Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Зи С. -> "Физика полупроводниковых приборов Книга 2" -> 82

Физика полупроводниковых приборов Книга 2 - Зи С.

Зи С. Физика полупроводниковых приборов Книга 2 — М.: Мир, 1984. — 456 c.
Скачать (прямая ссылка): fizikapoluprovodnikovihpriborov21984.djvu
Предыдущая << 1 .. 76 77 78 79 80 81 < 82 > 83 84 85 86 87 88 .. 145 >> Следующая

IEEE Trans. Electron Devices ED-13, 187 (1966).
33. Shaw М., Grubin H. L., Solomon P. R. The Gunn - Hilsum Effect,
Academic, N. Y. 1979.
34. Fukui H. New Method of Observing Current Waveforms in Bulk GaAs.
Proc, IEEE, 54, 792 (1966).
35. Thim H. W., Barber M. R. Observation of Multiple High-Field Domains
in я-GaAs, Proc. IEEE, 56, 110 (1968)
36. Barber M. R. High Power Quenched Gunn Oscillators, Proc. IEEE, 56,
752 (1968),
37. Copeland J, A. A New Mode of Operation for Bulk Negative Resistance
Oscillators, Proc. IEEE, 54, 1479 (1966).
38. Copeland J. A. LSA Oscillator Diode Theory, J. Appl. Phrjs., 38,
3096 (1967).
39. Jones D., Rees H. D. Electron-Relaxation Effects in Transferred-
Electron Devices Revealed by New Simulation Method, Electron. Lett., 8,
363 (1972),
40. Kroemer H. Hot Electron Relaxation Effects in Devices, Solid State
Electron., 21, 61 (1978).
41. Sterzer F. Transferred Electron Amplifiers and Oscillators for
Microwave Application, Proc. IEEE, 59, 1155 (1971).
42. Kroemer H. The Gunn Effect under Imperfect Cathode Boundary
Condition, IEEE Trans. Electron Devices, ED-15, 819 (1968).
43. Atalla М. М., Moll J. L. Emitter Controlled Negative Resistance in
GaAs, Solid State Electron, 12, 619 (1969),
Приборы на эффекте междолинного перехода электронов
269
44. Yu S. P., Tantraporn W,, Young J. D. Transit-Time Negative
Conductance in GaAs Bulk-Effect Diodes, IEEE Trans. Electron. Devices,
ED-18 88 (1971).
45. Colliver D. J,, Irving L. D., Pattison J. E., Rees H. D. High-
Efficiency
InP Transferred-Eleetron Oscillators, Electron. Lett., 10, 221 (1974).
46. Gray K. W., Pattison J. E,, Rees J. E., Prew B. A., Clarke
R. C,, Ir-
ving L. D. InP Microwave Oscillator with 2-Zone Cathode, Electron, Lett,,
11, 402 (1975).
47. Rees H. D. Time Response of the High-Field Electron Distribution
Function in GaAs. IBM J. Res. Dev., 13, 537 (1969).
48. Hobson G. S. Recent Development in Transferred Devices, J. Phys. E,
7, 229 (1974).
49. Irving L. D., Pattison J. E., Braddock P. W., Gray K. W. Improved
Mean
Power and Long Pulse-Width Operation of InP TEDs in J Band, Electron.
Lett., 14, 116 (1978).
50. Hamilton R. J., Fairman R. D., Long S. I., Omori М., Fank F.
B. InP
Gunn-Effect Devices for Millimeter-Wave Amplifiers and Oscillators, IEEE
Trans. Microwave Theory Tech., MTT-24, 775 (1976).
51. Day W. R. Gunn Oscillators, Microwave Syst. News, 8, 56 (1978).
52. Suzuki Т., Ito М., Ishii Т., Mitsui S. Design and Fabrication for
High Efficiency and High Output Power Gunn Diodes, Trans. Insi. Electron.
Ccm-mun. Eng., Jpn., E61, 932 (1978).
53. Mun J. High-Efficiency and High-Peak-Power InP Transferred-Eleetron
Oscillators, Electron. Lett., 13, 275 (1977).
54. Ataman A., Harth W. Intrinsic FM Noise of Gunn Oscillators, IEEE
Trans. Electron Devices, ED-20, 12 (1973).
55. Constant E. Noise in Microwave, Injection, Transit Time and
Transfetred-Electron Devices, Physica, 83B, 24 (1976).
56. Shoji M. Functional Bulk Semiconductor Oscillators, IEEE Trans.
Electron Devices, DED-14, 535 (1967).
57. Ondria J. Wide-Band Mechanically Turnable W-Band (75-110GHz) CW
GaAs Diode Oscillators, Proc. 7th Bienn. Conf. Active Microwave Semicond.
Devices Circuits, Cornell University, Ithaca, N. Y., 1979, p. 309.
68. Crowley J. D., Fank F. B., Hyder S. B., Sowers J. J., Tringali D.
Millimeter Wave InP Transferred Electron Devices, Proc. 7th Bienn, Conf.
Active Microwave Semicond. Devices Circuits, Cornell University, Ithaca,
N. Y,, 1979, p. 331.
59. Hauser J. R., Glisson Т. H., Littlejohn M. A. Negative Resistance and
Peak Velocity in the Central (000) Valley of III-V Semiconductors, Solid
State Electron., 22, 487 (1979).
Часть V Оптоэлектронные приборы
Глава 12
СВЕТОДИОДЫ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ
12.1. ВВЕДЕНИЕ
К оптоэлектронным приборам относятся приборы, в которых основные процессы
протекают с участием квантов света - фотонов. Оптоэлектронные приборы
можно разделить на три группы: 1) приборы, преобразующие электрическую
энергию в оптическое излучение (светодиоды, полупроводниковые лазеры); 2)
приборы, детектирующие оптические сигналы за счет протекающих под
действием света электронных процессов (фотодетекторы); 3) приборы,
осуществляющие преобразование оптического излучения в электрическую
энергию (фотовольтаические приборы, солнечные батареи).
В данной главе рассматривается первая группа приборов, а гл. 13 и 14
посвящены соответственно фотодетекторам и солнечным батареям.
Явление электролюминесценции было открыто в 1907 г. 11 ]. Оно состоит в
генерации света в материале, сквозь который протекает электрический ток,
вызванный электрическим полем. Излучение электролюминесценции в отличие
от теплового характеризуется сравнительно узким спектром (для светодиодов
спектральная ширина линии лежит обычно в диапазоне длин волн 100-500 А).
Излучение может быть практически монохроматич-ным; например, для
лазерного диода спектральная ширина излучения лежит в пределах 0,1-1 А.
Предыдущая << 1 .. 76 77 78 79 80 81 < 82 > 83 84 85 86 87 88 .. 145 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed