Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Зи С. -> "Физика полупроводниковых приборов Книга 2" -> 65

Физика полупроводниковых приборов Книга 2 - Зи С.

Зи С. Физика полупроводниковых приборов Книга 2 — М.: Мир, 1984. — 456 c.
Скачать (прямая ссылка): fizikapoluprovodnikovihpriborov21984.djvu
Предыдущая << 1 .. 59 60 61 62 63 64 < 65 > 66 67 68 69 70 71 .. 145 >> Следующая

к большинству. параметров. Для того чтобы уменьшить напряжение,
необходимое для начала движения лавинной зоны, диод обычно изготовляют с
большим коэффициен-
220
Г лава 10
*4
*5:
к'
Рис. 60. Зависимость выходной мощности и к. п. д. от тока для пяти
соединенных последовательно диодов при 1,11 ГГц |88],
2000
1000
I

!
I
1
100
10
1
1§\{5дисдод)
23> 75* 60х \ $29 з°\т v И МП, * режим • Непрер. режим
- жзо\ XJ7 \ /п Х> Х^ 45 х 22 \ \ \
- *26 ' 1 ( ti 45 24щ 20 /6 • *21 1 j-1-1_ \ " \ \ ' \ 1 1
1-1
0,1 1 ю 100
f, ГГц
Рис. 51. Характеристики современных диодов с захваченным обч,емным
зарядом лавины,
Лавинно-пролетные диоды
221
том перекрытия F (рис. 49, а). Чем больше коэффициент перекрытия F, тем
больше прибор напоминает р-i-я-диод. Зависимости ширины обедненной
области и концентрации примеси от рабочей частоты для трех значений
коэффициента перекрытия приведены на рис. 49, б.
Характеристики наиболее мощных современных диодов с захваченным объемным
зарядом приведены на рис. 50 и 51 [88, 8, 95, 96]. Выходная мощность пяти
соединенных последовательно диодов в импульсном режиме генерации
достигает 1,2 кВт при к. п. д. 25 %. Отметим, что верхний предел рабочих
частот близок к 10 ГГц, а наибольшие выходные мощности получены в диодах,
работающих в импульсном режиме. Такие высокие значения мощности,
генерируемой в импульсном режиме, существенно превышают выходные мощности
других полупроводниковых СВЧ-приборов. Однако большая чувствительность к
малым изменениям параметров цепи, рабочих условий или температуры
затрудняет создание приборов со стабильными характеристиками при работе в
изменяющихся внешних условиях.
ЛИТЕРАТУРА
1. Johnson R. L., DeLoach В. С., Jr., Cohen В. G. A Silicon Diode
Oscillator, Bell Syst. Tech. J., 44, 369 (1965).
2. DeLoach В. C., Jr. The IMPATT Story, IEEE Trans. Electron Devices,
ED-23, 57 (1976).
3. Shockley W. Negative Resistance Arising from Transist Time in
Semiconductor Diodes, Bell Syst. Tech. J., 33, 799 (1954).
4. Read W. T. A Proposed High-Frequency Negative Resistance Diode,
Bell Syst. Tech. J., 37, 401 (1958).
5. Lee C. A., Batdorf R. L., Wiegman W., Kaminsky G. The Read Diode
and Avalanche, Transit-Time, Negative-Resistance Oscillator, Appl. Phys.
Lett., 6, 89 (1965).
6. Misawa T. Negative Resistance on p - n Junction under Avalanche
Breakdown Conditions, Parts I and II, IEEE Trans. Electron Devices, ED-
13, 137
(1966).
7. Gilden М., Hines M. F. Electronic Tuning Effects in the Read
Microwave Avalanche Diode, IEEE Trans. Electron Devices, ED-13, 169
(1966).
8. Sze S. М., Ryder R. M. Microwave Avalanche Diodes, Proc. IEEE, 59,
1140 (1971).
9. Schroeder W. E., Haddad G. 1. Nonlinear Properties of IMPATT
Devices, Proc. IEEE, 61, 153 (1973).
10. Special Issue on Solid-State Microwave Millimeter-Wave Power
Generation, Amplification, and Control, IEEE Trans. Microwave Theorv
Tech., MTT-27 (May 1979).
10a. Eastman L. F. Microwave Semiconductor Devices: State-of-the-Art and
Limiting Effects, IEEE Tech. Dig., Int. Electron Devices Meet., 1978, p.
364.
11. Brackett C. A. The Elimination of Tuning Induced Burnout and Bias
Circuit Oscillation in IMPATT Oscillators, Bell Syst. Tech. J., 52, 271
(1973).
12. Coleman D. J., Jr., Sze S. M. The Baritt Diode - A New Low Noise
Microwave Oscillator, IEEE Device Res. Conf., Ann Arbor, Mich., June 28,
1971; A Low-Noise Metal - Semiconductor - Metal (MSM) Microwave
Oscillator, Bell. Syst. Tech. J50, 1695 (1971).
222
Глава 10
13. Ruegg Н. W. A Proposed Punch-Through Microwave Negative Resistance
Diode. IEEE Trans. Electron Devices, ED-15, 577 (1968).
14. Wright G. T. Punch-Through Transit-Time Oscillator, Electron.
Lett., 4, 543 (1968).
15. Sobol H., Sterzer F. Microwave Power Sources, IEEE Spectrum, 9, 20
(1972).
16. East J. R., Nguyen-Ва H., Haddad G. I. Microwave and mm Wave Baritt
Doppler Detector, Microwave J.. 19, 51 (1976).
17. Piager H. J., Chang К. K. N., Weisbrod S. High Power, High
Efficiency Silicon Avalanche Diodes at Ultrahigh Frequencies, Proc. IEEE,
55, 586 (1967). [Имеется перевод: Прагер, Чанг, Вайсброд. Мощные
кремниевые лавинные диоды с высоким к. п. д. для ультравысоких частот. -
ТИИЭР, 1967, 55, Ко 4, 119-121.]
18. Scharfetter D. L., Bartelink D. J., Gummel H. K., Johnston R. L.
Computer Simulation of Low-Frequency High-Efficiency Oscillation in
Germanium IMPATT Diodes, IEEE Trans. Electron Devices, ED-15, 691 (1968).
19. Bartelink D. J., Scharfetter D. L. Avalanche Shock Fronts in p - n
Junctions, Appl. Phys. Lett., 14, 420 (1969).
20. Clorfeine A. S., Ikola R. J., Napoli L. S. A Theory for the High-
Efficiency Mode of Oscillation in Avalanche Diodes, RCA Rev., 30, 397
(1969).
21. Chang К. K. N., Kawamoto H., Prager H. J., Reynolds J. F., Rosen
A., Mikenas V. A. TRAPATT Amplifiers for Phased-Array Radar Systems,
Microwave J., 16, 27 (1973).
22. Salmer G., Pribetich H., Farrayre A., Kramer B. Theoretical and
Предыдущая << 1 .. 59 60 61 62 63 64 < 65 > 66 67 68 69 70 71 .. 145 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed