Физика полупроводниковых приборов Книга 2 - Зи С.
Скачать (прямая ссылка):
Джонсон и др. Изготовление и шумовые свойства мощных IMPATT-диодов из
арсе-ннда галлия. - ТИИЭР, 1971, 59, № 8, 95-99.]
54. Misawa Т. Microwave Si Avalanche Diode With Nearly-Abrupt-Type
Junction, IEEE Trans. Electron Devices, ED-14, 580 (1967).
55. Sze S. М., Lepselter M. P., MacDonald R. W. Metal - Semiconductor
IMPATT Diode, Solid State Electron., 12, 107 (1969).
56. De Nobel D., Kock H. G. A Silicon Schottky Barrier Avalanche
Transit Time Diode, Proc. IEEE, 57, 2088 (1969). [Имеется перевод: де
Нобел, Кок. Кремниевый лавинно-пролетный диод с барьером Шоттки. - ТИИЭР,
1969, 57, № 10, 200.]
224
Глава 10
57. Kim С. К., Armstrong L. D. GaA> Scnottky-Barrier Avalanche Diode
Solid-State Electron., 13, 53 (1970).
58. Misawa T. Minority Carrier Storage and Oscillation Efficiency in
Re;:d Diodes, Solid State Electron., 13, 1369 (1970)
69. Niehaus W. C., Schwartz B. A Sell-Limiting Anodic Etch-to-Voltage
Technique lor Fabrication of Modified Read IMPATTs, Solid State
Electron.. 19, 175 (1976).
60. Mahoney G. E. Retardation ol IMPATT Diode Aging by Use ot Tungsten
in the Electrodes. Appl. Phys. Lett., ?7, 613 (1975).
61. Heaton J. L., Walline R. E., Carroll J. F. Low - High - Low Profile
GaAs IMPATT Reliability, IEEE Trans. Electron Devices, ED-26, 96 (1979).
62. Scharfetter D. L., Evans W. J., Johnston R. L. Double-Drift-Region
(p+pnn+)
Avalanche Diode Oscillators, Proc. IEEE, 58, 1131 (1970). [Имеется
перевод: Щарфеттер, Эванс, Джонстон ГЛПД на диодах с двумя пролетными
пространствами (структуры р+- р - п - п+). - ТИИЭР 1970, 58. № 8,
113-114.]
63. Cho A. Y., Dunn С. N. Kuvas R. L., Schroeder W. Е. GaAs IMPATT
Diodes, Prepared by Molecular Beam Epitaxy, Appl. Phys. Lett., 25, 224
(1974).
64. Liao S. Y. Microwave Devices and Circuits, Prentice-Hall, Englewood
Cliffs, N. J., 1980.
65. Iglesias D. E. Circuit for Testing High Efficiency IMPATT Diodes,
Proc.
IEEE, 55, 2065 (1967). [Имеется перевод: Иглесиас. Схема для проверки
лавинно-пролетных диодов с большим к. п. д. - ТИИЭР, 1967, 55, № 11,
3jg__320 ]
66. Misawa Т., Marinaccio L. Р. А 1/4 Watt Si р - V - п X-Band IMPATT
Diode, Int. Electron Device Meet., Washington, D. C., Oct. 1966.
67. Bowman L. S., Burrus C. A., Jr., Pulse-Driven Silicon p - n
Junction Avalanche Oscillators for the 0,9 to 20 mm Band IEEE Trans.
Electron Devices, ED-14, 411 (1967).
68. Ino М., Ishibashi Т., Ohmori M. Submillimeter Wave Si p+pn+ IMPATT
Diodes, Jpn. J. Appl. Phys., 16 Suppl. 16-1, 89 (1977).
69. Pribetich J. Chive М., Constant E., Farrayre A. Design and
Performance, of Maximum-Efficiency Single and Double-Drift-Region GaAs
IMPATT Diodes in the 3-18 HGz Frequency Range, J. Appl. Phys., 49, 5584
(1978).
70. Seidel Т. E.. Davis R. E., Iglesias D. E. Double-Drift-Region Ion-
Implanted Millimeter-Wave IMPATT Diodes, Proc. IEEE, 59, 1222 (1971).
[Имеется перевод: Зейдел, Дэвис, Иглесиас. Двухпролетные IMPATT-диоды
миллиметрового диапазона, изготовленные методом ионного внедрения. -
ТИИЭР, 1971, 59, № 8, 107-114.]
71. Cohen Е. D. Trapatts and Impatts- State of the Art and Application,
Microwave J., 20, 22 (1977).
72. Grery K. W. Recent Advances in Microwave Devices, Jpn. J. Appl.
Phys.,
16, Suppl. 16-1, 81 (1974).
73. Bozler С. O., Donnelly J. P., Murphy R. A., Laton R. W., Subduny R.
W, High-Efficiency Ion-Implanted Lo - Hi - Lo GaAs IMPATT Diodes, Appl,
PhtJ4 1 pft 2Q 10R
74. Hierl T. L., Berenz J. J., Kinoshita J., Zubeck I. U. High
Efficiency Pulsed GaAs Read IMPATT Diodes, Electron. Lett.., 14, 155
(1978).
75. Potteiger D. C., private communication.
76. Sze S. М., Coleman D. J. Loya A. Current Transport in Metal -
Semiconductor- Metal (MSM) Structures, Solid State Electron., 14, 1209
(1971).
77. Chu J. L., Persky G., Stt S. M. Thermionic Injection and Space-
Charge-Limited Current in Reach-Through p+np+ Structures, J. Appl. Phys.,
43, 3510 (1972).
78. Eknoyan O., Yang E. S., Sze S. M. Multilayered Ion-Implanted Baritt
Diodes with Inproved Efficiency, Solid State Electron, 20, 291 (1977).
Лавинно-пролетные диоды
225
79. De Cogan D. The Punch-Through Diode, Microelectronics, 8, 20
(1976).
80. Nguyen-Ва H., Haddad G. I. Effects of Doping Profile on the
Performance of Baritt Devices, IEEE Trans. Electron Devices, Ed-24, 1154
(1977).
81. Chu J. L., Sze S. M. Microwave Oscillation in pnp Reach-Through
Baritt Diodes, Solid State Electron16, 85 (1973).
82. Sjolund A. Small-Signal Analysis of Punch-Through Injection
Microwave Devices, Solid State Electron., 16, 559 (197-3).
83. Kwok S. P., Haddad G. I. Power Limitation in Baritt Devices, Solid
State Electron19 , 795 (1976).
84. Eknoyan O., Sze S. М., Yang E. S. Microwave Baritt Diode with
Retarding Field - An Investigation, Solid State Electron., 20, 285
(1977).
85. Ahmad S., Freyer J. High-Power Pt Schottky Baritt Diodes, Electron.
Lett,,
12, 238 (1976).
86. Sitch J. E., Majerfeld A., Robson P. N., Hasegawa F. Transit - Time
