Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Иванов-Шиц А.К. -> "Ионика твердого тела. Том 1" -> 29

Ионика твердого тела. Том 1 - Иванов-Шиц А.К.

Иванов-Шиц А.К., Мурин И.В. Ионика твердого тела. Том 1 — Санкт-Петербург, 2000. — 616 c.
ISBN 5-288-02746-3
Скачать (прямая ссылка): ionikatverdogotelat12000.djvu
Предыдущая << 1 .. 23 24 25 26 27 28 < 29 > 30 31 32 33 34 35 .. 305 >> Следующая

енГ^венных пленок с составом, близким к стехиометрическому, с
воспроизводимыми свойствами (10]
С помощью магнетронного высокочастотного катодного напыления были
получены пленки ту-^тлавкого натрий проводящего электролита Na-p-Ga203
[33], который является формульным аналоем хорошо известного N а-Р-
глинозем а В качестве мишени использовали смесь исходных компонентов
\Ta20-4Ga203-NaGa02 Пленки толщиной около 2 мкм подвергали отжигу при
800-1200°С в течение нескольких часов, оптимальный режим - выдержка при
1100°С в течение 3 ч Отметим, что япенки Na-P-глинозема получить прямым
ионным распылением не удается, поэтому на монокристалл а-А1203 с помощью
высокочастотного распыления в кислородной плазме предварительно осаждался
аморфный слой А1203 и проводилась тепловая обработка в атмосфере паров
натрия [34]
Пленки литийпроводящкх соединений из семейства LJSECON получали [19, 35]
ВЧ-ионным распылением, мищрнью служил предварительно синтезированный
материал Пленки, как правило, были аморфными* поэтому их дополнительно
отжигали и переводили в кристаллическое состояние, что повышало
проводимость образцов Параметры кристаллической решетки пленок состава
Li3Zn& sGeO^, из готов ленньгх как ВЧ-распылением (ВЧ-пленки), так и
вакуумным напылением с нагревом электронным лучом (ВН-пленки), приведены
в табл 2 Отметим, что состав полученных слоев толщиной около 0,5 мкм был
однородным по площади* размер зерен варьировался от 0,1 до 2 мкм [35, 36]
Таблица 2 Параметры ромбической ячейки ДЛЯ Li^ZnMGeOj [19]
Материал а> А Ь А с А
Керамика 10*84 6,27 5,15
ВЧ-пленки 10*84 6,29 5,17
ВН-пленки 10*80 6,33 5,12
Таблица 3 Условия получения тонких пленок СИП (методы ионного распыления)
СИП Газ, давление, Па Температура подложки, К Скорость
осаждения, А/ч Толщина, пленки, мкм Литера- тура
AgiglisPiO? Ar, P = 0,8 420 15-20 3 ю4 пн
Agl-AgjO-В202 Ar/02= 3/1* P =* 2,7 283 - - [13]
Li14Zn(Ge04)4 At/02, P = 12 373 1000 5 10* [35, 36]
Li20--S i 02-Zr02 Ar/02~ 6/4, P = 3 400 5000 2 104 [37]
Ll20-V2Os-Si02 Ar/02 = 7/3, P-2 473 2600 - [40]
0,8Li2O-B3Oj- 038Lt4SO4 Ar, P = 1 - 7000 2 104 [41]
LijO-P20 5-N b2Oj Аг/Оз Р" 1,9 450 9000 2,6 104 [42]
LiNb03 Ar/N2 P = 0,2 300 - 50 [43]
Li3 3РОз sNo 22 Ar/N2 P = 2*6 - 1000 104 [44]
Na-p-Ga203 Аг/Ог = 6/4, P~ 4 580 5000 2 10" [33]
LaFj Ar,P = 0,7-10,7 300-450 240-9000 5 104 [31,45-47]
Er203-CaO Kr2,02 - - 5 Ю2-1,7 Ю4 [48]
ZrO,-Y203 Ar/02 = 9/1 580 - (3-12) 104 [49]
y2q3 Ar, P = I-10 - 1200-1500 5 103 [50]
Аморфные пленки литиевого проводника в системе Ll20-SlG2-Zt02
синтезировали с помощью магнетронного высокочастотного распыления в
аргон-кислородной атмосфере [37], в качестве мишени использовали смесь
Li20, Si02, Zr02, соотношение компонентов подбиралось экспериментально
Образцы толщиной 2 мкм показывали высокую стабильность в контакте с
литием
49
ХеСГлаэер
Рис П 4 4 Осаждение пленок 2Ю* - УгОэ методом лазерной абляции 1381
Для получения пленок стабилизированного оксида циркония был использован и
новый метод лазерной абляции [38, 39] Лазерный пучок фокусировался на
вращающейся со скоростью 0,5 об /с мишени из 0,92ZrO2-0,O8Y2O3 (рис II4
4) Осаждение пленок происходило в атмосфере 02 (Ю^5-10"1 мм рт ст) на
подложку из стекла или Се02-Sm2Oj, температура которой варьировалась от
300 до 850 К Кристалличность и свойства пленок толщиной 0,5-2 мкм
существенно зависели от условий отжига напыленных образцов [38]
В табл 3 указаны характерные режимы получения пленок СИП [11, 13, 31, 33,
35-50] с использованием методов ионного распыления
4.2. Химические методы
Направленный синтез тонких слоев ТЭЛ может быть осуществлен различными
химическими методами, в которых образование слоя происходит при его
осаждении нз газовой или жидкой фазы в результате химической реакции,
индуцируемой тепловой энергией, плазмой, изменением pH и тд [51, 52] В
последнем случае слой возникает в результате смещения концентрационного
равновесия между реагентами в газовой или жидкой фазе и в растущем слое в
сторону образования последнего
4,2 L Химическое осаждение из паровой фазы. Технология химического
осаждения из паровой фазы (ХОПФ, или chemical vapor deposition - CVD) в
последнее время бурно развивается Метод ХОПФ широко используется в
микроэлектронике и производстве интегральных схем, оптических композитов
и защитных покрытий и тп [53] Суть его состоит в испарении исходного
летучего соединения при температуре транспортировке его паров к нагретой
до температуры Тр>Тпсп подложке и химическом разложении на ней с
образованием твердой пленки и газообразных продуктов термолиза К
достоинствам метода относятся равномерность и морфологическая
однородность покрытия, возможность получения высоких адгезионных свойств,
к недостаткам - загрязнение покрытия продуктами разложения, необходимость
строгого контроля параметров процесса Решающими факторами являются
свойства (летучесть, устойчивость) исходных соединений, механизм, условия
и продукты разложения, свойства подложки и способ транспортировки паров
Предыдущая << 1 .. 23 24 25 26 27 28 < 29 > 30 31 32 33 34 35 .. 305 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed