Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Зи С. -> "Физика полупроводниковых приборов Книга 2" -> 122

Физика полупроводниковых приборов Книга 2 - Зи С.

Зи С. Физика полупроводниковых приборов Книга 2 — М.: Мир, 1984. — 456 c.
Скачать (прямая ссылка): fizikapoluprovodnikovihpriborov21984.djvu
Предыдущая << 1 .. 116 117 118 119 120 121 < 122 > 123 124 125 126 127 128 .. 145 >> Следующая

18. Ahlstrom E., Gartner W. W. Silicon Surface-Barrier Photocells, J.
Appl. Phys., 33, 2602 (1962).
19. Schneider М. V. Schottky Barrier Photodiodes with Antireflection
Coating, Bell Syst. Tech. J., 45, 1611 (1966).
20. Crowell C. R., Sze S. M. Hot Electron Transport and Electron
Tunneling in Thin Film Structures, in Thun R. E., Ed., Physics of Thin
Films, Vol. 4, Academic, N. Y., 1967, pp. 325-371.
21. Гуткин А. А., Дмитриев В. М., Хайт В. М., ФТП, 11 (1977).
22. Lavagna М., Pique J. P., Marfaing Y. Theoretical Analysis of
Quantum Yield in Schottky Diodes, Solid State Electron., 20, 235 (1977).
23. Sharpless W. M. Cartridge-Type Point Contact Photodiode, Proc.
IEEE,
52, 207 (1964).
24. Casey H. C., Jr., Panish М. B. Heterostructure Lasers, Part B,
Academic, N. Y., 1978, p. 3. [Имеется русский перевод: Кейси X., Паниш М.
Лазеры на гетероструктурах, М.: Мир, 1981.]
25. Miller R. С., Schwartz В., Koszi L. A., Wagner W. R. A High-
Efficiency GaAlAs Double-Heterostructure Photovoltaic Detector, Appl.
Phys. Lett., 33, 721 (1978).
26. Ilegems М., Schwartz B., Koszi L. A., Miller R. C. Integrated
Multijunction GaAs Photodetector with High Output Voltage, Appl. Phys.
Lett., 33,629 (1978).
27. Burrus C. A., Dentai A. G., Lee T. P. InGaAsP p - i - n Photodiodes
with Low Dark Current and Small Capacitance, Electron. Lett., 15, 655
(1979).
28. Lee T. P., Burrus C. A., Dentai A. G. InGaAs/InP p - i - n
Photodiodes for Lightwave Communications at 0,95 to 1,65 jxm Wavelengths,
IEEE J. Quantum Electron., QE-17, 232 (1981).
29. Ahmad K. Mabbitt A. W. GalnAs Photodiodes, Solid State Electron.,
22, 327 (1979).
30. Johnson К. M. High-Speed Photodiode Signal Enhancement at Avalanche
Breakdown Voltage, IEEE Trans. Electron Devices, ED-12, 55 (1965).
31. Anderson L. K., McMurtry B. J. High Speed Photodetectors, Proc.
IEEE,
54, 1353 (1966).
32. Emmons R. B. Avalanche Photodiode Frequency Response, J. Appl.
Phys.,
38, 3705 (1967).
33. Melchior H., Lynch W. T. Signal and Noise Response of High Speed
Germanium Avalanche Photodiodes, IEEE Trans. Electron Devices, ED-13, 829
(1966).
34. McIntyre R. J. Multiplication Noise in Uniform Avalanche Diodes,
IEEE Trans. Electron Devices, ED-13, 164 (1966).
35. Baertsch R. D. Noise and Ionization Rate Measurements in Silicon
Photodiodes, IEEE Trans. Electron Devices, ED-13, 987 (1966).
388
Глава 13
36. McIntyre R. J. The Distribution of Gains in Uniformly Multiplying
Avalanche Photodiodes: Thsory, IEEE Trans. Electron Devices, ED-19, 703
(1972).
37. Webb R. P., McIntyre R. J., Conradi J. Properties of Avalanche
Photodiodes, RCA Rec., 35, 234 (1974).
38. Anderson L. K., McMullin P. G., D'Asaro L. A., Goetzberger A.,
Microwave Photodiodes Exhibiting Microplasma - Free Carrier
Multiplication, Appl. Phys. Lett., 6, 62 (1965).
39. Sze S. М., Gibbons G., Effect of Junction Curvature of Breakdown
Voltage in Semiconductors, Solid State Electron., 9, 831 (1966).
40. Ando H., Kanbe H., Kimura Т., Yamaoka Т., Kaneda T. Characteristics
of Ge Avalanche Photodiodes in the Wavelength Region of 1-1,6 p,m, IEEE
J. Quantum Electron., QE-14, 804 (1978).
41. Ruegg H. W. Am Optimized Avalanche Photodiode, IEEE Trans. Electron
Devices, ED-14, 239 (1967).
42. Moll J. Physics of Semiconductors, McGraw-Hill, N. Y., 1964.
43. Kanbe H., Kmura T. Figure of Merit for Avalanche Photodiodes,
Electron. Lett., 13, 262 (1977).
44. Melchior H., Hartman A. R., Schinke A. R., Seidel Т. E. Planar
Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode, Bell Syst. Tech. J., 57, 1791
(1978).
45. Melchior H., Lepselter M. P., Sze S. M. Metal - Semiconductor
Avalanche Photodiode, IEEE Solid-State Device Res. Conf., Boulder, Colo,
June 17-
19, 1968.
46. Lepselter M. P., Sze S. M. Silicon Schottky Barrier Diode with
Near-Ideal I-V Characteristics, Bell Syst. Tech. J., 47, 195 (1968).
47. Hurwitz С. E., Hsieh J. J. GalnAsP/InP Avalanche Photodiodes, Appl.
Phys. Lett., 32, 487 (1978).
48. Law H. D., Nakano K., Tomasetta L. R. Ill-V Alloy Heterostructure
High Speed Avalanche Photodiodes, IEEE, J. Quantum Electron., QE-15, 549
(1979).
49. Nishida K., Taguchi K-, Matsumoto Y. InGaAsP H^terostructure
Avalanche Photodiodes with High Avalanche Gain, Appl. Phys. Lett., 35,
251 (1979).
50. Shockley Wv Sparks М., Teal G. К. P - n Junction Transistor, Phys.
Rev., 83, 151 (1951).
51. Jayson J. S., Knight S. Opto-Isolator, in Wolfe R., Ed., Applied
Solid State
Science, Vol. 6, Academic, N. Y., 1976, pp. 119-168.
52. DeLaiVioneda F. H., Chenette E. R., Van Der Ziel A. Noise in
Phototransistors, IEEE Trans. Electron Devices, ED-18, 340 (1971).
53. Knight S., Dawson L. R., Keramidas U. G., Spencer M. G. An
Optically Triggered Double Heterostructure Linear Bilateral
Phototransistors, IEEE Tech. Dig., Int. Electron Device Meet., 1977, p.
472.
54. Forbes L., Wittmer L. L., Loh K. W. Characteristic of the Indium-
Doped Infrared Sensing MOSFET, IEEE Trans. Electron Devices, ED-23, 1272
Предыдущая << 1 .. 116 117 118 119 120 121 < 122 > 123 124 125 126 127 128 .. 145 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed