Физические величины - Бабичев А.Н.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка):
471. м3/Кл
тк
6
-OcrC і 5)
. S
*< e
2,5 3,0 3,5 ?,0 ?,5 1,75 Z,00 2,25 2,50 Z,75 3,00 103IT, K"'
Рис. 22.57. Температурные зависимости коэффициента Холла в различных образцах Ag2Se при низких (а) и высоких (б) температурах [101]
150 100
¦ і і 1 і і
і
-"TT^
\ ¦ й/л err
і к -+ї
гг
/1
/ . о,д - ті = Тип 77 = Тип
IO3/Г, К~7
Рис. 22.59. Температурная зависимость коэффициента Холла для различных образцов Ag2Te [93]: —, — знак ЭДС Холла
33.3 г,1; 33,z% т е
і-
і
33, " 33,5— к
I
33.7 — ' 33,8 — ,1,___О--V
К
\ч< —/ и /
?00 500 BOO 700 800 300 1000 1500
Г, К
Рис. 22.58. Температурная зависимость удельного сопротивления п- и P-Ag2Te [108]: Рис. 22.60. Температурная зависимость подвижности образцы те же, что на рис. 22.59 электронов в Ag2Te [93] при разной концентрации Те
472 I Ьг —Г
+-
I 4- I
I!
'so юс гоо т,к
TtK
Рис. 22.61. Температурная зависимость холловской подвижности электронов в Ag2Te [123]:
О, Д — массивные кристаллы; • — пленки толщиной 135 HM со сферолитической структурой, напыленные на подложку прн температуре 120°С
,,см ЩВ-с)
О ^o- -1
..........- г
F6DQ-Q- о- — 3
_ж_ - S
L. _ _-і
— в
- 7
-8
а J, !
I I I
Рис. 22.62. Температурная зависимость холловской подвижности электронов в чистом и примесных кристаллах AgCl:
/ — зонная очистка; 2 — примесь Cu; 3—8 — примесь Fe, различная обработка [109]
1 I I
о V X
о о
г,ь5 ZlSo
г,55 ідт
2,65
Рис. 22.63. Температурная зависимость холловской подвижности дырок в AgBr [113] TjK
101
1 1 ' I
j
к
J
і
І
/
( fl
і
/ і і
і !
¦п 30 ВО SO 1Z0 150 1S0 103/Т, К"'
Рис. 22.64. Температурная зависимость подвижности электронов в AgBr:
і „ O
р5^ 0
J
О ? 8 11 16 ZH- Z8
W3/T, \с1
Рис. 22.65. Температурная зависимость дрейфовой подвижности электронов в AgBr: 7 — расчет с использованием измеренной массы полярона; 2 — среднеквадратичная «подгоночна«» кривая [120]
473 Таблица 22.13. Полупроводниковые соединения Л11^v 11 [293]
Кристаллическая структура
Соединение Система, группа а, Ь, с, им р, г/см" 7Wk ^,SB 1V см2/(В • с) CMVfi • С)
P-Li3Sb Куб., 0\ 0,656 3,29 [288] 923 [288] 1,4—1,6 [288] 1,25 [16] - -
NaSb Моноклин., г5 Л 0,680 (а); 0,634 (6); 1,248 (с); ? = 117,6° 4,03 [288] 738 [16] 0,82 [16]
Ct-Na3Sb Геке., D\h 0,536 (а); 0,95 (с) [1] 2,67 [123] ИЗО [123] 1,1 [123] — -
KSb Моноклии., cSft 0,718(47); 0,697(6); 1,340 (с); P= 115,1° 3,52 [288] 878 [16] 0,9 [16]
a-K3Sb Геке., D4ch 0,603 (а); 1,069 (с) [1] 2,35 [123] 1085 [123] 1,1 [123] — —
P-Rb3Sb Куб., Ofl 0,884 — 1006 1,0 110] — —
CsSb Орторомб., D24 0,757 (а); 0,734 (Ь); 1,327 (с) — 856 0,8 [10] 0,6 [288] 500 [16] (Т-3/2) 100 [16]
Cs3Sb Куб., &h 0,914 [1] 4,40 [288] 998 1,6 [123] 500 [10] (Т-3/2} 10 [10] 200—600 [288]
P-Cs3Bi То же 0,931 4,92 [288] 908 0,55 [16] - 350 [288]
Таблица 22.7. Полупроводниковые соединения A1Biv [293]
Кристаллическая структура
Соединение Система, группа а, Ь, с, нм Р, г/см» Гвл'К ^.SB дЕ/дТ, Ю-4 эвд
Cu2O Куб., Ol 0,426 [1] 6,1 [123] 1508 [16] 2,17 (4,2К) -2 [10]
O-Cu2S Ромб., Cg 1,18 (а); 2,728 (Ь); 5,6 [216] 1393 [288] 1,3 _
1,349 (с) 5,8 [288] 1373 [216]
O-Cu2Se Куб., 0? 0,575 [288] 6,8 [216] 1390 [216] 1,25 [94] —
7,1 [288] 1398 [288]
Cu2Te Геке., D74h 0,396 (а); 0,612 (с) 7,34 [216] 1173 [216] 0,5 —3
Ag2O Куб., 0? 0,472 6,9 1361 1,2 -20
O-Ag2S Моноклии. 0.423(c); 0,691 (Ь); 0,787 (с); P = 99 35' 7,23 1098 1,0 [16] 1,3 (0 К) —12
P-Ag2S Куб., Og 0,488 [288] 7,2 [288] 6,7 859 [288] — —
P-Ag2Se То же 0,499 8,25 1170 [16] 0,15 —
7,58 [288]
AgTe Ромб. 0,890 (а); 2,01 (Ь); 0,462 (с) [288] 7,61 [288] 483 [288] 0,73 [288] —
O-Ag2Te Моиоклин., C2H 0,818 (а); 0,448 (6); 0,809 (с) 8,41 [216]* 0,67 —0,86 [102]
P-Ag2Te Куб., Of 0,658 8.5 [216] 7.6 [288] 1228 [216] 963 [288] 0,2
474 Продолжение табл. 21.7 |
Соединение TD- К тп/т0 »у*« IV см!/(В • с) V CMs/(В ¦ с) =0 п., см-*
Cu2O K-Cu2S O-Cu2Se 188 300 [288] 235 [288] 0,98 0,58 1,8 0,5 0,1 [288] 3,0 [242] 100 [123] 5,0 1400 [288] 750 [16] 900 [88] (Г"3'2) 18 7,5 [23] 9 [288] 11,6 -
Cu2Te Ag2O O-Ag2S 220 [288] 70 0,9 [288] 0,7 4,55 (та) [15] о 0,24 [288] 0,8 1,9 7,8 (та) [15] 200 [40] 400 [288] 63 = 17 [288] 3,7-IO15
P-Ag2S 160 [288] 60-120 Г9ЯЯ1 - - - -
P-Ag2Se AgTe O-Ag2Te 190 [80 К] 150 (80 К) 0,2 0,026—0,034 0,54 l/oo| 2000 [16] 10 000 520 200 [288] 1000 — 16 [288] 3,2- IO18
P-Ag2Te P88I „„ 120 [288] 0,11 1,5 1100 4000 [16] 18 — — —
* При T < 423 К переходит в P-Ag2Te [16].
Таблица 22.8. Полупроводниковые соединения /4l?vn
Кристаллическая структура гпл> Hn. 1V (см7В • с) тп/т0 т Itn0 •0 [290] tD '
соединение Система, группа г/см" к Eg. эВ сы*/(В ¦ С) [290] [290] К [290J
