Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Зи С.М. -> "Физика полупроводниковых приборов" -> 107

Физика полупроводниковых приборов - Зи С.М.

Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов — М.: Энергия, 1973. — 656 c.
Скачать (прямая ссылка): fizikapoluprovodnikovihpriborov1973.djvu
Предыдущая << 1 .. 101 102 103 104 105 106 < 107 > 108 109 110 111 112 113 .. 228 >> Следующая

0,59 0,41 0,35 0,78 0,36 0,45 0,56 0,85 М 0,68 0,62 0,50
"-CdSe (скол в вакууме) Pt Au Ag Cu 0,37 0,49 0,43 0,33
"-CdTe (скол в вакууме) Au Pt Ag A1 0,71 0,76 0,81 0,60 0,58
0,66 0,76
р-алмаз Au 1,35
и-GaAs (скол в вакууме) Au Pt Be Ag Cu A1 Al (77 °K) 0,95 0,94
0,82 0,93 0,87 0,80 0,88 0,9 0,86 0,81 0,88 0,82 0,80
Продолжение табл. 8-4
Полупроводник Металл ВЫССЛ Вольт- амперные характе- рИСТИКИ
ибары'рл rtSu О к то а (*201 *0 й f* S 5 Ч и й СП &&(- Фотоха-
рактерис- тики
/(-GaAs ((скол в вакууме) Аи 0,48 0,42
Аи (77° К) 0,46
(Pt 77 °К) 0,48
Ag (77 "К) 0,44
Си (77 (r)К) 0,52
А1 0,63 0,5
А1 (77 (r)К) 0,61
л-GaAs W 0,71 0,77 0,8
р-GaP (химическая очистка) Аи 0,715
p-GaP Аи 0,68 0,75 0,72
л-GaP Аи 1,1 1,3 1,3
л-GaP (химическая очистка) Си 1,34 1,20
А1 1,14 1,05
Аи 1,34 1,28
Pt 1,52 1,45
Mg 1,09 1,04
Ag 1,20
л-GaSb (скол в вакууме) Аи 0,61 0,6
Аи (77 (r)К) 0,75
p-GaSb (скол в вакууме) Аи (77 °К) Омичес-
кие
л-Ge (скол в вакууме) Аи 0,45
Аи (77 °К) 0,50
я-Ge А1 0,48
W 0,48
я-InAs (скол в вакууме и хими- Аи, Ag Омичес-
ческая очистка) А1 (77 °С) кие
p-InAs (скол в вакууме и хими- Аи (77 °С) 0,47
ческая очистка)
и-InP (скол в вакууме) Аи 0,49 0,52
Аи (77 °К) 0,56
Си (77 °К) 0,5
Ag 0,54 0,57
p-InP (скол в вакууме) Ag (77 °К) 0,50
Аи 0,76
Аи (77 °С) 0,78
Продолжение табл. 8-4
Полупроводник Металл Высо Вольт- ампериые характе- ристики та
барьер • КЗ , СО X о ¦?•<"& н а о §5*1 О со со Я CQ & сы- Фотоха- *
рактерис- тики
n-InSb' (скол в вакууме и хи- Au (77 "К) 0,17
мическая очистка) Ag (77 °К) 0,18
p-InSb (скол в вакууме и хими- Au (77 °К) Омичес-
ческая очистка) кие
п-РЬО Ag 0,95
Bi 0,94
Ni 0,96
Pb 0,95
In 0,93
и-Si (химическая очистка) Au 0,79 0,8 0,78
jP-Si (химическая очистка) ' Au 0,25-
п-Si (химическмя очистка) (200) Au 0,82
n-Si (химическая очистка) Mo 0,59 0,57 0,56
п-Si (очистка газовым разрядом) PtSi 0,85 0,86 0,85
jP-Si (очистка газовым разрядом) PtSi 0,20
п- Si (химическая очистка) W 0,67 0,65 0,65
n-SiC (гексагональный) (хими- Au 1,95
ческая очистка) A1 2,0
n-Sn02 Au 0,98
Ag 0,65
Cu 0,47
п-ZnO (скол в вакууме) Au 0,65
Pt 0,75
Pd 0,68
Ag 0,68
Cu 0,45
In <0,3
A1 Омичес-
кие
TI <0,3
\ Продолжение табл. 8-4
Полупроводник Металл Высо Вольт- амперные характе- ристики га
барьер ¦ d . voj * е S & ^ К р s g ч к к ^ 03 га а m & n, Е- а, в о Л я
S ех * <ь ? р к ° ^ ж /гь СС 33 v1 at-
п-ZnS (скол в вакууме) Аи 2
Pd 1,87
Pt 1,84
Си 1,75
Ag 1,65
In 1,50
А1 0,8
Ti 1,1
Mg • 0,82
n-ZnSe (скол в вакууме) Аи 1,36
Pt 1,40
Си 1,1
Mg <0,4 0,7
тический свет, может возникнуть фототок. Принципиальная схема
представлена на рис. 23. Для фронтального освещения свет может создавать
возбужденные электроны в металле (метод 1), если h\>qOBn, и может также
создавать пары электрон - дырка в полупроводнике |(метод 2), если толщина
пленки металла достаточно мала и hv>Eg. Для генерации фотоэлектронов при
освещении обратной стороны пластинки (метод I) необходимо, чтобы /г-v >
(?Ф в п; однако когда hv>Eg, свет будет сильно поглощаться на тыльной
поверхности полупроводника, и вероятность того, что фотовоз-бужденные
электронно-дырочные пары достигнут границы раздела системы металл -
полупроводник, будет очень мала.
Квантовый выход R
Рис. 22. Зависимость 1/С2 от приложенного напряжения для диодов W-Si и W-
GaAs ГЛ. 21].
как функция энергии фотона hv дается теорией Фаулера (Л. 28]:
V Е,
Т2 Г х2 , л2 (
•)]
для х 55 О,
(80)
где hv о - высота 'барьера (дФвп); Es-сумма hv 0 и энергии Ферми,
измеряемой от основания зоны проводимости металла, и =h(v-vo)/kT. При
условии, что Es^>hv и х>3, уравнение (80) можно сократить:
R ~ (hv-hv о )2 при h (v-Vo) > ЗйГ
Металл .Z
Полупроводник
hv -Передняя сторона
*--Ар
Задняя сторона пластины
^Омический контакт
?Ч>" 1(0 *
hv -"¦ ^/7^ ") и (Z)
(81)
Лс
Е
1У-,
Металл
hv(1>
~Hv
а)
Полупроводник
б)
Рис. 23. Схематическое изображение фотоэлектрического измерения (а),
диаграмма энергетической зоны при процессах фотовозбуждения (б).
VR 4sA(v-v0).
(81а)
Когда квадратный корень из фоточувствительности откладывается на графике
как функция энергии фотона, получается прямая линия, и экстраполяция на
ось энергии даст высоту барьера. На
Рис. 24. Квадратный корень из фоточувствительности в расчете на падающий
фотон в зависимости от энергии фотона для диодов со структурой W-Si и W-
GaAs. Экстрапроводные
величины соответствуют высоте барьеров [Л. 21].
рис. 24 показана фоточувствительиость диодов на основе W-Si и W-GaAs с
высотой барьеров 0,65 и 0,80 эв соответственно. Аналогичные результаты
для других систем металл - полупроводник перечислены в табл. 8-4.
Фотоэлектрическое измерение используется для определения диэлектрической
.постоянной силы зеркального изображения диодов на основе An-Si. На рис.
Предыдущая << 1 .. 101 102 103 104 105 106 < 107 > 108 109 110 111 112 113 .. 228 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed