Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Химия -> Хамакава Й. -> "Аморфные полупроводники и приборы на их основе" -> 147

Аморфные полупроводники и приборы на их основе - Хамакава Й.

Хамакава Й. Аморфные полупроводники и приборы на их основе. Под редакцией докт.техн.наук С.С. Горелика — М.: Металлургия, 1986. — 376 c.
Скачать (прямая ссылка): amorphnye-poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 141 142 143 144 145 146 < 147 > 148 149 150 151 152 .. 153 >> Следующая

Рие. 7.3.16. Схема диска [ 35]:
1 - тонкая пленка ТеС^; 2 - лазерный луч; 3 - ПММА; 4 - покрывающий слой
358
Рис. 7.3.17. Микрофотография записанного в дорожки сигнала (а) и фотография кадрового устройства для записи видеосигналов (б) [ 35]
ными дорожками, изготовленный из фотополимеризованной смолы и дублирующий расположение дорожек на главном диске, формировался на поверхности дисковой подложки ПММА диаметром 200 мм и толщиной 1,1 мм. В зависимости от требований можно сформировать круговое или спиральное расположение дорожек с расстоянием между ними 1,5—2,5 мкм. Исходный главный диск изготавливался с помощью лазерного (на ионах Аг) станка для резки, который фокусировал лазерный луч и облучал слой фоторезиста, нанесенного на стеклянный диск. Ширина и толщина дорожки равнялись соответственно 800 и 70 нм. Ширина соответствует ширине записанных "точек". После осаждения записывающего слоя ТеО^ наносился защитный слой смолы толщиной 0,1 мм. Стыковку двух таких дисковых каркасов осуществляли защитными слоями внутрь.
Тонкая пленка ТеОх (толщиной 120 нм) меняла коэффициент отражения от 15 до 30 % при лазерном облучении, формирующем точки с обтекаемыми краями. Микрофотография записанного в дорожке сигнала показана на рис. 7.3.17, а. Цепочки черных штрихов представляют собой записанные точки: короткие соответствуют частоте записываемого сигнала 5 МГц, а длинные — 2 МГц.
На рис. 7.3.17, б показана система видеофайла, в которой использованы диск ТеО^ и инжекционный лазер. Система способна хранить до 15000 кадров на одной стороне ТеО^-диска. Среднее время произвольной выборки с любой желаемой дорожки составляло 0,5 с, а видеосигналы могли записываться и воспроизводиться с помощью инжекцион-ного лазера с длиной волны 830 нм и числовой апертурой фокусирую- # щей линзы 0,5. Излучение фокусировалось на диск ТеО^, вращающийся со скоростью 30,6 с"'. Пороговая мощность записи составляла 5 мВт на записывающем слое, а отношение несущей частоты к шуму при 5 МГц и мощности записи 8 мВт превышало 55 дБ.
359
7.4. ПРИМЕНЕНИЕ АМОРФНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ В ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИИ
Т.КАВАМУРА. Н.ЯМАМОТО. Е.НАКАЯМА (Takao Kawamura, Nobuyuki Yamamoto, Yoshikazu Nakayama (College of Engineering, University of Osaka Prefecture)
Предпринимаются значительные усилия для промышленного производства a-Si-фотоприемииков, применяемых в дешевых малогабаритных высокоскоростных копировальных устройствах (КУ). Разрабатывается также "мыслящее" КУ, использующее a-Si-фотоприемник в сочетании с полупроводниковым инжекционным лазером и микроЭВМ.
Статья посвящена вопросам разработок a-Si-фотоприемников, причем особое внимание уделено: 1) методам'достижения высоких скоростей осаждения; 2) оптимизации условий осаждения и уровня легирования монослойного a-Si-фотоприем-ника; 3) структурному усовершенствованию многослойного a-Si-фотоприемни-ка и 4) повышению фоточувствителыюсти в длинноволновой области для преодоления трудностей, связанных с применением полупроводникового инжекционно-го лазера, использующего сплав a-Si^Gei_x-
Описаны начальные этапы промышленного освоения барабана для a-Si-фото приемника и КУ.
7.4.1. Преимущества аморфных полупроводников
Наиболее широкое применение аморфные фотопроводящие полупроводники находят в конторских КУ. В настоящее время в барабанах для фотоприемников используются селен и сплавы на его основе. Однако в связи с быстрым развитием автоматизации делопроизводства возникает потребность в том, чтобы КУ выполняло не только функции копирования, но и служило бы фототелеграфным и печатным устройством (ПУ), т.е. представляло собой так называемое мыслящее КУ/ПУ.
Стремительный рост быстродействия и емкости ЭВМ и разнообразие печатных форматов вызывает потребность в наличии сверхбыстродействующих выходных ПУ. Примером такого устройства может служить лазерное ПУ. Основной отличительной особенностью такой системы является сочетание излучения He-Nc- или Не -Cd-газового лазера с фотопрнемником на a-Se или As2 Sc3. Недавно разработанное лазерное ПУ, - изготовленное на Ar-лазере с a-Se, имеет скорость печатания 15000 строк/мип. К 1983 г. в Японии было выпущено свыше 1000 подобных лазерных ПУ.
Настало время, когда полупроводниковый инжекционный лазер можно исполь зовать в быстродействующих линейных ПУ с высоким разрешением. В настоящее время полупроводниковые инжекционные лазеры и оптические устройства стали очень надежными, разработана технология электрофотографии и стоимость полупроводниковых ЗУ постоянно снижается. Это относится и к текстовым процессорам, обладающим возможностями ЭВМ.
В свете этих новых требований следует признать, что традиционным материалом для фотоприемников, таким как Se, нехватает эксплуатационной долговечности, надежности и чувствительности, особенно в области длинных волн. Необходим "поиск нового материала для фотоприемников, свободного от указанных недостатков,
В этой связи усиленно изучается возможность использования в электрофотографии аморфных полупроводников с тетраэдрическими связями, в частности, аморфного кремния. Для применения пленки a-Si в барабане электрофотографического фотонриемника необходимо разработать метод быстрого осаждения и технологию приготовления высокоомных фотопроводящих пленок. По сравнению с a-Si, идущим на солнечные элементы, в фотопримпиках используются срав-' нителыю толстые пленки до 10-30 мкм толщиной. Это делает актуальной проблему получения таких пленок аморфного кремния с большими скоростями осаждения.
Предыдущая << 1 .. 141 142 143 144 145 146 < 147 > 148 149 150 151 152 .. 153 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed