Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Зи С. -> "Физика полупроводниковых приборов Книга 2" -> 44

Физика полупроводниковых приборов Книга 2 - Зи С.

Зи С. Физика полупроводниковых приборов Книга 2 — М.: Мир, 1984. — 456 c.
Скачать (прямая ссылка): fizikapoluprovodnikovihpriborov21984.djvu
Предыдущая << 1 .. 38 39 40 41 42 43 < 44 > 45 46 47 48 49 50 .. 145 >> Следующая

Insulating np+ Silicon Devices, Solid State Electron., 20, 963 (1977).
51. Simmons J. G Generalized Formula for the Electric Effect between
Similar Electrodes Separated by a Thin Insulating Film. J. Appl. Phys.,
34, 1793(1963).
52. Pollack S. R., Morris С. E. Tunneling through Gaseous Oxidized
Films of A1203, Trans. A1ME, 233, 497 (1965).
53. Hurych Z. Influence of Nonuniform Thickness of Dielectric Layers on
Capacitance and Tunnel Current, Solid State Electron., 9, 967 (1966).
54. Pochobradsky J. On the Capacitance of Metal - Insulator - Metal
Structures with Nonuniform Thickness, Solid State Electron., 10, 973
(1967).
55 Ku H. Y., Ullman F. G. Capacitance of Thin Dielectric Structures, J.
Appl, Phys 35, 265 (1964).
56. Kurtin S., McGill Т. C., Mead C. A. Tunneling Currents and E - k
Relation, Phys. Rev. Lett., 25, 756 (1970); Direct Interelectrode
Tunneling in GaAs., Phys. Rev. B3, 3368 (1971).
57. Heiblum М., Wang S. Y., Whinnery J. R., Gustafson Т. K.
Characteristics of Integrated MOM Junction at DC and at Optical
Frequencies, IEEE J. Quantum Electron., QE-14, 159 (1978).
58. Mead C. A. Tunnel-Emission Amplifiers, Proc. IRE. 48, 359 (i960).
59. Crowell C. R,, Sze S. M. Hot Electron Transport and Electron
Tunneling in Thin-Film Structures, in Haas G., Thun R. E., Eds. Phy3ics
of Thin Films, Vol. 4, Academic, N. Y., 1967.
60. Spratt J. P., Schwartz R. F., Kane W. M. Hot Electrons in Metal
Films: Injection and Collection, Phys. Rev., Lett., 6, 341 (1961).
61. Kisaki H. Tunnel Transistor, Proc IEEE, 61, 1053 (1978).
62. Chang L. L., Esaki L. Tunnel Triode- A Tunneling Base Transistor,
Appl, Phys. Lett., 31, 687 (1977).
63. Hewlett-Packard Electronic Test Instruments, Hewlett-Packard, Palo
Alto, Calif., 1961.
64. Liao S. Y. Microwave Devices and Circuits, Prentiee-Hall, Englewood
Cliffs, N. J., 1980.
Глава 10
ЛАВИННО-ПРОЛЕТНЫЕ ДИОДЫ И ДРУГИЕ ПРИБОРЫ НА ПРОЛЕТНЫХ ЭФФЕКТАХ
10.1. ВВЕДЕНИЕ
Принцип работы лавинно-пролетных диодов 1 (ЛПД) основан на возникновении
отрицательного сопротивления в диапазоне сверхвысоких частот, которое
обусловлено процессами лавинного умножения носителей и их пролета через
полупроводниковую структуру. Появление отрицательного сопротивления
связано с временном запаздыванием этих двух процессов, приводящим к
фазовому сдвигу между током и напряжением. "Лавинное запаздывание"
появляется за счет конечного времени нарастания лавинного тока, а
"пролетное запаздывание" - за счет конечного времени прохождения
носителями области дрейфа. Сопротивление диода отрицательно на некоторой
частоте, если сумма этих времен равна полупериоду колебания. Впервые
экспериментальное наблюдение осцилляций было осуществлено2 в 1965 г.
Джонстоном, Делоучем и Коэном в смещенном в область обратного лавинного
пробоя кремниевом диоде, который был помещен в СВЧ-резонатор П, 2].
Возникающее за счет пролетных эффектов в полупроводниковых диодах
отрицательное сопротивление впервые изучил в 1954 г. Шокли, который
считал, что двухконтактные приборы из-за структурной простоты обладают
потенциальными преимуществами по сравнению с трехконтактными
транзисторами [3]. В 1958 г. Рид предложил конструкцию высокочастотного
полупроводникового диода, в котором область лавинного умножения
расположена на одном конце относительно высокоомного слоя, служащего
дрейфовым пролетным пространством для генерируемых носителей заряда (т.
е. р+-п-i-п+ или п+-р-i-р+) [4 ]. Осцилляции в диоде Рида впервые
наблюдали Ли и др. 15]. Результаты малосигнальной теории, развитой
Мисавой [61, Джилденом и Хайнсом [71, подтвердили, что отрицательное
сопротивление, обусловленное лавинио-пролетным эффектом, может возникать
1 В английской литературе эти приборы сокращенно называются IMPATT
(impact ionization avalanche transit time) - Прим. перев.
2 Лавинно-пролетный диод был впервые создан в СССР на основе
обнаруженного в 1959 г. эффекта генерации когерентных СВЧ-колебаний при
лавинном пробое германиевых дифференциальных диодов (Тагер А. С.,
Мельников А. И., Кобельков Г. П., Цебиев А. М. Генерация и усиление
радиоволн сантиметрового и миллиметрового диапазонов с помощью
полупроводникового диода в области положительного наклона его статической
вольт-амперной характеристики. Диплом на открытие № 24, приоритет
27.X.1959 г.). - Прим. ред.
Лавин но-пролетные диоды
151
в обычном диоде с р-"-переходом или контакте металл-полупроводник с
произвольным профилем распределения примеси.
В настоящее время лавинно-пролетный диод является одним из самых мощных
твердотельных источников СВЧ-излучения [8, 91. ЛПД могут генерировать в
непрерывном режиме наибольшую мощность в диапазоне частот,
соответствующих миллиметровым длинам волн (т. е. свыше 30 ГГц) [10, 10а].
Однако следует сказать о трудностях, с которыми сталкиваются при работе
ЛПД во внешней цепи: 1) высокий уровень шума; 2) необходимость
тщательного расчета цепей (чтобы избежать расстройки или даже перегорания
Предыдущая << 1 .. 38 39 40 41 42 43 < 44 > 45 46 47 48 49 50 .. 145 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed