Физика полупроводниковых приборов - Зи С.М.
Скачать (прямая ссылка):
<?><? порогов Резистор Генератор Ганна Криозар Ограничитель тока
АТ 2 Эффект Зеебека ?^АТ '
Ь, ? 2 / = с ('гм) ? Фотосопротивление
2 е, зе 2 J = ° (ЗС) ? Резистор, управляемый магнитным полем
4 Эффект Холла v=f (зе. S) Генератор Холла
?. т 2 I = о (Т) ? Термистор
S, АТ 2 Эффект Томсона АТ
' ?, Р 2 Пьзорезистивный эффект Тензодатчик
3 ?< ?2ЗС 3 Эффект Суля
Таблица 1-2
Однопереходные приборы
Внешние в а 0J о Р Пчйй g Q ^ (tm) Ж СП -fcr gSg ggg "*S S CJ >, F 5S ш
воздейст- ИЯ Вигт воздействия Число электродов Основные
особенности Наименование прибора (где применяется)
И" 2 Фото электрический Фотоэлемент,
эффект солнечная батарея
р-п переход Диод, выпрями-
тель
р-п переход в каче- Варистор
стве переменного рези-
стора
1 ? 2 р-п переход в каче- Варактор
стве переменной емко-
сти
р-п переход в каче- Электролюмине -
стве источника света сцентный диод
Сильно легированный Туннельный ди-
с двух сторон р-п пе- од
реход Умеренно легирован- Инжекционный
ный р-п переход с от- лазер
ражающими поверхно-
стями
Ограничение напря- Стабилизатор
жения .лавинным пробо- напряжения
ем или туннелировани-
ем
СВЧ-генерация, свя- Лавинно-пролет-
занная с лавинным ум- ный диод
ножением и задержкой
на время пролета
Униполярный прибор, Полевой диод
используемый в качест-
ве ограничителя тока
р-п переход между Г етеропереход
полупроводниками с (п-п, р-п и р-р)
различной шириной за-
прещенной зоны
Продолжение табл. 1-2
Внешние воздействия
Число одновременно воздействующих факторов Вид воздейст- вия Число
электродов Основные особенности Наименование прибора (где применяется)
2 Контакт металл- полупроводник 1 Диод с барьером
Шоттки, диод Мотта, точечный диод
Д Т 2 Эффект Зеебека Термопара, термогенератор
2 Su 3 Инжекция неосновных носителей в нитевидный образец
Однопереходный транзистор
¦ ?. д т 2 Эффект Пельтье Холодильник Пельтье
?. h\ 2 / = f (?, ftv) Фотодиод !
свойств этих материалов (таких, как оптические свойства или свойства
междолинных переходов). Эта классификация позволяет упорядочить
последовательность' рассмотрения приборов.
В данном разделе будет рассмотрен более подробный метод классификации
полупроводниковых приборов, использованный в (JI. 1]. Эта система может
быть использована для классификации приборов, как существующих в
настоящее время, .так и тех, которые, возможно, появятся в будущем,
причем эта система может послужить также основой и для размышлений о
путях создания новых приборов.
Система начинается перечислением всех свойств полупроводников и всех
видов внешних воздействий (таких, как приложенное напряжение), которые
могут изменять его свойства. Приборы располагаются в порядке усложнения:
управляемые одним, двумя и т. д. воздействиями. Мы начнем с гомогенных
полупроводников (объемный эффект без р-п переходов) и одного внешнего
воздействия. Приборы с объемным эффектом следующей степени сложности
будут характеризоваться наличием двух, трех и более внешних воздействий.
Один р-п переход будет исключением из приборов с объемным эффектом, и
внешние воздействия будут прикладываться порознь, попарно и т. д.
Наконец, мы рассмотрим многопереходные (или переходы с не-
Таблица 1-3
Многопереходные приборы
Внешние воздействия
Число одновременно действующих фак-торов Вид воз- действия Число
электродов Основные особенности 1аименование прибора (где применяется)
2 Четырехслойный р-п-р-п диод Диод Шокли 1 диодный
тиристор)
1 8 2 Прибор со структурой металл-изолятор-металл МИМ-
туннель-ный диод
2 Прибор со структурой металл-изолятор-полупровод-, ник
МИП-диод
3 Взаимодействующие переходы р-п-и п-р-п Плоскостной
транзистор
3 р-п-р-п структура с одним управляющим электродом
Триодный тиристор
<?, 3 Униполярный тран-' зистор с. затвором в виде р-п
перехода |Г Полевой транзистор с р-п переходом
1 или 2 и/или 62 3 Полевой транзистор с изолированным затвором
МОП-транзи- стор
3 Тонкопленочный транзистор ТТ
3 Структуры полупроводник-металл-полупроводник и подобные
Транзистор'с горячими электронами
8. Ь 3 Световая передача сигнала Оптический транзистор
Таблица 1-4
Классификация полупроводниковых приборов
Приборы с одним переходом Глава
р-п Переходы: 3
выпрямитель, ва-
ристор, варактор.
стабилитрон
Туннельный и 4
обращенный диод
Лавинно-пролет- 5
ный диод
Г етеропереход 3
Однопереходный 6
транзистор
Полевой диод 7
Диоды Шоттки, 8
Мотта, точечный
Опто электрон-
ные диоды:
солнечный эле- 12
мент, фотодиод,
электролюмине-
сцентный диод
Инжекционный 13
лазер
Многопереходные приборы Глава
р-п-р и п- р-п 6
транзистор
Диод Шокли 7
(р-п-р-п диод)
Полупроводни- 7
ковый управляе-
мый диод
Полевой танзи- 7
стор с р-п пере-
ходом
Приборы на ос- 8
нове структуры ме-
талл - полупровод-
ник
МИ П-диод 9
Элемент памяти 10
с "плавающим" за-
