Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Бабичев А.Н. -> "Физические величины" -> 275

Физические величины - Бабичев А.Н.

Бабичев А.Н., Бабушкина Н.А. Физические величины — M.: Энергоатомиздат, 1991. — 1232 c.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка): fizicheskievelechini1991.djvu
Предыдущая << 1 .. 269 270 271 272 273 274 < 275 > 276 277 278 279 280 281 .. 561 >> Следующая

с * 4 ft
SM \
О
U т -1,66
W
i/J «Л

..т-2,з; iV I—
-H-Py L-
' г ? '

S

30 НО 50 60 80 100 150 ZOOTjK

Рис. 22.35. Температурная зависимость подвижности электронов и дырок в чистом Ge при постоянной концентрации носителей (711

Рис. 22.33. Зависимость удельного сопротивления силь-йолегнрованных кристаллов n-Ge от концентрации примесей при T=300 К [225]

С,« 0/f0

I0'35

§0,50 ^ 0,25

JDjZO

Ц15 0,10

V

Рис. 22.34. Температурная зависимость энергии прямых Рис- 22.36 3ависимость дрейфовой подвижности элект-Е' г¦ г- гссі ронов в р-Ge при T=300 К от концентрации акцепторов:

Eg и непрямых Eg переходов В Ge [65] * и сплошная линия - расчет [72]

467. O1I 0,1В '-SD1IB

E 0,1t

0,1 OfiB

1,1

/
?
31
/
/

O1Z 0,? 0,6 0,8 X

10" Ю" 10" 10'° 10"

nIl-rlH1Wi

Рис. 22.37. Зависимость дрейфовой подвижности дырок в п-Ge при T=300 К от концентрации примесей:

сплошная линия — расчет [72]

Рис. 22.40. Зависимость ширины запрещенной зоны SixGei-* при T=300 К от состава. При х=ё0,15 происходит переход от зонной структуры Si к зонной структуре Ge Г761

ZVDO Z ООО

1013 W1* 1015 1016 7017 101В W19 10zu10n "a. j CM"3

Рис. 22.38. Зависимость холловской подвижности дырок в p-Ge при комнатной температуре от концентрации акцепторов [731

10 1 10'г ж* Lio-'' ) ,и-5 ? !
Xo
)8?

1U

0 0,1 0,4 0,6 D1B X

Рис. 22.41. Зависимость собственной проводимости SbGe1-* при 'Г=300 К от состава [80]

0,554 0,54-6 0,53В

I Kj
к
kl
6 3 t

O1Z 0,4 0,6 0, В

^1000

:
о/
°ой к^ а У

Рис. 22.39. Зависимость постоянной решетки SitGei-от состава [74]

0,Z 0,4 0,6 OrB

Рис. 22.42. Зависимость холловской подвижности электронов в SuGei-* при Г=300 К от состава [801

468. OJO о,ге

Г

a,is



а)

SM S

ZO

Рис. 22.44. Температурные зависимости удельного сопротивления (а) и холловской подви:.шосги электронов (б) в CsAu (пленочный образец толщиной 130 нм) (811

ff, (Ом-см)

Рис. 22.45. Зависимость холловской подвижности дырок и их концентрации от проводимости пленок CsAu тол-шиной 270 нм с различной степенью окисления [83]

Рис. 22.43. Зависимость холловской подвижиости дырок в SixGe 1_д при T= 300 К от состава 180]

22.3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ 22.3.1. Соединения типа A^B1-A1Bvn

22.3.2. Соединения типа /I11Biv-AnBv11

Из соединений типа .A11Sv наиболее изучены ZnSb и CdSb, а также их твердые растворы, представляющие интерес при создании термоэлектрических устройств. ZnSb и CdSb кристаллизуются в орторомбической структуре (?)?, приводящей к сильной анизотропии их механических и электрических свойств. Зонная структура непрямая [18, 117]. Минимум зоны проводимости расположен в

\єА = і,ігзй


у
\
\
\


vS V
\
\
\
\



\
Ед-0,62.эЪ I



X
ю

3fl 3,5 0 ?,5 SJB 5,5 IO3ZT1VT1

Рис. 22.46. Температурная зависимость сопротивления Cs3Sb 1891

Рис. 22.47. Температурная зависимость подвижности рок в Cu2O [90]

Рис. 22.48. Температурная зависимость проводимости CU2S [91]: стрелки, обращенные вниз и вверх, — измерения при повышении и понижении температуры соответственно

469. 1

0,75 Д 0,50 ? 0,25 О

-<

о


Рис. 22.50. Зависимость эффективной массы дырок в Cu2Se от их концентрации (931

Ws

O0 ( оо



? Ea- 0,75 эВ
о
о

3,0 3,5 %5 5,0

10і/Г, IC1

Рис. 22.51. Температурная зависимость сопротивления Ag2O (пленочный образец) [96]

Рис. 22.49. Температурные зависимости электронной проводимости (а), коэффициента Холла (б) и холловской подвижности дырок (в) для различных образцов Cu2Se 1921:

содержание Se увеличивается от образца 1 к образцу 9, ственно увеличивается концентрация носителей тс 1 ,9-10«» до 24,5-1080 см-*).

Рис. 22.52. Температурная зависимость проводимости Ag2S [97]: различные точки соответствуют номинально чистым и стсхиометрическим образцам (электрохимический контроль отношения Ag/S не проводился); для а-фазы (Т<Тв,р) существенно влияние термической предыстории различных образцов

? 10 ?

^ 1

10

ч

О 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5

IO3ZT,*.-1

470. IO3-7

1,0 1,5 г,O Z,5 3,0 3,5 103/Т, К~1

Рис. 22.53. Температурная зависимость Холла в Ag2S 1101]

/ SK
{
J
К
j I4

W3ZT1K'1

Рис. 22.55. Температурная зависимость проводимости Ag2Se [97]. При T<7a,? =406 К зависимость имеет полупроводниковый характер, при 7<Та,[-, do/dKO

W

коэффициента

a -Ag2S ^ ./J-Ag2S
Т~ 42
о \ ^ -г -з/г

о ^ N4

500 600 700

10*

S в 7 S 10J

Рис. 22.54. Температурная зависимость холловской по- Рис. 22.56. Температурная зависимость холловской подвижности электронов в а- и P-Ag2S [101] движности электронов в Ag2Se [101]
Предыдущая << 1 .. 269 270 271 272 273 274 < 275 > 276 277 278 279 280 281 .. 561 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed