Физика полупроводниковых приборов Книга 1 - Зи С.
Скачать (прямая ссылка):
PbTe and PbSnTe Infrared Charge Coupled Imager, Proc, Appl. Conf. CCD,
Naval Electron. Lab. Center, San Diego, p. 259 (1973).
65. Agusta B., Harroun T. Conceptual Desing of an Eight Megabyte High
Performance Charge-Coupled Storage Device, Proc. Appl. Conf. CCD, Naval
Electron. Lab. Center, San Diego, p. 55 (1973).
МДП-структуры. Приборы с зарядовой связью
453
66. Boyle W. S., Smith G. E. U. S. Patent 3792322 (1974).
67. Walden R. H., Krambeck R. H., Strain R. J., McKenna J., Schryer N.
L., Smith G. E. The Buried Channel Charge Coupled Device, Bell Syst.
Tech. J
51, 1635 (1972).
68. Burt D. J. Basic Operation of the Charge Coupled Device, Int. Conf.
Technol. Appl. CCD, University of Edinburgh, p. 1 (1974).
69. Kent W. H. Charge Distribution in Buried-Channel Charge-Coupled
Devices, Bell Syst. Tech. J., 52, 1009 (1973).
70. Brews J. R. A Simplified High-Frequency MOS Capacitance Formula,
Solid State Electron., 20, 607 (1977).
71. Deyhimy I., Eden R. C., Anderson R. J., Harris I. S., Jr. A 500-MHz
GaAs Charge-Coupled Device, Appl. Phys. Lett., 36, 151 (1980).
Оглавление
ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА ПЕРЕВОДА...................... 5
ПРЕДИСЛОВИЕ АВТОРА................................... 6
ВВЕДЕНИЕ............................................... 8
ЧАСТЬ I. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ.....................................
11
Глава 1. Физика и свойства полупроводников..........................
11
1.1. Введение .................................................. 11
1.2. Кристаллическая структура.................................. 11
1.3. Энергетические зоны........................................ 16
1.4. Концентрация носителей при термодинамическом равновесии. . 20
1.5. Явления переноса........................................... 33
1.6. Фононные спектры. Оптические и тепловые свойства полу-
проводников. Поведение полупроводников при сильных электрических
полях.........................................45
1.7. Основные уравнения для анализа работы полупроводниковых
приборов .................................................. 58
Литература ...................................¦................. 65
ЧАСТЬ II. БИПОЛЯРНЫЕ ПРИБОРЫ................................... 69
Глава 2. Плоскостные диоды............................................
69
2.1. Введение .................................................... 69
2.2. Основы технологии............................................ 69
2.3. Обедненный слой и барьерная емкость......................... 80
2.4. Вольт-амперные характеристики................................ 91
2.5. Пробой р - я-перехода........................................ . ЮЗ
2.6. Переходные процессы и шумы................................... 117
2.7. Схемные функции.............................................. 121
2.8. Гетеропереходы .............................................. 132
Литература ....................................................... 139
Глава 3. Биполярные транзисторы.......................................
142
3.1. Введение .................................................... 142
3.2. Статические характеристики................................... 143
3.3. СВЧ-транзисторы ............................................. 166
3.4. Мощные транзисторы........................................... 180
3.5. Переключающие транзисторы.................................... 186
3.6. Разновидности биполярных транзисторов........................ 192
Литература ....................................................... 198
Оглавление 455
Глава 4. Тиристоры.......................................................
202
4.1. Введение ......................................................
202
4.2. Основные характеристики........................................
202
4.3. Диодный и триодиый тиристоры...................................
221
4.4. Мощные тиристоры...............................................
235
4.5. Диак и триак...................................................
243
4.6. Однопереходные транзисторы и переключающие тиристоры . . .
247
4.7. Полевые тиристоры..............................................
252
Литература .........................................................
254
ЧАСТЬ III. УНИПОЛЯРНЫЕ ПРИБОРЫ........................................
257
Глава 5. Контакты металл - полупроводник............. ................
257
5.1. Введение .....................*.............................. 257
5.2. Зонные диаграммы............................................. 258
5.3. Эффект Шоттки................................................ 262
5.4. Теории процессов переноса заряда............................. 266
5.5. Высота барьера............................................... 283
5.6. Структуры приборов........................................... 310
5.7. Омический контакт............................................ 318
Литература ....................................................... 321
Глава 6. Полевые транзисторы с р - я-переходом в качестве затвора
