Радиотехника - Давыдов С.Л.
Скачать (прямая ссылка):
328
В триоде п — р— я-типа эмиттер обладает «-проводимостью. Поэтому положительный полюс источника постоянного тока подключается не к эмиттеру, а к базе. Эмиттер же соединяется
Эмиттер
I
II
Коллектор
а
1з\
ш
Ваза
+ + + + + +
+ + +
+ + +
+ + +
+ + +
+-
за
II-
1^0
+ -
в
+ + :
+ її -
і-
Рис. 11.10. Физический процесс, происходящий в полупроводниковом триоде: а — движение положительных зарядов от эмиттера к базе через эмиттерный переход; в области базы накапливаются положительно заряженные частицы; б — электрическое поле, созданное батареей коллектора, охватывает всю область базы, но так как в базе не со-, держится положительных зарядов (тока эмиттера нет), ТО ток в цепи коллектора отсутствует; в — электрическое поле коллектора увлекает положительные заряды, попавшие из эмиттера в базу!—в цепи коллектора существует электрический ток '
с отрицательным полюсом. Через переход из эмиттера в базу перебрасываются уже не положительные заряды, а электроны, которые и движутся медленно среди положительных зарядов базы.
Как видно из рис. 11.10, к другому крайнему объему пла-
22—261
329
стинки, именуемому коллектором, подключается отрицательный полюс другого источника постоянного тока. Положительный полюс этого источника подключается к базе. Как правило, напряжение источника тока в цепи коллектора всегда больше, чем в цепи эмиттера. Такое включение источника тока не может создать движения основных носителей тока (либо электронов базы к коллектору, либо положительных зарядов коллектора к базе). Поэтому если бы эмиттер не поставлял в область базы положительных зарядов, то тока в цепи коллектора практиче-
- в// /' ик--зв /А/ і / //У1 Л
----- 1 1 1 1
0,05 0,1 0,125 0,15 0,175 0,2 иэ[в]
Рис. 11.11. Семейство входных характеристик полупроводникового триода (при включении по схеме с общей базой)
ски не существовало бы. Но так как от эмиттера в область базы непрерывно перебрасываются положительные заряды, которые медленно движутся по базе, то электрическое поле, созданное батареей коллектора, подхватывает их и уносит через р— «-переход // на коллектор. В цепи коллектора появляется электрический ток. Величина этого тока зависит не только от величины напряжения на коллекторе, но и от величины тока эмиттера. Чем ток эмиттера больше, тем большее число заряженных частиц перебрасывается в область базы, тем больше их попадает в электрическое поле коллектора. Практически почти все заряды, поступающие от эмиттера в базу, перехватываются полем коллектора. Поэтому считают, что ток коллектора равен по величине току эмиттера.
В триоде п — р — «-типа происходит совершенно такой же * процесс захвата электронов, попавших из эмиттера' в базу, электрическим полем коллектора. Очевидно, что положительный полюс батареи коллектора в этом случае должен быть подключен к коллектору, а отрицательный к базе.
Описанные свойства полупроводникового триода иллюстрируются семействами входных и выходных характеристик. Вход-
330
ные характеристики представляют собой графическое изображение зависимости тока в цепи эмиттера от величины приложенного напряжения между эмиттером и базой при неизменном напряжении на коллекторе. На рис. 11.11 показано семейство входных характеристик одного из полупроводниковых триодов. Характеристика по виду аналогична характеристике полупроводникового диода. Увеличение напряжения на коллекторе приводит к некоторому увеличению тока эмиттера. Входные харак-
10
15
1э=3ма_
1а=2,Ш
1э=2ма~
13=1ма
1э=0 _
20
Рис. 11.12. Семейство выходных характеристик полупроводникового триода (при включении по схеме с общей базой)
теристики позволяют определить необходимое напряжение батареи в цепи эмиттера для обеспечения нужного потока зарядов из эмиттера в базу (тока эмиттера). По входным характеристикам находят входное сопротивление полупроводникового триода, Оно вычисляется делением величины изменения напряжения А иэ на величину изменения тока в цепи эмиттера А/э, вызванного этим изменением напряжения:
О
д/э '
Для примера укажем величину входного сопротивления триода в точке Л характеристики (рис. 11.11). Эта точка характеризуется тем, что на эмиттер приложено напряжение ?/э=0,15 в и через него протекает ток /3=1 ма. Изменение напряжения Ас/Э = 0,025 в вызывает изменение тока А/э = 0,5 ма. Следовательно, входное сопротивление получается 50 ом. Приведенные цифры свидетельствуют о том, что полупроводниковыйтриод в отличие от лампового потребляет большой ток во входной цепи (в цепи управления).
На рис. 11.12 представлено семейство выходных характеристик. Эти характеристики графически изображают зависимость
22*
ЗЗІ
тока коллектора от величины напряжения яа нем при неизменной величине тока эмиттера. Внешне выходные характеристики напоминают анодные характеристики лампового пентода. При малых напряжениях на коллекторе его ток увеличивается пропорционально величине напряжения на коллекторе, но, начиная с некоторой величины (несколько вольт), увеличение напряжения на коллекторе перестает сопровождаться пропорциональным увеличением тока коллектора. Такое состояние со-
