Аморфные полупроводники и приборы на их основе - Хамакава Й.
Скачать (прямая ссылка):
" субоксидов 345
" тонкие, Те и TeSc 347 Плотность атомная 52
" информации 357
" состояний 25, 26, 130
" " , асимметрия 32
"" локализованных 310, 312
" тока короткого замыкания 215 Подвижность дрейфовая электронов 72, 365
" " дырок 75, 365
" эффективная 285, 300, 304 Подложка 246, 276, 298 Показатель преломления a-Sc и Ли 338
374
Поле электрическое внутреннее 213 Полупроводник аморфный 12, 15
" ", атомная структура 21 Пора 23
Потенциал диффузионный 216
" поверхностного заряда 368 Правило fc-отбора 40
" Урбаха43 Проводимость 309, 311
" модулятора 342 ' .
" пленок a-Si^N \ _ х : Н 203
" " a-Si 306
" сплавов Si -,Ge - В 308
" темновая 158, 193, 201, 274 Произведение подвижности на время жизни 221, 268 Пропускание пленок 353
Профиль распределения в слое a-SiC : Н 225, 249 " фототока в солнечном элементе 226
Рассеяние рамановское (ИК комбинационное) 61 Расчет ВАХ 260
Режим работы фотодатчика 323, 329 Решетка Бете (см. дерево Каули) 31
Свет "зонный" 336
" "субзонный" 336
" Не - Ne-лазера 336 Сетка случайная 22, 25, 33 Сигнал, записанный 359 Сила осциллятора 37, 40, 85 Сканирование 297 Скорость фоторазряда 368 Слой контактный 313 Состояние типичное 36 • Сопротивление лицевого контакта 237 Спектр a-Si^C) _ х '¦ Н, фотоэлектронный 53
" a-Si^Ni _ х : Н 206
" оптического поглощения 36, 109
" солнечный 258
Спектроскопия пикосекундная нестационарная дифракционная 144 Спиновая плотность 86 Стабильность пленок 353 Стекла Корнинг 7059 298 Структура атомная a-Si : Н 50
" a-Si-TnT283
" двухслойная 143
" солнечных элементов 233, 265, 269
" " " каскадного типа 258
" типа алмаза 32 Схема для расчета потери мощности 241
Температура осаждения 274
" стеклования 343 Я-Тензор 92
Теория количественного беспорядка 23 " неупорядоченной системы 22 " топологического беспорядка 22
Ток канальный, дрейфовый 283
" короткого замыкания 262, 275
" насыщения, обратный 238 Транзистор 13
" a-Si-ТПТ самосовмещенный 287. 290
" тонкопленочный 282, 289, 293
" полевой с МОП-структурой 282, 304
" ", работающий в режимах обогащение - обеднение 288
" ТПТ, термическая стабильность 293
" ", выходные характеристики 302 Трансляционная симметрия 36
Узел пустой (см. пора) 23 Уравнение Пуассона 259
" Шредингера 25 Уровень Зеемана 94
" Ферми 312 Условия АМ-1 224/253 Условие когерентности потенциала 27 Устройство копировальное (КУ) 360 " " с барабанам из a-Si 371
Фосфин 270
Фотодатчик контактного типа 322
" линейный с матричным управлением 329 Фотоосветление 351 Фотопотемнение 335, 351 Фотоприемник многослойный 366, 377 Фотопроводимость 139, 201
", коэффициент усиления 139
" люминесценции 98
" межзонного поглощения 37 Фототок 68, 137 Фоточувствительность 364
Хвосты Урбаха 31
Цветодатчик интегральный 320
Частота модуляции 129
Шероховатость 246, 278
Ширина запрещенной зоны 24, 29, 172, 200
Электроотрицательность 205 Элемент солнечный на основе a-SiGc : Н 268 " " на основе MK-p-i-n/ОИО 279 " " каскадный 210, 228 Эффект Ксрра 356 " "оконный" 370 " полевой 70
" Стасблера - Вронски 169, 294 " Холла 309
" элемента, размерный 235, 237 Эффективность дифракции зондового света 145 " собирания носителей 213, 228 " солнечных элементов 16
