Полупроводники - Смит Р.
Скачать (прямая ссылка):
Suppl. 10.
52. Wolf E. L., Solid State Physics, Academic Press, 30, 2
(1975).
53. Solids under Pressure, ed. Paul W., Warschauer, McGraw-Hill, 1963.
54. Keyes R. W-, Phys. Rev., 99, 490 (1955).
55. Keyes R. W., Solid State Physics, Academic Press, 11, 149
(1960).
56. Paul W., Brooks H., Progress in Semiconductors, Heywood, 7, 135
(1963).
57. Drickamer H. G., Solid State Physics, Academic Press, 17, 1 (1965).
58. Slykhouse T. ?., Drickamer H. G., Journ. Phys, Chem. Solids, 7, 210
(1958).
59. Edwards A. L., Drickamer H. G., Phys. Rev., 122, 1149 (1961).
60. Minomura S., Drickamer H. G., Journ. Phys. Chem. Solids, 23, 451
(1963).
61. Jamieson J. C., Sceince, 139, 762 (1963).
62. Samara G. A., Drickamer H. G., Journ. Phys. Chem. Solids, 23, 457
(1963).
63. Nathan M. /., Paul W., Brooks H., Phys. Rev. 124, 391 (1961).
64. Einstein A., Phys. Zs., 18, 121 (1917).
65. Loudon R., The Quantum Theory of Light, Clarendon Press, 1973.
[Имеется перевод: Лоудон P. Квантовая теория света.- М.: Мир, 1976.]
66. Sargent М., Scully М. О., Lamb W. ?., Laser Physics, Addison-Wesley,
1974.
67. Hall R. N. et al., Phys. Rev. Lett., 9, 366 (1962).
68. Nathan M. 1. et al., Appl. Phys. Lett., 1, 62 (1962).
69. Quist Т. M. et al., Appl. Phys. Lett., 1, 91 (1962).
70. Hurwitz C. ?., Calawa A. R., Rediker R. H., Journ. Quantum Electron.
1, 102 (1965).
71. Very High Resolution Spectroscopy, ed. Smith R. A., Academic Press,
1976.
72. Laser Applications to Optics and Spectroscopy, ed. Jacobs S. F. et
al., Addison-Wesley, vol. 2, 1975.
73. Queisser H. J" в сб.: Electronic Materials, ed. Hannay N. B., Colombo
U., Plenum Press, 1973, p. 41.
74. Pilkuhn М. H., Phys. Stat. Solidi, 25, 9 (1968).
75. Wolff P. A., Phys. Rev. Lett., 16, 225 (1966).
76. Slusher R. ?., Patel С. K- N.. Fleury P. R., Phys. Rev. Lett.,
18, 77 (1967).
77. Yafet Y., Phys. Rev., 152, 858 (1966).
78. Dennis R. B., Pidgeon C. R., Wherret B. S., Wood R. A., Proc. Roy.
Soc., A331, 203 (1972).
79. Patel С. K. N.. Shaw E. D., Phys. Rev. Lett., 24, 251 (1970).
80. Allwood R. L. et al., Journ. Phys. C: Solid State Phys., 3, L186
(1970).
81. Mooradian A., Brueck S. R. J., Blum F. A., Appl. Phys. Lett.,
17 481 (1970).
82. Mooradian A., Science, 169, 20 (1964).
83. Loudon R., Adv. Phys., 13, 423 (1964).
84*. Пекар С. И., Исследования по электронной теории ионных кристаллов.-
М.: Гостехиздат, 1951.
15
АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
15.1. Новые теоретические представления
Долгое время считалось, что теоретические представления, на которых
основано обсуждение кристаллических полупроводников, к аморфным
полупроводникам неприменимы. Например, в 1960 г. Иоффе и Регель [ 11
особое внимание уделяли тому факту, что зонная теория, основанная на
понятии блоховских волн, в случае подвижностей менее 10 см8-В-1-с-1
вообще неприменима, а при подвижностях менее 100 см8- В-1-с-1 дает плохие
результаты (см. разд. 13.14). Все это, несомненно, относится к
исследованным до сих пор аморфным полупроводникам. Мы уже обращали
внимание на тот факт, что даже в кристаллических полупроводниках с низкой
подвижностью носителей заряда проводимость может иметь иной характер и
ее,обычно называют "прыжковой" или "диффузионной" проводимостью. Выше мы
уже рассмотрели основные идеи, используемые при описании этого типа
проводимости. Для общего описания явлений переноса в аморфных
полупроводниках некоторые представления еще можно использовать, однако
при этом возникают и совершенно новые проблемы.
Некоторые из возражений, выдвинутых Иоффе и Регелем против теоретических
представлений, на основе которых с таким успехом было дано подробное
описание физических процессов, определяющих свойства полупроводников с
высокой подвижностью, ныне едва ли можно считать справедливыми. Видимо,
трудно поддержать главное возражение Иоффе и Регеля, что представления об
энергетических зонах применимы не ко всем полупроводниковым материалам.
Из экспериментальных и теоретических работ, выполненных за последние
шестнадцать лет, стало ясно, что кристаллические полупроводники с
подвижностями носителей заряда выше, скажем, 100 см8 - В-1-с-1 являются
совершенно другими материалами по сравнению с полупроводниками с низкой
подвижностью и с теми же материалами, но в аморфном состоянии. В
последних значения подвижности намного меньше, чем в кристаллическом
состоянии. На-
526
15. Аморфные полупроводники .
пример, подвижность электронов в аморфном Ge при комнатной температуре
составляет 0,15 см2-В-1-с-1 по сравнению с величиной 4000 см?-В-1-с-1 в
хорошем кристаллическом Ge. Наряду с объяснением низких значений
подвижностей, найденных в стеклообразных материалах, таких, как AsaS3,
новая теория должна объяснить, почему подвижность материалов типа Ge при
переходе их в аморфное состояние падает более, чем на четыре порядка
величины. Теория также должна объяснить, почему некоторые
полупроводниковые материалы (речь не идет о Ge) сохраняют некоторые из
