Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Бабичев А.Н. -> "Физические величины" -> 273

Физические величины - Бабичев А.Н.

Бабичев А.Н., Бабушкина Н.А. Физические величины — M.: Энергоатомиздат, 1991. — 1232 c.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка): fizicheskievelechini1991.djvu
Предыдущая << 1 .. 267 268 269 270 271 272 < 273 > 274 275 276 277 278 279 .. 561 >> Следующая


I I I *
1 I
1 1 К
>

Зм'-смГ'
\ у
\
\
\
\
\
\
\

О 0,5 1,0 1,5 г,О Z,5 3,03, J W3ZT3Vr1

IO3/Т, YC1

Рис. 22.1. Температурная зависимость удельной проводимости а-В(й) и ?-B(6):

пунктир — асимптотическое приближение при Ea-1 эВ; Л — гранулы; А — кристаллы; О — поликристалл

\
»і к і
о о V
о oS о
о\
\ о

О 2 Ь В 8 10 12 1b W3ZTjK-1

Рис. 22.4. Температурная зависимость дрейфовой подвижности электронов в ?-B [293]: линин — расчет по разным моделям

X о
о
о о 1

р, CM 3

Рис. 22.5. Зависимость холловской подвижности электронов в поликристаллическом ?-B от концентрации носителей [7, 14]

Рис. 22.3. Температурная зависимость коэффициента

Холла и концентрация дырок в ?-B при высоких темпе- Рис. 22.6. Температурные зависимости подвижности ратурах [293] электронов (а) и дырок (б) в алмазе [313]

458 , 100 го io

WOO 500 500 WO 300 T1K

<4

-

I II

Л ООО» оо о

T

/ У у
І . А** U AA A A-S
7—Z

*
W оЛ
I т*
і- OA

-л * ¦ А
Г.
I

А"" I

а;

-?. є =^ Ч

I 1 і
Йх, I Йь I__
fc/" Il T
I 1 ^
$ f-4 "4? 4
Г і ¦ ^4 і ^J 1 Sgg44sI
I 'а I мі
о Ki ?
0QS 8 J-Л і L і
Od I I I І І І—

о ! I і
( О I І 6)

40 ВО 1W 160 1O0 ZO01 •Ю3/Гг1С1

ч б в io г ?68 ю г ч

г, к

,МО 100 5040 3О ZO 15 1000 600500 WO 300 ГК

— —=- -
L А

--

_ І л д H -
і- -tf J
І
% J.
-?"
X JAJ



»

Ю3/Т}К~

Рис. 22.7. Температурные зависимости удельного сопротивления (о) полной концентрации носителей (б) и холловской подвижности дырок (в) в поликристаллическом черном фосфоре [17]: I — низкие температуры: 11 — высокие темпера туры

459. 10-S




N ——



г,s з,г

з,є

JO3/T3VT1

з,г

Рис. 22.8. Температурная зависимость дрейфовой подвижности электронов в a-S[37]

о О -
N ¦А \
3° \ \ V \ TIi-Ift Ли"3
\ \ \
V _ \ Z-10е
\
\ \
\ \ X 8-Ю15
< 3 % V—

Jj. д І л \ SWw

Z,0 Z,S 3,0 3,5 0 rD S,5

J03/T, YT1

Рис. 22.10. Температурная зависимость дрейфовой подвижности дырок в a-S для образцов с различной кон центрацией дырочных ловушек nt. При фазовом переходе a-S—>-?-S подвижность резко уменьшается [53]

T,К

"I-1- 1 I ¦
,О-"
-Jrrfi"^- CK \ [ш]
\ \001\
• е ^AJ- -\U1U J -
Vv
Л\\




2,7 3,1 3,5 3,3 ?,3 h-,7 W3/Т, К'1

Рис. 22.9. Температурная зависимость дрейфовой подвижности дырок вдоль различных кристаллических

осей в «-S [39]: пунктир — зависимость Нее?'", где и= 1,6 [1001, в—1,1 [010], « = 1,7 [001]

460.

Рис. 22.11. Температурные зависимости подвижности электронов и дырок (а) и удельного сопротивления (б) в As. Характер зависимости [хп1, ^nt и цР8 тоТ-1.?,

lxplooT-^\ Hp2CoT

/21, |Ця, -2,0 [5;

5П 103/Т, К"

Рис. 22.12. Температурная зависимость дрейфовой подвижности дырок в тригональной Se [19]: пунктир соответствует зависимости T-3J2





СО '

14

«а -

Л I

¦к



Рис. 22.14. Зонная структура a-Sn [171]

А Д д I Л < , д Lл Электроны I А ?


I
I
ч. I
;
I
L ЕА=о,гзэъ
Дырка Os I
І І

3 3.1 3,Z 3,3 3,4 3,5 3,6 3,7 IO3/Т,К'1

Рис. 22.13. Температурная зависимость дрейфовой подвижности дырок и электронов в моноклинном Se (Ea — энергия активации подвижности дырок) [20]

Рис. 22.15. Зависимость концентрации электронов в a-Sn при T=4,2 К от концентрации доноров [24]: О — легкие электроны: ф — все электроны

Рис. 22.16. Температурная зависимость подвижности легких электронов и дырок в a-Sn:

si

/Ljl L

Мт~31г)

г ь S 810г г Tt К

461. I J
і I I І

/ I V
Г VL
чахД
Чэ \ \
Г \ і. --Ivv- ч І \ \ д \_
Ч N V
\ \ W \ д
Л > \
і / /
/ \ J / \
AjT-^) А
/ 1 А
-V-
- \
I I V

T1K

Рис. 22.17. Температурные зависимости компонентов тензора подвижностей электронов (пунктирные линии) и дырок (сплошные линии) в Sb [29]. Концентрации электронов и дырок — 4-Ю19 см-3:

нижняя шкала температур для ц„. верхняя — для ц

В Si 6 эквивалентных абсолютных минимумов зоны проводимости расположены на осях [100] внутри зоны Бриллюэна. Вблизи каждого из этих минимумов изоэнер-гетические поверхности имеют вид эллипсоидов вращения (число эллипсоидов — 6) .

В Ge 8 эквивалентных абсолютных минимумов зоны проводимости расположены на осях [111] на границе зоны Бриллюэна. Вблизи каждого из этих минимумов изо-энергетнческие поверхности — эллипсоиды вращения (эквивалентное число эллипсоидов 4).
Предыдущая << 1 .. 267 268 269 270 271 272 < 273 > 274 275 276 277 278 279 .. 561 >> Следующая
Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed