booksshare.net -> Добавить материал -> Химия -> Хамакава Й. -> "Аморфные полупроводники и приборы на их основе" -> 34

Аморфные полупроводники и приборы на их основе - Хамакава Й.

Хамакава Й. Аморфные полупроводники и приборы на их основе. Под редакцией докт.техн.наук С.С. Горелика — М.: Металлургия, 1986. — 376 c.
Скачать (прямая ссылка): amorphnye-poluprovodniki.djvuПредыдущая << 1 .. 28 29 30 31 32 33 < 34 > 35 36 37 38 39 40 .. 153 >> Следующая
88. Yeprek S. etal. - Philos. Mag.. B43 (1981) 527.
89. Ilirosc M. et al. - J. Non-Crys. Solids, 35/36 (1980) 297. J. de Physique, 42(1981) Suppl. 10. C4-705.
90. Madan A.. Ovshinsky S.R., Benn E. - Philos. Mag., 40 (1979). 259.
91. Mctsumura IL. Nakagome Y., Furukawa S. - Appl. Phys. Lett., 36 (1980), 439.
92. Shimada T.. Katavama Y., Horigome S. - Jpn. J. Appl. Phys., 19 (1980) L269.
93. Uatsumura II., Furukawa S. Jpn. J. Appl. Phys., 20 (1981) Suppl. 20. 1, p. 175.
94. Tanaka K. et al. Jpn. J. Appl. Phys., 20 (1980) Suppl. 20-1, p. 267. Mishima Y. et al Philos. Mag., 46 (1982). 1H.
95. Hamasaki T. et al. - Appl. Phys. Lett., 37 (180) 1 084. Matsuda A. et al. - Jpn. J. Appl. Phys., 20 (1981), L439.
96. Veprek S. etal. - J. Phys. C; Solid State Phys. 14 (1981) 295.
97. Richter H., Ley L. - J. Appl. Phys., 52 (1981), 7281. 9&.HirakiA.etal. - J. de Physique 41 (1981) Suppl. 10, p. C4-277.
99. Shimada T. et al. - Abstr. Semp. Electronic Materials, Inst. Electron, Commun.
Eng. Japan (Jan. 19, 1982), Nakagawa K. et al. - Colleted Papers of 2nd Int. Sump.
Molecular Beam Epitaxy and Clean Surface Techniques (1982) 197. R00. TsujiK., MinomuraS. - J. de Physique, 42, Suppl. 10(1981) C4-233. 1101. Wakagi M. et al. - Abstr. Automn Meeting, Phys. Soc. Jpn. (1981) 11 -p. 161:
M.S.Thesis. University of Tokyo (Tokyo, 1982).
102. Tawada Y. etal. - J. Appl. Phys., 53 (1982) 5273.
103. Katayama Y., Shimada T., Usami K. - Phys. Rev. Lett., 47 (1981) 1146.
104. von Roedern B., Ley L., Cardona M. - Phys. Rev. Lett., 39 (1977) 1576. von Roe-dem B. etal. - Philos. Mag., B40 (1979), 433.
105. CavellR.G. etal. - Phys. Rev., B7, (1973) 53J3.
106. Shimada T, Katayama Y. - Proc. 15th. Int. Conf. Physics of Semiconductors (Kyoto, 1980); J.Phys. Soc. Jpn., 49 (1980) Suppl. A., p. 1245.
107. Matsumura H. et al. - Appl. Phys., 52 (1981) 5537.
108. SawadaA., UsuiS., KikuchiM. - Jpn. J. Appl. Phys., 20(1981) L133.
109. Grunz K.J., Ley L., Johnson R.L. - Phys. Rev., D24 (1981) 2069. Lev L. et al. J.Phys. Soc. Jpn., 49 (1980) Suppl. A, 1241.
MO. Matsumura H., Furukawa S. Amorphous Semiconductor Technology and Devices 1982, ed Y. Hamakawa (Ohm. North-Holland, Tokyo, 1981), p. 88. Matsumura H. etal. - J. de Physique, 42 (1981) Suppl. 10, p. C4-209.
111. Lucovsky G. Fundamental Physics of Amorphous Semiconcudtors. Proc. Kyoto Summer Institute (Kyoko, Japan, Sept. 8-11, 1980) ed. F.Yonezawa (Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, 1981), p. 87.
112. Ueda S., Kumeda M., Shimizu T. - Jpn. J. Appl. Phys., 20 (1981) L399.
113. Ueda S., Kumeda M., Shimizu T. - J. de Physique, 42 (1981), Suppl. 10 p. C4-729. 114.NakazawaR. etal. - Jpn. J. Appl. Phys., 21 (1982) L176.
MS. JmuraS., Ushita K., HirakiA. - Pjn. J. Appl. Phys., 19 (1980) L61.
116. Usami K., Katayama Y., Shimada T. - Jpn. Appl. Phys., 19 (1980) 2065.
Ml. Katayama Y. etal. - J. de Physique, 42 (1981) Suppi. 10 p. C4-787.
118. Imura T. et al. - Proc. 6th Symp. Ion Sources and IonAssisted Technology (Tokyo. June 7-9, 1982) 273.
119. Ishisate T. etal. - Solid State Commun. 42 (1982) 797.
120. Pfister G., Scher H. - Adv. Phys., 27 (1978) 747.
121. LeComber P.G., Spear W.E. - Phys. Rev., Lett. 25 (1970) 509.
122. Tiedje T. etal. - Phys. Rev. Lett., 46 (1981) 1245. m.AllanD. - Phil. Mag. B, 38 (1978) 381.
124. ShirafujiJ. etal. - Jpn. J. Appl. Phys., 20 (1981) Suppl. 20- 2, 175
125. Tiedje T, Moustakas TD., Cebulka J.M. - J. de Phys., 42, Coiloq C4 (1981) Suppi 10, p. C4-155.
126. KirbyPB., Oaul W. - Phys. Rev. B25 (1982) 5375.
127. Scher LI., MontrollE. - Phys. Rev., B12 (1975) 2455.
128. Seki H. Amorphous and Liquid Seminonductors, eds. J. Stuke and W.Brenif (Taylor and Francis, London, 1974) p. 1075.
129. PollakM. - Phil. Mag., 36 (1977), 1 157.
130. SchmidlinP.W. - Phys. Rev., B16 (1977) 2362. m.NoolandiJ. - Phys. Rev., B16 (1977) 4474. №. Marshall J.M. - Phi!. Mag., 36 (1977) 959.
133. Silver M., Cohen L. - Phys. Rev., B15 (1977) 3276.
\2A.NoolandiJ. - Phys. Rev., B16 (1977) 4466.
135. Tiedje T, Rose A. Solid State Commun., 37 (1980) 49.
\36. Buhs W., Milleville M., Stuke J. - Phys. Stat. Sol., (b), 89 (1978) 495.
137. Grandall R.G. - J. Appi. Phys., 52 (1981) 1387.
138. Moore A:R. - App!. Phys. Lett., 31 (1977) 762.
80
139. LeComber P.G., Madan A., Spear W.E. - Proc. 13th Session Scottish Univ. Summer School in Phys. Elect, and Structural Properties of Amorphous Semicond. (1972, Aberdeen, U.K.), eds. p. G.LeConber and J.Mort (Academic Ptess, 1973) p. 373.
140. Tiedle T. et al. - Appl. Phys. Lett., 36 (1980) 695.
141.Л/огг N.F., Gurney R.W. Electronic Processes in Ionic Crystals (Clarendon Press, Oxford, 1940). Мотт H., Герни P. Электронные процессы в ионных кристаллах. М.: Ил, 1950, 342 с. сил!
142. Spear W.E., LeComber P.G. - J.Non-Cryst. Solids. 8-10 (1972) 727.
143.Madan A., Spear W.E. - Proc. 8th Int. Conf. Amorphous and Liquid Semicond. (Edinburgh, 1978) p. 377.
144. Spear W.E. etal. - J. de Phys., 442 (1981), Suppl. 10, p. C4-1143.
Предыдущая << 1 .. 28 29 30 31 32 33 < 34 > 35 36 37 38 39 40 .. 153 >> Следующая