Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Зи С. -> "Физика полупроводниковых приборов Книга 1" -> 1

Физика полупроводниковых приборов Книга 1 - Зи С.

Физика полупроводниковых приборов Книга 1 - Зи С.

Физика полупроводниковых приборов Книга 1

Автор: Зи С.
Издательство: М.: Мир
Год издания: 1984
Страницы: 456
Читать: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142
Скачать: fizikapoluprovodnikovihpriborov11984.djvu

C.3J

Physics of Semiconductor Devices
Second edition
S. M. Sze
Bell Laboratories, Incorporated
Murray Hill, New Jersey
A Wiley-Interscience
Publication
John Wiley & Sons
New York. Chichester. Brisbar
Toronto. Singapore
1981
С. Зи Физика
полупроводниковых
приборов
В 2-х книгах 1
Перевод с английского
канд. физ.-мат. наук В. А. Гергеля
и канд. техн. наук В. В. Ракитина
под редакцией
д-ра физ.-мат. наук Р. А. Суриса
Москва "Мир" 1984
ББК 32.852 3-59 УДК 621.382
Зи С,
3-59 Физика полупроводниковых приборов! В 2-х книгах. Кн. 1. Пер. с англ.
- 2-е перераб. и доп. изд. - М.: Мир, 1984. - 456 с., ил.
Монография написана известным американским специалистом в области
полупроводниковой электроники. В переводе на русский язык выходит в двух
книгах. Книга 1 посвящена физике биполярных приборов (днодов,
транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых
транзисторов с р--п-пере-кодом и барьером Шоттки),
Для научных работников и инженеров, работающих в области электроники и
вычислительной техники, а также для студентов старших курсов вузов
Редакция литературы по новой технике
(c) 1981, by John Wiley and Sons, Inc.
All rights reserved. Authorized translation from English language edition
published by John Wiley and Sons, Inc.
(g) Перевод на русский язык, "Мир", 1984
^ 2403000000-430 й 041 (01)-84
157-85, ч. 1
ББК 32.852 6Ф 0.32
ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА ПЕРЕВОДА
Развитие полупроводниковой электроники и расширение областей ее
применения происходят столь бурными темпами, что кажется почти
невероятным появление книги по физическим основам функционирования
полупроводниковых приборов, которая в течение длительного времени
удовлетворяла бы исследователей и разработчиков полупроводниковых
устройств. Тем не менее такая книга существует, и она перед вами. Ее
автор - известный специалист в области полупроводниковой электроники,
сотрудник фирмы Bell Laboratories, д-р С. Зи. Первое издание его
монографии, ставшее настольным для специалистов, вышло в свет в 1969 г.
О' популярности этой книги свидетельствует огромное число ссылок,
встречающихся до сих пор в оригинальных статьях. Ее перевод *) в нашей
стране уже давно стал библиографической редкостью.
Второе издание столь существенно отличается от первого, что его следует
рассматривать как новую книгу. И дело здесь не только и не столько в том,
что переработана и дополнена большая часть текста, библиографии и
иллюстраций. За время, прошедшее с момента выпуска первого издания,
полупроводниковая электроника вышла на качественно новый уровень -
создана и прочно вошла в жизнь техника интегральных схем. Теперь
полупроводниковый прибор не рассматривается как нечто отдельное - он
мыслится как составная часть ансамбля приборов, изготовленных на .одном
кристалле полупроводника, т. е. как элемент интегральной схемы. Это
обстоятельство нашло четкое отражение в новом издании книги. Увеличение
степени интеграции и быстродействия интегральных схем с необходимостью
приводит к уменьшению размеров приборов. Характерные размеры приборов
становятся сравнимыми с размерами областей пространственного заряда и
длинами свободного пробега электронов. В результате возникает ряд
фундаментальных особенностей, которые не принимались во внимание в ранних
моделях приборов. Эта тенденция нашла отражение в новом издании книги.
Последнее десятилетие ознаменовалось мощным развитием оптоэлектроники. Ее
успехи связаны в значительной мере с внедрением полупроводниковых
гетеропереходов. Автору удалось не только в весьма емкой форме изложить
физику фотоэлектрических приборов, но и показать перспективу их развития.
То же самое можно сказать и о главах, посвященных полупроводниковым СВЧ-
при-борам.
Нет сомнений в том, что перевод нового издания книги будет пользоваться
такой же популярностью среди широкого круга специалистов в области физики
полупроводниковых приборов и инженеров - разработчиков электронных
устройств, как и первое, и послужит прекрасным пособием для студентов и
аспирантов, специализирующихся в этих областях.
Перевод книги выполнен Гергелем В. А. (гл. 1, 5-8, приложения), Раки-
тиным В. В. (гл. 2-4), Фуксом Б. И. (гл. 9, 14), Зыковым Н. В. (гл. 10,
11) и Хафизовым Р. 3. (гл. 12, 13).
Р. А. Сурис
*) С. Зи. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. - М.: Энергия,
1973.
ПРЕДИСЛОВИЕ АВТОРА
Моей жене
С момента изобретения биполярного транзистора в 194? г. началось бурное
развитие полупроводниковой электроники. В соответствии с этим быстро
увеличивалось число публикаций в области физики и технологии
полупроводниковых приборов. Из-за огромного объема содержащейся в них
информации возникла настоятельная необходимость в книге, которая
послужила бы достаточно полным введением в физику полупроводниковых
приборов и одновременно содержала бы справочный материал. С этой целью в
1969 г. было опубликовано первое издание "Физики полупроводниковых
приборов", которое до сих пор остается одним из основных учебных пособий
< 1 > 2 3 4 5 6 7 .. 142 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed