по разным моделям
X о
о
о о 1
р, CM 3
Рис. 22.5. Зависимость холловской подвижности электронов в поликристаллическом ?-B от концентрации носителей [7, 14]
Рис. 22.3. Температурная зависимость коэффициента
Холла и концентрация дырок в ?-B при высоких темпе- Рис. 22.6. Температурные зависимости подвижности ратурах [293] электронов (а) и дырок (б) в алмазе [313]
458 , 100 го io
WOO 500 500 WO 300 T1K
<4
-
I II
Л ООО» оо о
T
/ У у
І . А** U AA A A-S
7—Z
*
W оЛ
I т*
і- OA
-л * ¦ А
Г.
I
А"" I
а;
-?. є =^ Ч
I 1 і
Йх, I Йь I__
fc/" Il T
I 1 ^
$ f-4 "4? 4
Г і ¦ ^4 і ^J 1 Sgg44sI
I 'а I мі
о Ki ?
0QS 8 J-Л і L і
Od I I I І І І—
о ! I і
( О I І 6)
40 ВО 1W 160 1O0 ZO01 •Ю3/Гг1С1
ч б в io г ?68 ю г ч
г, к
,МО 100 5040 3О ZO 15 1000 600500 WO 300 ГК
— —=- -
L А
--
_ І л д H -
і- -tf J
І
% J.
-?"
X JAJ
»
Ю3/Т}К~
Рис. 22.7. Температурные зависимости удельного сопротивления (о) полной концентрации носителей (б) и холловской подвижности дырок (в) в поликристаллическом черном фосфоре [17]: I — низкие температуры: 11 — высокие темпера туры
459. 10-S
N ——
г,s з,г
з,є
JO3/T3VT1
з,г
Рис. 22.8. Температурная зависимость дрейфовой подвижности электронов в a-S[37]
о О -
N ¦А \
3° \ \ V \ TIi-Ift Ли"3
\ \ \
V _ \ Z-10е
\
\ \
\ \ X 8-Ю15
< 3 % V—
Jj. д І л \ SWw
Z,0 Z,S 3,0 3,5 0 rD S,5
J03/T, YT1
Рис. 22.10. Температурная зависимость дрейфовой подвижности дырок в a-S для образцов с различной кон центрацией дырочных ловушек nt. При фазовом переходе a-S—>-?-S подвижность резко уменьшается [53]
T,К
"I-1- 1 I ¦
,О-"
-Jrrfi"^- CK \ [ш]
\ \001\
• е ^AJ- -\U1U J -
Vv
Л\\
2,7 3,1 3,5 3,3 ?,3 h-,7 W3/Т, К'1
Рис. 22.9. Температурная зависимость дрейфовой подвижности дырок вдоль различных кристаллических
осей в «-S [39]: пунктир — зависимость Нее?'", где и= 1,6 [1001, в—1,1 [010], « = 1,7 [001]
460.
Рис. 22.11. Температурные зависимости подвижности электронов и дырок (а) и удельного сопротивления (б) в As. Характер зависимости [хп1, ^nt и цР8 тоТ-1.?,
lxplooT-^\ Hp2CoT
/21, |Ця, -2,0 [5;
5П 103/Т, К"
Рис. 22.12. Температурная зависимость дрейфовой подвижности дырок в тригональной Se [19]: пунктир соответствует зависимости T-3J2
№
СО '
14
«а -
Л I
¦к
Рис. 22.14. Зонная структура a-Sn [171]
А Д д I Л < , д Lл Электроны I А ?
I
I
ч. I
;
I
L ЕА=о,гзэъ
Дырка Os I
І І
3 3.1 3,Z 3,3 3,4 3,5 3,6 3,7 IO3/Т,К'1
Рис. 22.13. Температурная зависимость дрейфовой подвижности дырок и электронов в моноклинном Se (Ea — энергия активации подвижности дырок) [20]
Рис. 22.15. Зависимость концентрации электронов в a-Sn при T=4,2 К от концентрации доноров [24]: О — легкие электроны: ф — все электроны
Рис. 22.16. Температурная зависимость подвижности легких электронов и дырок в a-Sn:
si
/Ljl L
Мт~31г)
г ь S 810г г Tt К
461. I J
і I I І
/ I V
Г VL
чахД
Чэ \ \
Г \ і. --Ivv- ч І \ \ д \_
Ч N V
\ \ W \ д
Л > \
і / /
/ \ J / \
AjT-^) А
/ 1 А
-V-
- \
I I V
T1K
Рис. 22.17. Температурные зависимости компонентов тензора подвижностей электронов (пунктирные линии) и дырок (сплошные линии) в Sb [29]. Концентрации электронов и дырок — 4-Ю19 см-3:
нижняя шкала температур для ц„. верхняя — для ц
В Si 6 эквивалентных абсолютных минимумов зоны проводимости расположены на осях [100] внутри зоны Бриллюэна. Вблизи каждого из этих минимумов изоэнер-гетические поверхности имеют вид эллипсоидов вращения (число эллипсоидов — 6) .
В Ge 8 эквивалентных абсолютных минимумов зоны проводимости расположены на осях [111] на границе зоны Бриллюэна. Вблизи каждого из этих минимумов изо-энергетнческие поверхности — эллипсоиды вращения (эквивалентное число эллипсоидов 4).
