Физические величины - Бабичев А.Н.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка):
с * 4 ft
SM \
О
U т -1,66
W
i/J «Л
..т-2,з; iV I—
-H-Py L-
' г ? '
S
30 НО 50 60 80 100 150 ZOOTjK
Рис. 22.35. Температурная зависимость подвижности электронов и дырок в чистом Ge при постоянной концентрации носителей (711
Рис. 22.33. Зависимость удельного сопротивления силь-йолегнрованных кристаллов n-Ge от концентрации примесей при T=300 К [225]
С,« 0/f0
I0'35
§0,50 ^ 0,25
JDjZO
Ц15 0,10
V
Рис. 22.34. Температурная зависимость энергии прямых Рис- 22.36 3ависимость дрейфовой подвижности элект-Е' г¦ г- гссі ронов в р-Ge при T=300 К от концентрации акцепторов:
Eg и непрямых Eg переходов В Ge [65] * и сплошная линия - расчет [72]
467.O1I 0,1В '-SD1IB
E 0,1t
0,1 OfiB
1,1
/
?
31
/
/
O1Z 0,? 0,6 0,8 X
10" Ю" 10" 10'° 10"
nIl-rlH1Wi
Рис. 22.37. Зависимость дрейфовой подвижности дырок в п-Ge при T=300 К от концентрации примесей:
сплошная линия — расчет [72]
Рис. 22.40. Зависимость ширины запрещенной зоны SixGei-* при T=300 К от состава. При х=ё0,15 происходит переход от зонной структуры Si к зонной структуре Ge Г761
ZVDO Z ООО
1013 W1* 1015 1016 7017 101В W19 10zu10n "a. j CM"3
Рис. 22.38. Зависимость холловской подвижности дырок в p-Ge при комнатной температуре от концентрации акцепторов [731
10 1 10'г ж* Lio-'' ) ,и-5 ? !
Xo
)8?
1U
0 0,1 0,4 0,6 D1B X
Рис. 22.41. Зависимость собственной проводимости SbGe1-* при 'Г=300 К от состава [80]
0,554 0,54-6 0,53В
I Kj
к
kl
6 3 t
O1Z 0,4 0,6 0, В
^1000
:
о/
°ой к^ а У
Рис. 22.39. Зависимость постоянной решетки SitGei-от состава [74]
0,Z 0,4 0,6 OrB
Рис. 22.42. Зависимость холловской подвижности электронов в SuGei-* при Г=300 К от состава [801
468.OJO о,ге
Г
a,is
а)
SM S
ZO
Рис. 22.44. Температурные зависимости удельного сопротивления (а) и холловской подви:.шосги электронов (б) в CsAu (пленочный образец толщиной 130 нм) (811
ff, (Ом-см)
Рис. 22.45. Зависимость холловской подвижности дырок и их концентрации от проводимости пленок CsAu тол-шиной 270 нм с различной степенью окисления [83]
Рис. 22.43. Зависимость холловской подвижиости дырок в SixGe 1_д при T= 300 К от состава 180]
22.3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ 22.3.1. Соединения типа A^B1-A1Bvn
22.3.2. Соединения типа /I11Biv-AnBv11
Из соединений типа .A11Sv наиболее изучены ZnSb и CdSb, а также их твердые растворы, представляющие интерес при создании термоэлектрических устройств. ZnSb и CdSb кристаллизуются в орторомбической структуре (?)?, приводящей к сильной анизотропии их механических и электрических свойств. Зонная структура непрямая [18, 117]. Минимум зоны проводимости расположен в
\єА = і,ігзй
у
\
\
\
vS V
\
\
\
\
\
Ед-0,62.эЪ I
X
ю
3fl 3,5 0 ?,5 SJB 5,5 IO3ZT1VT1
Рис. 22.46. Температурная зависимость сопротивления Cs3Sb 1891
Рис. 22.47. Температурная зависимость подвижности рок в Cu2O [90]
Рис. 22.48. Температурная зависимость проводимости CU2S [91]: стрелки, обращенные вниз и вверх, — измерения при повышении и понижении температуры соответственно
469.1
0,75 Д 0,50 ? 0,25 О
-<
о
Рис. 22.50. Зависимость эффективной массы дырок в Cu2Se от их концентрации (931
Ws
O0 ( оо
? Ea- 0,75 эВ
о
о
3,0 3,5 %5 5,0
10і/Г, IC1
Рис. 22.51. Температурная зависимость сопротивления Ag2O (пленочный образец) [96]
Рис. 22.49. Температурные зависимости электронной проводимости (а), коэффициента Холла (б) и холловской подвижности дырок (в) для различных образцов Cu2Se 1921:
содержание Se увеличивается от образца 1 к образцу 9, ственно увеличивается концентрация носителей тс 1 ,9-10«» до 24,5-1080 см-*).
Рис. 22.52. Температурная зависимость проводимости Ag2S [97]: различные точки соответствуют номинально чистым и стсхиометрическим образцам (электрохимический контроль отношения Ag/S не проводился); для а-фазы (Т<Тв,р) существенно влияние термической предыстории различных образцов
? 10 ?
^ 1
10
ч
О 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
IO3ZT,*.-1
470.IO3-7
1,0 1,5 г,O Z,5 3,0 3,5 103/Т, К~1
Рис. 22.53. Температурная зависимость Холла в Ag2S 1101]
/ SK
{
J
К
j I4
W3ZT1K'1
Рис. 22.55. Температурная зависимость проводимости Ag2Se [97]. При T<7a,? =406 К зависимость имеет полупроводниковый характер, при 7<Та,[-, do/dKO
W
коэффициента
a -Ag2S ^ ./J-Ag2S
Т~ 42
о \ ^ -г -з/г
о ^ N4
500 600 700
10*
S в 7 S 10J
Рис. 22.54. Температурная зависимость холловской по- Рис. 22.56. Температурная зависимость холловской подвижности электронов в а- и P-Ag2S [101] движности электронов в Ag2Se [101]