Ионика твердого тела. Том 1 - Иванов-Шиц А.К.
ISBN 5-288-02746-3
Скачать (прямая ссылка):
LiAISjCXi 1423 3 П21]
LIAIS^O^ 1320 3 [121]
ZtO? 1420 5 [122]
NajZrjSjjPOij 1320 3 [119]
Na^Zri 55Si3 3P0 1 1320 3 [119]
Liq RZr i sTaoF2(PO^)3 1220 3 [П9]
SbjO^H^O 300 - [124]
ЛИТЕРАТУРА
1 Майселл Л, Глзнг Р Технология тонких пленок/Пер сангл М,1977 Т I
2 ЧопраКЛ Электрические явления в тонких пленках / Пер с англ М , 1972
3 Ptegart A , Maseth Е //Thm Solid Films 1985 Vol 124, N3/4 Р 249
4 Vtiur&s Р Masters Л HI Electrochem Soc 1969 Vol 116 P 880
5 Mrgudish JN, Louzos D V H Primary battery / Eds GW Hesse, NC Gaboon New
York, London, 1971 Vol 1 P 377
6 Ивапов~Шиц A fC, Дьяаое В A , Бороекое В С t Лушков ВИИ Электрохимия
1976 Т 12, № 4 С 612
7 Боровков В С, Иваиов'Шиц А К " Цветноеа Л А //Электрохимия 1975 Т 11,
№4 С 664
8 Мурин И В , Иеаиое-Шиц А К, Цветнова Л А и др // Вестн Ленингр ун-та
1982 № 10 С П8
9 Патент № 77 28113, Н 01 М 4/18 (Франция) / Y Danto, J D Pistre, Р
Smutek е a Conducteurs amaniques fluores en coucher minces, Jeur
fabrication et leurs applications electiochimiques Предст 16 09 1977,
опубл 13 04 1979
10 AroraMR, ChldsJ //J Electrochem Soc 1976 Vol 123, N2 P 222
11 AroraMR //Thm Solid Films 1980 VoJ 71,N2 P 255
12 Абдуллаев А Л Алиев ХА, Карнаухов A M Физические свойства и фазовый
состав тонких пленок твердого электролита СщКЬС^+гЬ-г и халъкогенидов
меди Препринт Ин-та физики АН АзССР № 171 Баку, 19S6
13 MinamiT, KamkoH //Solid State lomcs 1985 VoJ 17,N 1 P 57
14 Rctmirez~Duverger A, Rmz-Salvodor A R, Fernandez-Sanchez MP e a
// Solid State Ionics 1997 Vol 96, N 1/2
P 89
15 Mahalmgham Tt Radhakrtshnan M, Balasubramaman С //Thm Solid Films 1981
Vol 78,N3 P 245
16 Ramanujam R, Radhakrishnan M, Balasubramaman С //J Mat Sci 1984 Vol
19, N2 P 2401
17 OmjtPB, Cochran J К //Mat Chem Phys 1985 Vol 13,N2 P 105
18 ХодосМЯу Черкащенко В Криеошеее Я В, Галахов В Р И Изв АН СССР Неорг
материалы 1985 Т 21, №2С 2059
19 QhtsukaH, YamajiA //Proc 15th Intertelecom Energy Conf Tokyo, 1983 P
353
20 Деспотуяи А Л, Личкоеа MB, МиненкоеаИА * Носенко СВ //Электрохимия
1980 Т26,№11 Р 1524
21 Kuwabara К, YosktzakiH, Sugiyama К //J Appl Electrochem 1984 Vol 14,
N3 P 373
22 ho Y, MtyauchК ,OiT //J Non-Cryst Solids 1983 Vol 57,N3 P 389
23 Dzwonkotysfo P, Juhen С > Batkansfo M //Apll Surface Sc i 1988 Vol
33/34 P 838
24 Jourdcnm L, SouquetJL* Detord VfRibesM //Solid Staleiomcs 1988 Vol
28/30, ptll P 1490
25 Chowdan В V R r Radhakrisfotan К //Solid State Ionics 1990 Vol 40/41,
pt П P 680
26 Can Я у Truong V-У //J Appl Phys 1995 Vol 78, N9 P 5675
27 Kbala M, MakutaM, LevasseurA, HagenmuUerP //Solid State lomcs 1985
Vol 15,N2 P 163
28 OiTMiyauchtK //Mat Res Bull 1981 Vot 16,N10 P 1281
29 BarnereAS, ChaouhA, GeversG ea //ThmSolid Films 1988 Vol 158, N 1
P 81
30 //ThinSohd Films 1984 Vol H3,N4 P 287
31 LabrdiF mrcosJ'SalardeneJ //Solid State Ionics 1989 Vol 34,Ni/2 P 1
32 Targore J D * Murphy A R //Thin Solid Films 1990 Vol 191, N1 P 47
33 Mtyaucht К у Kudo 7\ Suganumo T // Appl Phys Lett 1980 Vol 37, N9 P
799
34 SckneUJ-Ph, Velasco G, Coiomban Ph //Solid State lomcs 1981 Vol 5 P
291
35 OhtsukaH, YamqjiA //Solid State lomcs 1983 Vol 8,N1 P 43
36 Kanehor} К, №<№wnQtoK у Mtyaucht К, KudoT // Solid State lomcs
1983 Vol 9/10, pt II P 1445
58
37 Miyauchi К > Hatsumoto К р Kanehort К. Kudo Т И Ibid Р 1479
38 Kokat F, Атапо К, OchtatY, Umemura F tf) Appl Phys 1992 Vol 72, N2 P
699
39 Laser Ablation / Ed JC Miller Berlin, 1994
40 OhtsukaH YamakiJ //J Appl Phys Japan 1989 Vol 28,N П P 2264
41 MeumerG, Dormoy R, levasseur A //Mat Sci Eng 1989 Vol B3,N 1/2 P 19
42 Chowdan В V R f Radhakrishnan К ft Solid Stale lorucs 1991 Vol 44,
N3/4 P 325
43 Nguyen L Q, Truong V-V //J Appl Phys 1996 Vol 80, N 5 P 2914
44 Bates J 8, Gruzaiskt G R Dudney N J e a // Solid State Ionics 1994 Vol
70/71, pt I P 619
45 MmrttN, HisamotoJ, Yamazoe N, Kuwata S //Appl Surf Sci 1988 Vol 33/34
P 1253
46 Mntra N> Hisamoio J, Yamazoe N e a //Sensors and Actuators 1989 Vol
16, N 4 P 301
47 KafsubeT, Нага M t Serizmva I ea //J Appl Phys Japan 1990 Vol 29, N8 P
LJ392
48 CrosetM,SchmtlJP, VelascoG //J Appl Phys 1974 Vol 48,N2 P 775
49 Nakagawa NP Kuroda СP Ishtda M // Denki Kagaku 1989 Vol 57, N 3 P 215
50 Qnisawa Kf FuyamaM p Tamura К ea //J Appl Phys 1990 Vol 68, N2 P 719
51 Суйкоеская И В Химические метода получения тонких пленок Л, 1971
52 Крылова Г И Интерференционные покрытия Л, 1973
53 Spear К Е, Carisson J -О // The Electrochemical Society Interface 1993
Vol 2, N2 P 39
54 Cochrane G //J Cryst Growth 1970 Vol 7,N 1 P 109
55 Cochrane G, Fletcher N И ft} Phys Chem Soc 1971 Vol 32 P 2557
56 BertyCR ft Acta Cryst 1949 Vol 2,N6 P 393
57 PevereiU К J P von Leeuween H P ft I Electroanal Chem 1979 Vol 99, N2
P 157
58 Patent N 56-14408 (Japan), 1979
59 Miyamurahd t Tomura S P Imat A P Inomata $ ft Solid State lomcs 1981
Vol 3/4, pt I P 149
60 Takahashi T, Yamamoto О p Ikeda S it Denki Kagaku 1969 Vol 37,
N 11 P 796
61 Yamamoto О P Takahashi T //Denki Kagaku 1966 Vol 34, N 10 P 833
