Физическая энциклопедия Том 4 - Порохов А.М.
Скачать (прямая ссылка):
Р. п. с большим периодом, иапр. структуры (7x7) иа поверхности (111) Si, связывают с возникновением узкой эиергетич. зоны поверхностных состояний для электронов оборванных связей. На поверхности (111) Si иа каждый поверхностный атом приходится 1 оборваииая связь. Поэтому зона поверхностных состояний заполнена только наполовину. Энергию электрона в такой зоие можио рассчитывать методом сильной связи (см. Зонная теория):
—2JJcos рха-\-2 cos cos ¦
Здесь Px и Py — проекции квааиимпульса электрона,
J — интеграл перекрытия электронных волновых ф-ций. Ферми-поверхностъ для таких электронов является шестиугольником. Из-за наличия плоских граней электрои-фоионное взаимодействие даёт аномально большой сдвиг частоты нормального колебания с ВОЛНОВЫМ вектором ?(; = 2рр (рр — импульс Ферми).
Еслн при нек-ром сдвиге частоты результирующая частота Cd2(2pf) = 0, то поверхность кристалла неустойчива относительно такого колебания и произойдёт Р. п. Устойчивое состояние соответствует волне статич. смещений с длиной волиы Я — 2я/дц = nlpp., соизмеримой с постоянной решётки тХ = па, где тип — целые числа. Период новой структуры определяется числом п. Для поверхности (111) Si число п = 7, что соответствует структуре (7 X 7).
Исследования атомарио-чистой поверхности важны для понимания свойств границы раздела кристаллов. По-видимому, иач. стадии адсорбции и роста кристаллов (см. Кристаллизация) определяются свойствами реконструированных границ раздела [5].
Лит.: 1) НаумовецА. Г., Исследование структуры поверхностей методом дифранции медленных электронов: достижения и перспективы, «Укр. физ. ж.», 1978, т. 23, Mi 10, с. 1585;
2) Photoemlssion and electronic properties of surfaces, ed. by B. Feuerbacher, B. Fitton, R. F. Willis, Chichester —la.o.], 1978;
3) OIshanetsky B. Z., ShkIyaev A. A., Phase transition on clean Si (110) surfaces, «Surf. Sci.», 1977, v. 67, p. 581;
4) I p a t о v a I, PilKitaeT Y u. E., Landau theory of second-order, phase transitions on solid surfaces. «Progr. in Surf.
Sci.», 1985, v. 18, JMi 3, p. 189; 5) AbstreIter G., IneiasUc light scattering in semiconductor heterostructures, в кн.: Featkor-perprobleme, v. 24 — Advances in solid state physics, Braunschweig, 1984. И- П. Ипатова.
РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ — процесс образования и роста (или только роста) структурно более совершенных кристаллич. зёреи поликристалла за счёт меиее совершенных зёрен той же фазы. Р. начинается при иек-рой темп-ре Тр, к-рая зависит от хим. состава, концентрации дефектов, в частности дислокаций. Далее с повышением темп-ры T скорость Р. растёт. Особенно интенсивно она протекает в пластически деформированных материалах (см. Пластичность). Зародышами новых зёреи являются дислокац. ячейки.
Различают 3 стадии Р.: первичную, когда в деформи-ров. материале образуются новые неискажённые зёрна, к-рые растут, поглощая зёриа, искажённые деформацией; собирательную Р.-г неискажённые зёриа растут за счёт друг друга, вследствие чего ср. величина зерна увеличивается; вторичную Р., к-рая отличается от собирательной тем, что способностью к росту обладают только немногие из неискажённых зёреи.
В ходе вторичной Р. структура хараісгеризуется разл. размерами аёреи. Движению межзёренних границ препятствуют дисперсные частицы (размером — нм) др. твёрдых фаз (оксидов, карбидов и т. д.) и субмикропоры* ЛлЛ
РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ
Р. устраняет - структурные дефекты, изменяет размеры и ориентацию зёрен и иногда иХ кристаллографии, ориентацию (текстуру). Р. переводит вещество в состояние с большей термодинамич. устойчивостью: при собирательной и вторичной Р.— за счёт уменьшения суммарной поверхности границ между зёрнами, при первичной Р. — также за счёт уменьшения искажений, внесённых деформацией. Р. изменяет все структурио-чувствит. свойства материала а часто восстанавливает исходную структуру, текстуру и свойства (до деформации). Иногда структура и текстура после Р. отличаются от исходных, соответственно отличаются и свойства.
Практически важными технол. способами обработки материалов, в к-рых существ, роль играет Р., являются: прокатка, ковка, волочение, экструзия, при к-рых образуются дислокации с плотностью IO6—IO13 см~® и их скопления (ячеистая структура); дробление и спекание порошковых (керамич.) материалов, при к-рых образуются субмнкропоры; осаждеиие поликристаллич. плёнок из газовой фазы или с помощью молекулярных пучков (бм. Эпитаксия).
JIum.: Горелик С. С., Рекристаллизация металлов и сплавов, 2 изд., М., І978; Рекристаллизация металлических материалов, под_ред. Ф. Хесснера, пер. с аиСгл., М., І982; Горелик С. С.,Бабич Э. A., JI е т ю к JI. М., Формирование микроструктуры и свойств ферритов в процессе рекристаллизации, М.. І984. С. С. Горелик.
РЕКУРРЕНТНЫЕ СООТНОШЕНИЯ (от лат. recur-rens, род. падеж recurrentis — возвращающийся) — однотипные ф-лы, к-рые связывают между собой идущие друг за другом элементы нек-рой последовательности (это может быть последовательность чисел, ф-ций и т. д.). В зависимости от природы объектов, связанных Р. с., эти соотношения могут быть алгебраическими, функциональными, дифференциальными, интегральными и т. п.
