Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках - Вавилов В.С.
Скачать (прямая ссылка):
В опытах (см. рис. 4.17) измерения проводились для фиксированной энергии первичных электронов. Менялась толщина эпитаксиальной плепкп, а условия облучения и измерения оставались неизменными. На основе кривых рис. 4.19 было проведено зондирование профиля распределения электронов, эффективно ионизирующих Z-оболочку [22].
Путем экстраполяции кривых рис. 4.19 была построена энергетическая зависимость радиационного дефектообразования для пленок нулевой толщины, т. е. для условия ДЕ < Е0.
Сопоставление этих данных с функцией энергетической за-! висимости сечения ионизации глубоких оболочек (см. рис. 4.15) регулярных атомов показывает, что экстраполяция кривых «эффект — толщина» позволяет качественно согласовать функции сечения ионизации и сечения генерации допороговых радиационных дефектов. Основываясь на этих результатах, авторы [22, 24] предположили проявление ионизационного механизма генерации дефектов Френкеля в кристаллах Si.
вкстраполяция кривых «эффект — толщина» (см. рис. 4.19) привела к значению для положения максимума эффекта, равному 6 кэВ. Наблюдаемое небольшое отклонение этих значений от предсказываемых теоретически связано с определенными погрешностями в эксперименте. Таким образом, авторами [22] установлена связь подпо-рогового радиационного дефектообразования с ионизацией /Г-оболочки кремния.
Е0,/-;эВ
Рис. 4.19. Смещение кривых энергетической зависимости для эпитаксиальных слоев Si различной толщины. Кривая 4 соответствует смещению максимума кривых рис. 4.17; 1. 2, з— смещению на восходящих участках кривых 1. 2 и 3 (рис. 4.17); 5 и 6—на спадающих участках этих кривых [24].
Таблица 4.2
Зависимость сечения радиационного дефектообразования от энергии излучения и исходных параметров
материала [24 J
Материал 2, см2 Вид излуче Е, МэВ Энергети р, Ом см -з Примечание
ния ческий Л, см
уровень,
эВ
я-Si 1.3-10'“ 06j [асть надп ороговых энергии ю-“
1.3-10~27 7~лучп ?с-0,17 40-80 10й
» Ее-0,5 40-80
0,6 10-28 » 4,0-103 2-1012 Бестигельная зонная
плавка
6,3 10~25 Электроны о ?с-0,16 10---70 1014 »
1,1 ю-25 » 2 Ес-0,4 10---70 10й »
(1,8-3) 10-23 » 101J---101е Бестигельная зонная
плавка
(0,4---8) Ю-24 » 1,7 10й---1 о16 Тигельная зонная
плавка
я-Si 1,2 Ю-27 у-лучи ?,+0,23 43 4-1014
0,2 Ю-28 » 8 ¦ 10:J 3-1012 Бестигельная зонная
плавка
1,2 Ю-25 Электроны 2 ?„+0,15 40 1 • 1015
ДЕФЕКТЫ В АТОМАРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ [ГЛ.
Продолжение табл. 4.2
Материал X, ем2 Вид излуче Е, МэВ Энергети р, Ом-ом -3 Примечание
ния ческий А, см
уровень,
эВ
J5-Si 4-1СГ25 » 2 ^„+0,36 38; 580 I-* Тигельная и бестигель-
(0,2---3) • 1СГ24 » 1,7 0,8-8 О ная зонная плавка
*.
О
о
Si 5-10-23 » 1> Теоретическое значение
---Ю'24 1 для упругого механиз
Ю ма РДО
