Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Электротехника -> Давыдов С.Л. -> "Радиотехника" -> 117

Радиотехника - Давыдов С.Л.

Давыдов С.Л., Жеребцов И.П. Радиотехника — М.: Воениздат, 1963. — 345 c.
Скачать (прямая ссылка): radiotehnika1963.djvu
Предыдущая << 1 .. 111 112 113 114 115 116 < 117 > 118 119 120 121 122 .. 123 >> Следующая

325
включают одинаковые сопротивления (несколько десятков тысяч ом), величина которых меньше сопротивления диода в обратном направлении. На рис. 11.7 показаны три последовательно включенных диода.
Обратное напряжение, образующееся на каждом из них, составляет одну треть удвоенной амплитуды напряжения вторичной обмотки трансформатора.
Рис. 11.7. Практическая схема однополупериодного выпрямителя с германиевыми диодами (17т — амплитуда напряжения на вторичной обмотке; ?/0бр — обратное напряжение; /?ш — сопротивление, шунтирующее диоды; И — сопротивление нагрузки)
Выпрямители с полупроводниковыми диодами обладают существенными преимуществами по сравнению с кенотронными. К таким преимуществам относится малое падение напряжения даже при больших величинах выпрямленного тока. При токе в несколько сотен миллиампер падение напряжения на германиевом диоде составляет около 0,5 в, на кремниевом — около 1 в; падение же напряжения на кенотронах составляет несколько десятков вольт (40—50 в). Вследствие этого выпрямленное напряжение в схемах с полупроводниковыми диодами получается больше, чем в кенотронных выпрямителях. Для полупроводниковых выпрямителей не требуется тока накала, а поэтому они обладают более высоким коэффициентом полезного действия и начинают работать сразу же после включения источника переменного тока (для кенотронных выпрямителей требуется время на разогрев катода).
Недостаток полупроводниковых выпрямителей с германиевыми диодами — сильная зависимость выпрямленного тока и напряжения пробоя от температуры диодов.
диодный полупроводниковый детектор
Схема полупроводникового диодного детектора в принципе ничем не отличается от схемы лампового диодного детектора, описанной в главе 9. Однако исключительно малое внутреннее сопротивление полупроводникового диода току прямого направ-
326
ления позволяет применить наряду с описанными несколько иную схему детектора. Эта схема отличается от обычной только тем, что нагрузкой детектора является не большое сопротивление в несколько сотен килоом, а лишь небольшое сопротивление в несколько десятков ом (такое сопротивление имеет, как будет показано дальше, входная цепь полупроводниковых триодов). Схема диодного детектора с низкоомным сопротивлением нагрузки показана на рис. 11.8. Принцип работы ее заключается
Контур усилителя б.ч.
Дроссель В.Ч.
-1
Рис. 11.8. Схема диодного детектора с низкоомным сопротивлением нагрузки
в том, что когда переменное напряжение, индуктированное в катушке детектора, имеет полярность, при которой ток через диод не протекает, сопротивление диода оказывается большим и весь ток протекает через сопротивление нагрузки. При смене полярности напряжения на обратную диод становится проводящим, сопротивление его оказывается меньше, чем сопротивление нагрузки, весь ток протечет через диод, а нагрузка оказывается обесточенной. Таким образом, через нагрузку протекают импульсы тока только одного направления. Величина этих импульсов пропорциональна амплитуде приложенного напряжения. Включенная последовательно с сопротивлением нагрузки индуктивность дросселя, как и емкость в обычной схеме диодного детектора, сглаживает пульсации тока, и через нагрузку протекает выпрямленный ток, величина которого изменяется по закону изменения амплитуды детектируемого напряжения.
Для детектирования высокочастотных напряжений, как-уже отмечалось, применяются только точечные диоды, так как они обладают малой междуэлектродной емкостью. Междуэлектродная емкость шунтирует диод, и на высоких частотах, когда сопротивление .емкости становится малым, диод работает как обычный конденсатор; выпрямляюгДее действие его прекращается.
ПРИНЦИП РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТРИОДОВ
Полупроводниковые триоды, как и полупроводниковые диоды, разделяются на плоскостные (слоистые)* и точечные. Плоскостной германиевый триод состоит из пластинки кри-
327
сталла германия, содержащей три области с разными типами проводимости (рис. 11.9). Для работы триода необходимо, чтобы две крайние области обладали одинаковым типом проводимости, а средняя — проводимостью противоположного типа. Возможны два способа комбинации областей проводимости: первый— средняя область имеет проводимость «-типа, крайние — проводимость р-типа (рис. 11.9,а), второй — средняя область имеет проводимость р-типа, крайние — «-типа (рис. 11.9,6). Со-
а
+ ++ + + + + + - 4- - + + "*"-" + 4- - - ~ + -1+1+
Р п
- _ - _ + - - + - - + - + + + - 4- - -4- - ~ -
при
Рис. 11.9. Схема пластинок германиевого триода: а — типа р — л — р; б — типа п — р — п
ответственно этому триоды с пластинками первого вида называют триодами р — «— р-типа, а триоды с пластинками второго вида — триодами «— р — «-типа. И в том ив другом типе триодов содержится два р — «-перехода, образующиеся на границах раздела объемов с проводимостями различного типа. Если к т.риоду не приложены никакие электрические напряжения, то по сторонам переходных слоев образуется такое же распределение зарядов, как и в плоскостном диоде.
Если к левому объему пластинки (рис. 11.10), именуемому эмиттером, подключить положительный полюс источника постоянного тока, а отрицательный полюс соединить со средней частью пластинки — базой, то через р — «-переход / установится некоторый ток постоянной величины. Через переход от эмиттера будут двигаться основные носители тока — положительные заряды, которые содержатся в избытке в области эмиттера. Попадая в среднюю часть пластинки, где в изобилии находятся электроны, положительные заряды медленно передвигаются между ними, частично соединяясь с электронами и образуя нейтральные атомы и молекулы германия. Чем больше величина приложенного между эмиттером и базой напряжения, тем большее число положительных зарядов окажется переброшенным через переходный слой из эмиттера в область базы. Таким образом, эмиттер играет роль катода, эмитирующего (излучающего) электрические заряды в среднюю часть полупроводника.
Предыдущая << 1 .. 111 112 113 114 115 116 < 117 > 118 119 120 121 122 .. 123 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed