Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Химия -> Шефер Г. -> "Химические транспортные реакции" -> 54

Химические транспортные реакции - Шефер Г.

Шефер Г. Химические транспортные реакции. Под редакцией доктора хим. наук, проф. Н.П. Лужной — М.: Мир, 1964. — 189 c.
Скачать (прямая ссылка): shefer.djvu
Предыдущая << 1 .. 48 49 50 51 52 53 < 54 > 55 56 .. 57 >> Следующая

262. Harris D. M., Nielsen M. L., S k i n n e r G. В., Monsanto Chemical Co., частное сообщение.
263. Brixner L. H., Vortrag in Montreal, August 1961, XVIII Internat. Kongre? fur reine und angewandte Chemie, Referatenband, S. 202.
дополнительная литература
1. Куров Г. А., О механизме образования эпитаксиальных пленок при иодидном процессе, ФТТ, 5, 2509 (1963).
1а. Сан дул ов а А. В. [и др.], Получение твердых растворов Ge— Si из газовой фазы, ДАН СССР, 143, 610 (1962).
2. С а н д у л о в а А. В., Д р о н ю к М. И., Выявление дислокаций в монокристаллах кремния при их растворении парами другого вещества, ФТТ, 4, 2917 (1962).
3. Новое в получении монокристаллов полупроводников, Сб. переводных статей под ред. Д. А. Петрова, ИЛ, 1962.
Дополнительная литература
4. Процессы роста и выращивание монокристаллов, Сб. переводных статей под ред H. Н. Шефталя, ИЛ, 1963.
5. A n t е 11 G., Синтез кристаллов GaP и GaAs из паровой фазы, Brit. J. Appl. Phys., 12, 687 (.1961).
6. A n t e 11 G., Хлор и иод как примеси в InAs и GaP, J. Appl. Phys., 31, 1686 (1960).
7. A n te 1 1 G., Eifer D., Получение кристаллов InAs, InP, GaAs и GaP при реакциях в газовой фазе, J. Electrochem. Soc., 106, 509 (1959). Есть в русском переводе в сб. «Новое в получении монокристаллов полупроводников», ИЛ, 1962, стр. 118.
8. В e u n J., Nitsche R., Lichtensteiger M., Оптические и электрические свойства тройных халькогенидов, полученных в газовой фазе, Physica, 27, 448 (1961).
9. N i t s с h e R. [и др.], Выращивание монокристаллов двойных и тройных халькогенидов с помощью химических транспортных реакций, J. Phys. Chem. Solids, 21, 199 (1961).
10. S a m e 1 s о n H., Кубические кристаллы сульфида цинка, полученные химическим транспортным процессом, J. Appl. Phys., 33, 1779 (1962).
11. Р i z z а г e 1 1 о F., Синтез кристаллов твердых растворов GaP — GaAs методом транспортных реакций, J. Electrochem. Soc, 109, 226 (1962). Есть в русском переводе в сб. «Процессы роста и выращивание монокристаллов», ИЛ, 1963, стр. 488.
12. Prior А., Выращивание крупных кристаллов PbSe из газовой фазы, J. Electrochem. Soc, 108, 82 (1961). Есть в русском переводе в том же сборнике, стр. 496.
13. N e w m a n R., Goldsmith N., Рост кристаллов GaAs из пара, J. Electrochem. Soc, 108, 1127 (1961). Есть в русском переводе в том же сборнике, стр. 509.
14. Gerschenzon M., Mikulyak R., Выращивание кристаллов GaP из газовой фазы, J. Electrochem Soc, 108, 548 (1961). Есть в русском переводе в том же сборнике, стр. 515.
15. M с A leer, Barkmeyer H., Pollak P., Выращивание кристаллов GaAs из газовой фазы, J. Electrochem. Soc, 108, 1168 (1961). Есть в русском переводе в том же сборнике, стр. 456.
16. S i 1V e s t г i, Lyons, Газофазные равновесия в системах GaAs—GaJ—As и Ga—GaJ, J. Electrochem. Soc, 109, 963 (1962).
17. L e V e r R., Mandel G., Диффузия и перенос твердой фазы через паровую, J. Phys. Chem. Solids, 23, 599 (1962).
Дополнительная литература
181
18. Mandel G., Сложные реакции и газовый транспорт твердых веществ, J. Chem. Phys., 37, 1177 (1962).
19. Lever R., Транспорт твердых веществ через газовую фазу с применением одного гетерогенного равновесия, J. Chem. Phys., 37, 1174 (1962).
20. М a n d е 1 G., Перенос твердых веществ с помощью газофазных реакций, J. Chem. Phys., 23, 587 (1962).
21. Br о Р., Синтез монокристаллов теллуридов редкоземельных элементов в газовой фазе, J. Electrochem. Soc., 109, 1110 (1962).
22. Р о w е 11 С, Ich С, В 1 о с h е г J., Приготовление бора высокой чистоты на Та-проволоке из газовой фазы, в сб. Boron, Proceedings of the Conference on Boron, Plenum-Press, 1960, p. 7.
23. M e d с e a 1 f W. [и др.], Выращивание чистых кристаллов бора из паровой фазы, в сб. Metallurgy Elemental and Compound Semiconductors, N. Y.—Lond., 1961, p. 381.
24. M a r 1 e у J., Выращивание кристаллов окиси свинца из паровой фазы, J. Appl. Phys., 32, 2504 (1961).
25. Piper J. W., Pol ich S., Выращивание монокристаллов соединений A"BVI из паровой фазы, J. Appl. Phys., 32, 1278 (1961).
26. S с h a f e r H., Транспорт вещества в газовой фазе, Naturwissenschaften, 50, № 3, 53 (1963).
27. N i t s с h е R., Получение монокристаллов двойных и тройных халькогенидов посредством химических транспортных реакций, Z. Elektrochem., 64, № 8/9, 1112 (1960).
28. Р i z z а г е 11 о F., Химический транспорт и эпитаксиальный рост кристаллов GaAs, J. Electrochem. Soc, ПО, 1059 (1963).
29. S a n M e i К u, Приготовление из газовой фазы и свойства сплавов GaAs — GaP, J. Electrochem. Soc, 110, 991 (1963).
30. G о 1 d s m i s с h N., Скорость роста эпитаксиальных слоев GaAs, J. Electrochem. Soc, 110, 558 (1963).
31. Moest, Shupp, Эпитаксиальный рост пленок GaAs и GaP реакцией в газовой фазе, J. Electrochem. Soc, 109, 1061 (1962).
32. О k a d а, Эпитаксиальный рост кристаллов GaAs на монокристаллах Ge из паровой фазы, J. Phys. Soc. Japan, 16, 2591 (1961).
33. Renner Th., Получение нитридов В, AI, Ga, In из паровой фазы, Z. anorg. Chem., 298, 22 (1959). Есть в русском переводе в сб. «Новые полупроводниковые материалы» под ред. А. Я- На-шельского, М., 1964.
Предыдущая << 1 .. 48 49 50 51 52 53 < 54 > 55 56 .. 57 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed