Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Зи С. -> "Физика полупроводниковых приборов Книга 2" -> 68

Физика полупроводниковых приборов Книга 2 - Зи С.

Зи С. Физика полупроводниковых приборов Книга 2 — М.: Мир, 1984. — 456 c.
Скачать (прямая ссылка): fizikapoluprovodnikovihpriborov21984.djvu
Предыдущая << 1 .. 62 63 64 65 66 67 < 68 > 69 70 71 72 73 74 .. 145 >> Следующая

- Induced Microwave Negative Resistance in GaAlAs - GaAs Heterostructure
Diodes, Electron. Lett., 11, 457 (1975).
87. Sitch J. E., Robson P. N. Efficiency of BARITT and DOVETT
Oscillators, Solid State Electron Devices, 1, 31 (1976).
88. Liu S. G., Risko J. J. Fabrication and Performance of Kilowatt L-
Band Avalanche Diodes, RCA Rev., 31, 3 (1970).
89. Kostichack D. F. UHF Avalanche Diode Oscillator Providing 400 Watts
Peak Power and 75 Percent Efficiency, Proc. IEEE Let., 58, 1282 (1970).
90. DeLoach B. C.; Scharfetter Jr. and D. L. Device Physics of TRAPATT
Oscillators, IEEE Trans. Electron Devices, ED-17, 9 (1970).
91 Johnston R. L., Scharfetter D. L., Bartelink D. J. High-Efficiency
Oscillations in Germanium Avalanche Diodes Below the Transit-Time
Frequency, Proc. IEEE, 56, 1611 (1968). [Имеется перевод: Джонстон,
Шарфеттер,
Бартелинк. Генерация колебаний германиевыми лавинно-пролетными диодами s
высоким к. и. д. на частотах ниже номинальной. - ТИИЭР, 1968,
56, № 9, 222-225.]
92. Evans W. J. Circuits for High-Efficiency Avalanche-Diode
Oscillators, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., MTT-17, 1060 (1969).
93. Scharfetter D. L. Power-Frequency Characteristics of the PRAPATT
Diode Mode of High Efficiency Power Generation in Germanium and Silicon
Avalanche Diodes, Bell Syst. Tech. J., 49, 799 (1970).
94. Trew R. J., Haddad G. I., Masnari N. A. A Simplified Model of a
TRAPATT Diode, IEEE Trans. Electron Devices, ED-23, 28 (1976).
95. Obah C. O. G., Benko E., Midford T. A., Bowers H. C., Chao P. Y.
Single-Diode 0,5 kW TRAPATT Oscillators. Electron. Lett., 10, 430 (1974).
96. Ying R. S., Fong Т. T. С-Band Complementary TRAPATT Diodes, Proc.
IEEE, 62, 287 (1974). [Имеется перевод: Ин, Фын. TRАРАТТ-диоды С-диа-
пазона с дополнительной структурой. - ТИИЭР, 1974, 6'2, № 3, 147-148.]
97. Ahmad S., Fieyer J. Design and Development of High-Power Microwave
Silicon BARITT Diodes, IEEE Trans. Electron Devices., ED-26, 1370 (1979).
Г лава 11
ПРИБОРЫ НА ЭФФЕКТЕ МЕЖДОЛИННОГО ПЕРЕХОДА ЭЛЕКТРОНОВ
11.1. ВВЕДЕНИЕ
Приборы на эффекте междолинного перехода электронов1* (одни из важнейших
СВЧ-приборов) широко используются в качестве гетеродина и усилителя
мощности в диапазоне частот
1-100 ГГц. Твердотельные генераторы на этих приборах применяются в
радарах, системах раннего оповещения и контрольноизмерительной
аппаратуре.
В 1963 г. Ганн [1] обнаружил генерацию когерентных СВЧ-колебаний при
наложении на произвольно ориентированный короткий образец из арсенида
галлия или фосфида индия /г-типа постоянного электрического поля,
превышающего пороговое значение, равное нескольким киловольтам на 1 см.
Частота колебаний приблизительно равнялась величине, обратной времени
пролета носителей через образец. Кремер [2] указал на то, что все
наблюдаемые свойства этого процесса согласуются с результатами теории
отрицательного дифференциального удельного сопротивления, предложенной
независимо Ридли и Уоткинсом [3, За], а также Хилсумом [4, 4а]. Причиной
возникновения отрицательного дифференциального удельного сопротивления
служит стимулированный электрическим полем пер.еход электронов зоны
проводимости из низкоэнергетической долины, в которой их подвижность
относительно велика, в более высокоэнергетические долины с меньшими
подвижностями. Хатсон и др. 15] обнаружили влияние давления на
характеристики прибора из арсенида галлия, а Аллен и др. [6], исследуя
генерацию в тройных соединениях GaAs^P*, показали, что величина
порогового электрического поля уменьшается при уменьшении энергетического
зазора между основным и побочным минимумами зоны проводимости. Все это
убедительно доказывало, что причиной ганнов-ской генерации является
эффект междолинного перехода электронов.
Этот эффект также называют механизмом Ридли-Уоткинса- Хилсума или
эффектом Ганна. Приборы на эффекте междолинного перехода электронов
подробно описаны в работах [7-9]. В работе [10] дан обзор твердотельных
СВЧ-генераторов.
2) В зарубежной литературе эти приборы называются TED (Transferred-
Electron Devices),-Прим. перев.
Приборы на эффекте междолинного перехода электронов
227
11.2. ЭФФЕКТ МЕЖДОЛИННОГО ПЕРЕХОДА ЭЛЕКТРОНОВ
11.2.1. Объемное отрицательное дифференциальное удельное сопротивление
Физические механизмы возникновения объемного отрицательного
дифференциального удельного сопротивления весьма различны. Одним из
важнейших служит эффект междолинного перехода электронов. Поскольку
случайная флюктуация концентрации свободных носителей в любой точке
образца с объемным отрицательным удельным сопротивлением приводит к
моментальному возникновению пространственного заряда, величина которого
возрастает со временем по экспоненциальному закону, такой полупроводник
является по своей природе нестабильным. Зап !-шем уравнение непрерывности
в одномерном случае х)
+ о. (1,
dt 1 q дх 4 '
Малое локальное отклонение концентрации основных носителей тт однородной
равновесной п0 приводит к появлению пространственного заряда плотностью
Предыдущая << 1 .. 62 63 64 65 66 67 < 68 > 69 70 71 72 73 74 .. 145 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed