Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Бабичев А.Н. -> "Физические величины" -> 270

Физические величины - Бабичев А.Н.

Бабичев А.Н., Бабушкина Н.А. Физические величины — M.: Энергоатомиздат, 1991. — 1232 c.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка): fizicheskievelechini1991.djvu
Предыдущая << 1 .. 264 265 266 267 268 269 < 270 > 271 272 273 274 275 276 .. 561 >> Следующая

1. Landolt-Bornstein. Zahlenwerte und Funktionen, II Bd, 6 Teil, 6 Auflage, Berlin—Gottingen—Heidelberg: Springer-Verlag. 1959.

2. Stewart G. R.//Rev. Sei. Instrum. 1983. Vol. 54, N 1. P. 1—10.

3. Макдональд Д.//Физика низких температур: Пер.

Соединение 7V, К Ic, А/см« (Тл).
при 4,2 К Ce2, Тл (Т, К)
Nb3Sn 18,1—18,5 (1—8) - IO5 (0) 24,5—28 (0)
NbTi 9,5-10,5 (3—8) - IO4 (5) 12,5—16,5 (1,2)
12 (4,2)
NbN 14,5—17,8 (2—5) ¦ IO7 (18) ?5 (1,2)
8—13 (4,2)

с англ./Под ред. А. И Шальникова. М: Изд-во иностр. лит. 1959.

4. Handbuch der Physik. Berlin—Gottingen—Heidelberg. 1956. Bd XIX.

5. Смнтеллс К. Дж. Вольфрам: Пер. с англ Л.—M.: Металлургиздат. 1958.

6. SouIe D. E//Phys. Rev. 1958. Vol. 112. P. 698—705.

7. Primak W., Fuchs L. H. Phys. Rev. 1954. Vol. 95. P. 22—31.

8. Spain J. L., Ubbelohde A. R., Young D. А.//РЫ1.

Trans. Roy. Soc. 1967. Vol. 262, N 1128. P. 345—360.

9. Landolt-Bornstein/.Zahlenwerte und Funktionen, 6 Auflage, Springer—Verlag, 1957. IV Bd, 3 Teil

10. Техника высоких температур. Пер. с англ. M.: Изд-во иностр. лит. 1959.

11. Справочник по электротехническим материалам. М.—Л.: Госэнергоиздат. 1960.

12. Готман П. E., Березии В. Б., Хайкии А. М. Электротехнические материалы. M.: Энергия. 1969.

13. Металловедение и термическая обработка/Под ред. акад. Н. Г. Гудцова. M.: Металлургия. 1966.

14. Краткий справочник металлиста/Под ред. проф. А. М. Малова. M.: Машиностроение. 1965.

15. Савнцкий Е. M., Тылкина М. Л., Поварова К. Б. Сплавы рения. M.: Наука. 1965.

16 Сверхпроводящие материалы. M.: Металлургия. 1976.

17. Коэн М. и др. Сверхпроводимость полупроводников и переходных металлов: Пер. с англ. M.: Мир. 1972.

18. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела; Пер. с англ. M.: Наука. 1978.

453 19. Schooley J. F.//J. Phys. 1978. Vol. 39, N C6. 21. Durieux M., Astrov D. N., Kemp W. R. G., Swen-P. 1169. son C. A.//Metrologia. 1979. Vol. 15. P. 57—72.

20. Utton D. B., Soulen R. J., Marshak H.//Low Temp. 22. Таблицы физических величин/Под ред. И. К. Ки-Phys. 1975. Vol. 4. Р. 76—85. коина. M.: Атомиздат. 1976.

Глава 22

ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

С. Д. Лазарев, Е. 3. Мейлихов

22.1. ВВЕДЕНИЕ

Вещества, в которых при T=O К верхняя из запол» ненных электронами энергетических зон (валентная зона) н нижняя из незаполненных электронами энергетических зон (зона проводимости) не перекрываются, являются полупроводниками или диэлектриками. Граница между ними весьма условна — в полупроводниках энергетический зазор между зоной проводимости и валентной зоной не очень велик, что приводит к появлению в зонах заметного числа свободных носителей заряда при 7=г=0 К.

Обычно удельное сопротивление полупроводников (при 7 = 290 К) находится в интервале Ом-см (в металлах р=10~6н-10-4 Ом-см).

Характерными чертами этого класса веществ являются рост электропроводимости с температурой, малая (по сравнению с металлами) концентрация носителей тока, высокая чувствительность электрических свойств по отношению к воздействию излучений и наличию примесей, а также неомическое поведение контактов.

Ширина запрещенной зоны. Ширина запрещенной зоны Es представляет собой энергетический зазор между абсолютным максимумом валентной зоны и абсолютным минимумом зоны проводимости. Определяется по температурному ходу сопротивления или оптическими методами (край полосы поглощения, длинноволновая граница фотопроводимости). Значение Es зависит от температуры и давления; зависимость определяется коэффициентами ar=dEs/dT и аР=дЕц/дР.

Подвижность носителей и проводимость. Дрейфовая подвижность цav=vnv/E, где L-fAp—дрейфовая скорость носителей в электрическом поле Е. Определяется прямыми опытами по времени распространения инжектируемого импульса неосновных носителей и образце. Удельная проводимость о связана с дрейфовой подвижностью (х„, (хр электронов н дырок и их концентрацией пир соотношением сг=е(/ш„ + ри„). Измерение эффекта Холла позволяет определить холловскую подвижность (1//= I Ra I, где R — коэффициент Холла.

Эффект Холла. В полупроводнике, который помещен в магнитное поле, перпендикулярное протекающему по нему току, возникает электрическое поле, перпендикулярное току и магнитному полю. Это — так называемый эффект Холла, описываемый соотношением Eh = RW,

где Eh — напряженность холловского электрического поля; / — плотность тока; H — напряженность магнитного поля; R — коэффициент Холла.

В случае носителей одного сорта (концентрацией п) R = ± г Inc.

Здесь R измеряется в см3/Кл; п — в см-3; е= 1,6- Ю-19 Кл; г —числовой множитель (так называемый холл-фактор), значение которого определяется механизмом релаксации импульса носителей. Знак R связан со знаком заряда но-

сителей (Ж О в образцах га-типа, R>О в образцах р-типа).

При наличии двух сортов носителей (например, электронов и дырок) R зависит от напряженности магнитного поля:

Rn°n (1 -1- -I H2R21) VRflCp (1 + CinIP Rl)

R~ (*n + °p)2 + °n°p(Rn + Rp)H2

Здесь Оп=пе\in, о„=ре\Xp; Rn=-Mne-, Rv=Xlpe.
Предыдущая << 1 .. 264 265 266 267 268 269 < 270 > 271 272 273 274 275 276 .. 561 >> Следующая
Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed