Аморфные полупроводники и приборы на их основе - Хамакава Й.
Скачать (прямая ссылка):
371
370
11. Kanoh Y. et al.: Digest of 198 ] 11-DM (1981)313. 1 l.Matsumura M. et al: I'roc. 13th CSSD (Tokyo. 1981) 311. I XShimomoto Y. et al.: Proc. I 3th CSSD (Tokyo, 198]) 263. 1 4.Ishioka S. et al.: Proc. 14th CSSD (Tokyo, 1982)461. \5.BajiT. etal.: Proc. 13th CSSD (Tokyo, 1981) 269. \b.Tsukada T. etal: Digest of 1979 (EDM (1979) I 34.
17.Zembutsu S.: Amorphous Semiconductor Technologies and Devices (cd. Y. Hama-kawa) (OHM * North-Hollan 1982) p. 296.
18. Tada K. et al. Ihin Solid I'ilms, 96 (1982) 141.
19. Tanaka K., OdajimaA. - Appl. Phys. Lett., 38 (1981)481. 20.Fukuda Sj etal: Trans, of IECE Japan. 61 (1978)160. 2\.FukudaS. etal - Jpn. J. Appl. Phys., 19 (1980) 2075. 22.Tanaka K. - Solid State Commim., 28 (1978) 541.
23.Fukuda S. et al. - Jpn. J. Appl. Phys., 16 (1977)659. lA.Schneider W.C., Vedam K. - J. Opt. Soc. America, 60 (1970) 800.
25. Tsunoda K.: Digcct of Technical Paper: Conf. Laser and Electro-Optics (Washington, D.C., 1982)48.
26.Mashita M.. Yasuda N.. SI'11' (Society of Plioto-Optical Instrumentation Engineers),
12th Technical Meeting, 3PIE Proc. (Los Angeles, 1982). ll.Akahira N. et al: SPiE, 12th Technical Meeting. SPIE Proc. 329 30 (Los Angeles,
1982).
28.1mamuraN. Ota C. - Jpn. J. Appl. Phys., 19 (1980) L73E
29. Togami Y. et al: SPIE, 12th Technical Meeting SP1I Proc, 329-32 (Los Angeles, 1982).
30.NakajimaS. etal: The 9rh ICAS/22nd CSI (Tokyo, 1981) 413. 31.Zembutsu S. etal. - Appl. Opt., 14 (1975) 3073. tt.Terao M. et al. J. Appl. Phys., 50 (1979)6881. 33.Asano Y. etal: Digest of SID 81 (1981) 70. 34.StukeJ. J. Non-Cryst. Solids, 4 (1970) 1.
l>5.Yoshida T. et al.: SPIE, 12th Technical Meeting, SPIE Proc, 329-06 (Los Angeles. 1982).
3b.Nakayama Y. etal Jpn. J. Appl. Phys., 21 (1982) L604. T>!.Ogawa K. etal. Jpn. J. Appl. Phys., 20 (1981) L639. 1&. Yamamoto N. etal. Jpn. J. Appl. Phys., 20 (1981) Suppl., 20 I. 305. 39.Shimizu I. etal. - J. Non-Cryst. Solids, 35/36 (1980) 773.
40.Kawamura T., Yamamoto N. - JAR1 CT, Amorphous Semiconductor Technologies
and Devices (cd. Y. Hamakawa) (OHM * North Holland, 1982) p. 31 1. 4\.ScottB.A. etal. Appl. Phys. Lett., 37 (1980) 725. 42.Knights J.C. etal Appl. Phys. Lett., 38 (1981) 331. 4T,.Wakita K. etal Photogr. Sci. Eng., 26 (1982) 183. 44. Yamamoto N. et at. J. dc Physique. 42 < 1981) Supple. C 4.495. 45.Nakayama Y. etal. Photogr. Sci. Eng., 26 (1982) 188. 4(,.Shimizu Y. etal J. dc Physique, 42 (1982) Supple C 4, 1 123. 47.Oda S. et al. Phil. Mag., 1143 (1981) (079. 4X.Inoue E., Shimizu I. Photogr. Sci.. Eng., 26 < 1 982) I 48.
ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ
"Барабан из a-Si" 370
Барьер Шоттки 209
Батарея солнечная, технология 15
Беспорядок, класс 37
Вероятность 154 Видеофайл 359 Видикона метод 133 Волновод 105, 335
Волновое число максимума поглощения 205 Время жизни 7J, 149, 323
" обратного Переключения 317
" перескока 67
" пролета носителей 323
Гамильтониан 23, 25 Глубина залегания уровня 129
Датчик цветного изображения на a- Si : Н 331 Дерево Каули (см. решетка Бете) 31 Диборан 270 Дигидрид кремния 364 Диода-р-д/ (илиКДМП)315
" л-n-tt (илиБДШ) 315
с барьером Шоттки 307, 312
" " " биполярный 314
" с малыми потерями 313
" ср-п -переходом 312
", работающий в режиме видикона 330 Дисплейнажидкихкристаллах 282
" плоский панельный 297 Дифракция электронов высоких энергий, метод 298
Закон Ван-Хова 39
Закон пропорциональности 40
Зона проводимости 39
" валентная 39 ЗУ "точечного" типа 349
Изменение показателя преломления 335 Импеданс отключения 303
Инвертор интегральный типа обеднение - обогащение 294 Интенсивность люминесценции 94 " электроотражения 190
Кактусовая модель 31 Квазидиод с малыми потерями 314 Колебательный спектр 200 Кольца Дебая - Ш ер ера 253 Контакт омический 17
" универсальный (см. слой контактный) 313 Концентрация валентных электронов 5 2
" носителей заряда 14 Клистрон 96
Коэффициент диффузии в a-Si : Н 149, 248
" заполнения 215
" отражения 109, 253, 352
" поглощения 63,105 , 213
" " оптический 246, 252, 338, 352
" усиления по току 318
" экстинкции 345 К.п.д. панелей 245
" солнечных элементов 209, 257, 276 Край поглощения 47, 105
" " , ПТСРКП 49 Кремний аморфный гидрогенизированный 25, 65, 288 Кривая Шера - Монтролла 65 Кристаллит 187
Метод ХГФО 306 Мода волновая 336 Модель a-Si : H 29
" беспорядка размещения 22, 29 Модули, солнечные интегральные 240, 244 Модулятор фотоупругий 341 Монокристалл идеальный 19 Морфология поверхности подложек 277 Мощность электрическая солнечного элемента 254
Накопление заряда 364 Напряжение насыщения 330
" холостого хода 215, 219, 265, 258 Носители заряда 17
" ", дисперсионный перенос 65
Оже-спектр 222
Осаждение молекулярно-лучевое 298
" плазменное 199 Отношение сигнал/шум 328
Переключатель фотооптический 335 Переход p-i-n на основе a-Si 210
" р-п 210
", структура 233 Плазменные процессы осаждения 16 Пластины плавленого кварца 298 Пленки 16, 91, 336, 448, 351
" a-Si : H 272
магнито-оптические со стираемой памятью 344
