Физика полупроводниковых приборов Книга 2 - Зи С.
Скачать (прямая ссылка):
тока приве-
Приборы на эффекте междолинного перехода электронов
.267
дена на рис. 33, б. Здесь снова используется теория насыщенного домена,
описанная выше. После отрыва домена от катода при t =0 ток катодного
контакта равен току насыщенного домена (Aqnevrm) до тех пор, пока диполь
не достигнет электрода, расположенного в точке В. В этот момент ток
становится равным сумме тока насыщенного домена и протекающего через
сопротивление Rg тока Ig. Ток /g равен напряжению между точками А и В при
наличии между ними домена, поделенному на Rg. После этого ток катода
остается равным
h (0 - Aqn0vrm ~b 1 g (47)
до тех пор, пока домен не достигнет анода, вызвав короткий "всплеск"
тока.
ЛИТЕРАТУРА
1. Gunn J. В. Microwave Oscillation of Current in III-V
Semiconductors, Solid-State Commun., 1, 88 (1963); Instabilities of
Current in III-V Semiconductors, IBM J. Res. Dev., 8, 141 (1964).
2. Kroerner R. Theory of the Gunn Effect, Proc. IEEE, 62, 1736 (1964).
3. Ridley В. K., Watkins Т. B. The Possibility of Negative Resistance
Effects in Semiconductors, Proc. Phys. Soc. Lrnd., 78, 293 (1961).
3a. Ridley В. K. Anatomy of the Transferred-Electron Effect in III-V
Semiconductors, J. Appl. Phys., 48, 754 (1977).
4. Hilsum C. Transferred Electron Amplifiers and Oscillators, Proc,
IRE, 50, 185 (1962).
4a. Hilsum C. Historical Background of Hot Electron Physics, Solid State
Electron., 21, 5 (1978).
5. Hutson A. R., Jayaraman A., Chynoweth A. G., Coriel A. S., Feld-
mann W. L. Mechanism of the Gunn Effect from a Pressure Experiment, Phys.
Rev. Lett., 14, 639 (1965).
6. Allen J. W., Shyam М., Chen Y. S., Pearson G. L. Microwave
Oscillations in GaAs!^ Pjc Alloys, Appl. Phys. Lett., 7, 78 (1965).
7. Carroll J. E. Hot Electron Microwave Generator, Edward Arnold,
London, 1970.
8. Bulman P. J., Hobson G S., Taylor B. S. Transferred Electron
Devices, Academic, N. Y., 1972.
9. Bosch B. G.. Engelmann R. W. H. Gunn-Effect Electronics, Wiley, N.
Y., 1975.
10. Thim H. W. Solid State Microwave Sources, in Hilsum C., Ed.,
Handbook on Semiconductors, Vol. 4, Device Physics, North-Holland.
Amsterdam, 1980.
11. Ridley В. K. Specific Negative Resistance in Solids, Proc. Phys.
Soc. bond., 82 954 (1963).
12. Ridley В. K., Pratt R. G. A Bulk Differential Negative Resistance
Due to Electron Tunneling through an Impurity Potential Barrier, Phys.
Lett., 4, 300 (1963).
13. McWhorter A. L., Rediker R. H. The Cryosar - A New Low-Temperature
Computer Component, Proc. IRE, 47, 1207 (1959).
14. Kroemer H. Negative Conductance in Semiconductors, IEEE Spectrum,
5, 47 (1968).
15. Aspnes D. E. GaAs Lower Conduction Band Minimum: Ordering and
Properties, Phys. Rev., 14, 5331 (1976).
16. Rees H. D., Gray K. W. Indium Phosphide: A Semiconductor for
Microwave Devices, Solid State Electron Devices, 1, 1 (1976).
268
Глава 11
17. McCumber D. E., Chynoweth A. G. Theory of Negative Conductance
Application and Gunn Instabilities in'Two-Valley! Semiconductors, IEEE
Trans, Electron Devices, ED-13, 4 (1966).
18. Sakai K., Ikoma Т., Adachi Y. Velocity-Field Characterictics of
Ga^n^Sh Calculated by the Monte Carlo Method, Electron Lett., 10, 402
(1974).
19. Hayes R. E., Raymond R. M. Observation of the Transferred-Electron
Effect in GalnAsP, Appl. Phys. Lett., 31, 300 (1977).
20. Ruch J. G., Kino G. S. Measurement of the Velocity-Field
Characteristics of Gallium Arsenide, Appl, Phys. Lett,, 10, 40 (1967),
21. Butcher P. N., Fawcett W. Calculation of the Velocity-Field
Characteristics for Gallium Arsenide, Phys. Lett., 21, 489 (1966).
22. Littlejohn M. A., Hauser J, R., Glisson T, H. Velocity - Field
Characteristics of GaAs with Г - L - X Conduction-Band Ordering, J, Appl,
Phys.,
48, 4587 (1977).
23. Mojzes I., Podor B., Balogh I. On the Temperature Dependence of
Peak Electron Velocity and Threshold Field Measured on GaAs Gunn Diodes,
Phys. Status Solidi, 39, К123 (1977).
24. Shockley W. Negative Resistance Arising from Transit Time in
Semiconductor Diodes, Bell Syst, Tech. J., 33, 799 (1954).
25. Kino G. S., Kuru I. High-Efficiency Operation of a Gunn
Oscillator in the
Domain Mode, IEEE Trans. Electron Devices, ED-16, 735 (1969).
26. Hobson G. S. The Gunn Effect, Clarendon, Oxford, 1974.
27. Thim H. W., Haydl W. Microwave Amplifier Circuit Consideration, in
Howes M. J., Morgan D. V., Eds., Microwave Devices, Wiley, N. Y., 1976,
Chap. 6.
28. Hakki B. W. Amplification in Two-Valley Semiconductors, J. Appl.
Phus., 38, 808 (1967).
29. Thim H. W. Computer Study of Bulk GaAs Devices with Random One-
Dimensional Doping Fluctuations, J. Appl. Phys., 39, 3897 (1968).
30. Butcher P. N. Theory of Stable Domain Propagation in the Gunn
Effect, Phys. Lett., 19, 546 (1965).
31. Butcher P. N., Fawcett W., Hilsum C. A Simple Analysis of Stable
Domain
Propagation in the Gunn Effect, Br. J. Appl. Phys., 17, 841 (1966).
32. Copeland J. A. Electrostatic Domains in Two-Valley Semiconductors,
