Ионика твердого тела. Том 1 - Иванов-Шиц А.К.
ISBN 5-288-02746-3
Скачать (прямая ссылка):
газовым пространством (по данным [27,28])
/ - исходный поли кристаллический материал, 2- монокристалл a-Ag;X, 3 --
расплав неметаллического компонеЕпа, 4 - неметаллический компонент после
разложения исходного материала Г3 - температура разложения ct-AgaX, Т2 -
температура роста кристаллов
ЛИТ ЕРАТУРА
1 Чернов А А, Гиваргизов к И, Богдасаров X С идр Образование кристаллов
Современная кристаллография М J9S0 Т 3
2 Видьке Л-Т Методы выращивания кристаллов / Пер с нем Л , 1968
3 Меаное-Шщ А К, Демьянец ЛИ // Кристаллография 1995 Т 40, Хаб С 1077
4 Третьяков Ю Д Твердофазные реакции М > 1978
5 ColombauPh //Solid State Ionics 1986 Vol 21,N2 P 97
6 ManmngMR, VenutoCJ, Baden D P HI Electrochem Soc 1971 Vot LIS, N
L2 P 2031
7 Hibma T 11 Phys Rev 0 1977 Vol 15, N12 P 5797
8 Мищенко A В " Иваное-Шиц A К f Гоффман В Г, Боровков ВС Н
Электрохимия 1977 Т j 3* № 12 С 1858
9 MillsDR Per rot С М, Fletcher Ы И //J Cryst Growth 1970 Vol 6,N2
Р 266
10 CochranG 11 Brit } Appl Phys 1967 Vol 18 P 687
11 Hdk M E 1П Cryst Growth 1970 Vol 7, N2 P 257
12 VargaM Vannayl //Cryst Res Technol 1986 Vol 21,N 1 P KI
13 Быков А Б Демьянец Л И, Доронин С И идр //Кристаллография 1987 Т 32,
№6 С 1515
14 Быков А Б Демьянец Л И, Доронин СИ и др // Рост кристаллов / Ред X С
Еагдасаров, Э Л Лубе М , 1988
Т 16 С 44
15 Вогапей В Poivovidi R h Pertssinom J i Waisoe de Reca N E fi Solid
State Ionics 1981 Vol 3/4, pt 11 P 301
44
16 Демъян&ц Л И t Мельников О К, Максимов Б А идpH Кристаллография 1981 Т
26, Na 4 С 735
17 Schonherr Е, MuttergG Wmckler Е HI Cryst Growth 1978 Vol 43, N4 P 469
18 SchcnherrE, Kohler A , PfrommerG //Inorganic syntheses / Ed SL Holt,Jr
New York, 1983 Vol 22 P 48
19 Walker P J H Prop Cryst Growth Charact 1981 Vot 3 P 103
20 Atherton L J h Payne SA U Ann Rev Mat Sci 1993 Vol 23 P 453
21 Pastor R С AntaK H Mat Res Bull 1975 Vol 10 P 493
22 Cocks FИ Stormont R W Hi Electrochem Soc 1974 Vol 121, N4 P 596
23 Morrison A D Stormont R Ws Cocks FH HI Amer Ceram Soc 1975 Vol 58,N
1/2 P 41
24 IkedaS, Sakurai О, UematsuK e a // J Mat Sci 1985 Vol 20, N 12 P 4593
25 Александров В И, Осико В В, Прохоров А М, Татаринцев В М // Успехи
химии 1978 Т 47, вып 3 С 385
26 HanngT,$choonmanJ HI Solid State Chem 1978 Vol 23,N 1-2 P 205
27 Ohacht T, Tamgucht / И J Cryst Growth 1977 Vol 40, N 1 P 109
28 OhachtT, PampltnBR HI Cryst Growth 1977 Vol 42 P 592
29 Okabe T Nakagawa M HI Cryst Growth 1977 Vol 46, N4 P 504
§ 4. Получение супернонных проводников в виде пленок
Интенсивное развитие микроионики предъявляет все более высокие требования
к методам синтеза тонкослойных структур. В настоящее время ставятся
конкретные технологические задачи синтеза тонких слоев СИП, в которых в
ряде случаев расположение различных атомов задается на уровне одного
монослоя структурных единиц.
Для получения пленок СИП используются разнообразные методы, которые
условно могут быть разделены на три основные группы [1]. К первой, по-
вщщмому, самой многочисленной, относятся методы физического осаждения из
паровой фазы, основанные на испарений или распылении материала источника,
- термическое испарение или ионное распыление* Другая объединяет
химические метода синтеза тонкопленочных образцов, такие, как химическое
осаждение из паровой фазы, химическое осаждение из раствора,
электрохимическое осаждение, метод трафаретной печати* Наконец, в
последнюю группу входят методики, базирующиеся на механических принципах
получения или нанесения пленок, - пропитка тонких слоев инертного
материала, прокатка, механическое утоньшение кристаллов и т*п,
Ниже основное внимание будет уделено первым двум группам методов, как
наиболее перспективным для технологии, обеспечивающим изготовление
высококачественных тонкопленочных образцов Подчеркнем, что окончательный
выбор метода синтеза обусловлен всем комплексом требований, предъявляемых
как к СИП, так и к функциональному блоку в целом
4Л, Физические методы
'4ЛЛ> Вакуумное испареиие. Этот метод является наиболее распространенным
и широко используемым для получения тонких слоев Атомы, конденсируясь,
образуют трехмерные зародыши, которые, срастаясь, формируют затем тонкую
пленку Структура и свойства пленок зависят прежде всего от кинетики
процесса роста, в частности, структурный порядок в пленках (те размер и
ориентацию кристаллитов) во многом определяют тип и температура подложки,
скорость осаждения испаряемого вещества, последующий отжиг пленки и т п
[2] Таким образом, в зависимости от условий получения пленки СИП имеют
разные кристаллическую структуру, ориентацию, могут быть эпитаксиальными,
аморфными или поли кристаллически ми и, следовательно, обладать
различными свойствами
Для определения толщины пленок используют различные методы, связанные с
измерениями как механическими с помощью, например, профилографа, так и
разнообразными оптическими [3]
Классическим представителем СИП является Agl Тонкие слои Agl были
получены вакуумным испарением на холодную подложку [4], однако на
