Основы физики поверхности твердого тела - Киселев В.Ф.
Скачать (прямая ссылка):
- флуоресцентная спектроскопия
137
Решеточная модель Изинга 223 Рэлея поверхностные волны 157 Сверхструктуры
(сверхрешетки) 79-81, 133
Сверхтонкая структура спектров ЭПР 144 Сдвиг Стокса 168
Сечения захвата 88-90, 96, 99, 103 Случайные (флуктуационные) кулоновские
поля на поверхности 65, 71-73, 76, 87, 200, 203, 204, 207 Силициды 186
Скорость поверхностной
рекомбинации 100-103 Сканирующий туннельный
микроскоп (СТМ) 125-127 Спектроскопия энергетических
потерь электронов (СЭПЭ) 167 Тамма состояния 77-78 Таммана температура
162 Тепловое расширение поверхности 161
Тепловые колебания поверхностных атомов 157-159 Теплопроводность
поверхности 161 Темп захвата носителей заряда 88, 91 95, 98
- рекомбинации 99-100 Травление поверхности 122 Угловое распределение
фотоэлектронных спектров 165 Удельная поверхность 228 Уровни инжекции
носителей заряда 29-36, 94, 98-104, ПО, 264, 273 Фактор Дебая-Уолера 159
Флуктуации электрофизических свойств 72-74 Фотоадсорбция 260, 264
Фотодесорбция 260, 264 Фотодиссоциация 262, 265 Фотоинжекционных токов
метод 188 Фотомагнитоэлектронный эффект 113
Фотопроводимость биполярная 61 -63 Фотоэдс барьерная 31,32
- Дембера 31,35
- ОПЗ 31-34
- поверхностная 31-36,56,60
- ПЭС 35
Фотоэлектронная спектроскопия 163-
166
Фукса теория электронного переноса 47, 48
Фрумкина-Фаулера-Г у ггенгейма уравнение 224 Ханемана гофрированная
модель поверхности 169 Химический сдвиг 136, 137 Холла эффект
классический 63
- квантовый 65 Холл-фактор 64 Холловское сопротивление 65 Шокли состояния
77-78 Шокли-Рида-Холла формула для
рекомбинации 100 Шоттки барьер 23,186 Шубникова-Де Хааза осцилляции 67
Частотный фактор захвата на АПЭС Электроне донорные центры 182 Электронно
акцепторные центры 182.237
Электронно колебательная модель захвата и рекомбинации 255-257
Электронно стимулированная электроадсорбция 260 Электронный парамагнитный
резонанс (ЭПР) 142-145 Эллипсометрия 129-130 Электронная теория
неупорядоченных систем 113, 114
Электрон-фотонная спектроскопия 166
Электронный квантовый предел 43 Электронная Оже спектроскопия 138
Электрострикционные эффекты 205 Энергия активации адсорбции 223, 268
десорбции 237
- перескока носителя 76, 188
- проводимости 72
- подвижности 72
- процесса перезарядки МСГ 193,
195
- захвата на А77ЭС 256-257 Энергия корреляции 168, 202 Энтропия адсорбции
235 Эйнштейна соотношение 35
Эффект поля 56
Эффект накопления протонов 267 Ядерный магнитный резонанс (ЯМР) 139, 140
Яна-Теллера эффект 168, 169
Предисловие
3
Предисловие
Предлагаемая читателю книга написана на основе лекций по отдельным
разделам физики поверхностных явлений, прочитанных авторами для
студентов, аспирантов и научных работников Московского Университета им.
М.В. Ломоносова, а также ряда университетов России, Армении, Болгарии,
Германии, Нидерландов и Украины. Книга выходит за рамки конспекта лекций
и задумана как учебное пособие, ставящее своей целью ввести читателя в
курс современных представлений о природе и механизме протекания
разнообразных явлений на свободных поверхностях твердых тел и на границах
между ними. Как мы покажем ниже, эти проблемы касаются самых различных
областей естественных наук. Ввиду ограниченности объема учебного пособия
в качестве ключевого направления мы выбрали рассмотрение основных
особенностей электронных и молекулярных процессов, разыгрывающихся на
поверхностях, а также взаимосвязей между этими процессами. В связи с
бурным развитием микро- и наноэлектроники определенное предпочтение
отдано явлениям, происходящим на поверхностях полупроводников. Это
соответствует и научным интересам авторов книги. В книгу не включены
явления на границе полупроводник-электролит, процессы, протекающие на
поверхности при высоких (лазерных) уровнях фотовозбуждения поверхностной
фазы, процессы на поверхностях ферроэлектриков, модельные теоретические
расчеты и некоторые другие вопросы.
Для описания межфазных границ трудным является вопрос о символике
обозначения тех или иных физических величин. Чтобы не нарушать принятую
для описания молекулярных систем и электроники твердого тела символику,
мы в каждом отдельном случае оговариваем смысл применяемых обозначений.
Другая трудность связана с цитированием оригинальной и весьма обширной
литературы. В соответствии с принятым в ряде учебников стилем изложения,
мы старались избегать такого цитирования, оставляя лишь ссылки на
заимствованный нами иллюстративный материал. Чтобы оправдаться перед
коллегами за их "ограбление", лучше всего воспользоваться мудрым советом
авторов книги "Физика полупроводников" проф. В.Л.Бонч-Бруевича и
С.Г.Калашникова: при изложении основных законов физики мы редко цитируем
оригинальные работы классиков (Ньютона, Фарадея, Эйнштейна и др.).
Заметим, что большинство точных ссылок на использованные нами работы
легко найти в монографиях, приведенных в конце книги. Фамилии авторов
некоторых особенно важных для понимания содержания книги статей мы
